一种氧化物纳米线及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种Tb3+离子掺杂的MnO2纳米线的合成方法，采用气-液-固法合成，包括：把Mn-Fe-Tb合金在氮气保护下球磨8小时；保持Ar气和氢气的流量比为10:1，进行加热；炉温达到1210℃后保持反应三小时，然后在Ar气保护下冷却到室温；收集白色粉末。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氧化物纳米线，尤其涉及Tb3+离子掺杂的MnO2纳米线。
技术介绍
纳米发光材料是指基质的粒子尺寸在1-1OOnm的发光材料,它包括半导体纳米晶体发光材料和具有分立发光中心的掺杂稀土或过渡金属离子的纳米发光材料。1994年Bharagava等首次报道了过渡金属离子掺杂半导体纳米微粒Zns:Mn的发光性质,发现其发光寿命缩短了 5个数量级，而外量子效率仍高达18%。尽管这是一个有争议的结果，但是却引起了人们半导体纳米发光材料的极大兴趣。目前，在半导体纳米发光材料上已经进行了大量的、较深入的研究，如量子点、量子线、量子阱、超品格、多孔硅和有序纳米结构阵列等。在理论上，主要探讨量子限域效应和小尺寸效应等对半导体材料能带结构和光谱性质的影响；在应用上，从材料的制备和加工入手，寻找材料的应用及功能器件制造的途径。与此同时，稀土或过渡金属离子掺杂的纳米发光材料也开始受到关注，并探索了大量的合成方法，如沉淀法、热分解法、溶胶-凝胶法、燃烧法、激光蒸发冷凝法、CVD法、水热法、模板组装等。从应用的背景考虑，以掺杂纳米材料取代相应的体材料，可以提高显示的分辨率，并能在光电器件、光催本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Tb3+离子掺杂的MnO2纳米线的合成方法，采用气?液?固法合成，包括：把Mn?Fe?Tb合金在氮气保护下球磨8小时；保持Ar气和氢气的流量比为10:1，进行加热；炉温达到1210℃后保持反应三小时，然后在Ar气保护下冷却到室温；收集白色粉末。

【技术特征摘要】
1.一种Tb3+离子掺杂的MnO2纳米线的合成方法，采用气-液-固法合成，包括:把Mn-Fe-Tb合金在氮气保护下球磨8小时；保...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雷，肖太升，倪海玲，刘桂英，
申请(专利权)人：青岛盛嘉信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：