四方扁平型高功率芯片封装结构制造技术

本发明专利技术公开一种四方扁平型高功率芯片封装结构，其导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，散热区位于肖特基整流芯片正下方且与肖特基整流芯片下表面之间通过软焊料层电连接；导电焊盘位于肖特基整流芯片另一侧，导电焊盘包括焊接区和至少两个引脚，焊接区与引脚的连接处具有一折弯部；一铝导体带跨接于所述肖特基整流芯片的正极与导电焊盘的焊接区之间；铝导体带与肖特基整流芯片的焊接条至少为2条且相间排列；软焊料层由以下质量百分含量的组分组成：铅92.5%、锡5%、银2.5%；铝导体带宽厚比为1：12~14。本发明专利技术高功率芯片封装结构有利于进一步缩小器件的体积，也减少封装体中部件的数目；且减少欧姆接触电阻，提高了电性能指标，同时也减少热量的产生，热阻相比现有技术降低80%。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及整流芯片封装结构
，具体涉及一种四方扁平型高功率芯片封装结构。
技术介绍
笔记本电脑、手机、迷你CD、掌上电脑、CPU、数码照相机等消费类电子产品越来越向小型化方向发展。随着产品的做小做薄，工IC中的数百万个晶体管所产生的热量如何散发出去就变为一个不得不考虑的问题。现有技术中，虽然可以通过提升工IC制程能力来降低电压等方式来减小发热量，但是仍然不能避免发热密度增加的趋势。散热问题不解决，会使得工器件因过热而影响到产品的可靠性，严重地会缩短产品寿命甚至造成产品损毁。如附图1所示是一种现有技术DFN封装结构的剖面示意图，包括芯片900，散热片920、引线框架930、多个导线940，以及包裹上述结构的绝缘胶950。芯片900粘附在散热片920上，引线框架930具有多个相互绝缘的管脚，芯片900表面的焊盘通过导线940连接在引线框架93。相应的管脚上。绝缘胶950将上述结构全部包裹起来，以将其同外界隔离，仅将引线框架930的各个管脚和散热片920与芯片900相对的表面暴露在空气中。引线框架930暴露出来的管脚用于实现被封装的芯片900同外界的电学连接，而散热片920暴露出来的作用在于将芯片900工作时产生的热量通过暴露的表面散发到环境中去；其同样为引脚和散热片分离，且引脚外露，仍然存在体积大而不利于散热的技术问题。
技术实现思路
本专利技术目 的是提供一种四方扁平型高功率芯片封装结构，此高功率芯片封装结构有利于进一步缩小器件的体积，同时减少封装体中部件的数目；且减少欧姆接触电阻，提高了电性能指标，同时也减少热量的产生，热阻相比现有技术降低80%。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是:一种四方扁平型高功率芯片封装结构，包括肖特基整流芯片、包覆于肖特基整流芯片四周的环氧树脂层、导电基盘和导电焊盘，所述导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，此基盘引脚区由若干个相间排列的负极引脚组成，此负极引脚一端与散热区端面电连接，所述散热区位于肖特基整流芯片正下方且与肖特基整流芯片下表面之间通过软焊料层电连接；所述导电焊盘位于肖特基整流芯片另一侧，导电焊盘包括焊接区和至少两个引脚，焊接区与引脚的连接处具有一折弯部，从而使得焊接区高于引脚；一铝导体带跨接于所述肖特基整流芯片的正极与导电焊盘的焊接区之间；所述铝导体带与肖特基整流芯片的焊接条至少为2条且相间排列；所述软焊料层由以下质量百分含量的组分组成:铅92.5%、锡5%、银2.5% ;所述铝导体带宽厚比为1:12 14。上述技术方案中进一步改进的方案如下:1、上述方案中，所述导电焊盘各自的焊接区与肖特基整流芯片位于同一水平面。2、上述方案中，所述负极引脚的数目为四根。3、上述方案中，所述导电焊盘的引脚为两个。4、上述方案中，所述铝导体带与肖特基整流芯片的焊接条数 目为2条。由于上述技术方案运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点和效果: 1、本专利技术高功率芯片封装结构，其同时兼备了现有技术中导电焊盘、散热片和基岛三个部件功能，既有利于进一步缩小器件的体积，也减少器件中部件的数目，同时由于散热区和基盘引脚区为一个整体，提闻了电性能的稳定性。2、本专利技术高功率芯片封装结构，兼备了现有技术中导电焊盘、散热片和基岛三个部件功能，散热区位于肖特基整流芯片正下方且与肖特基整流芯片负极之间通过软焊料层电连接且所述软焊料层由以下特定质量百分含量的组分组成:铅92.5%、锡5%、银2.5%，从而进一步提高了导电基盘的散热性能。3、本专利技术高功率芯片封装结构，其正极与导电焊盘的焊接区之间跨接有铝导体带，且铝导体带与肖特基整流芯片的正极的焊接条至少为2条且相间排列，这种结构设计从而有利于减少欧姆接触电阻，提高了电性能指标，同时也减少热量的产生。4、本专利技术高功率芯片封装结构中焊接区与引脚区的连接处具有一折弯部，从而使得焊接区高于引脚区，并保证了导电焊盘的焊接区与肖特基整流芯片的正极在同一水平面，从而有效避免了由于连接肖特基整流芯片正极的铝导体带在使用中容易断的技术缺陷，从而延长了产品的使用寿命并提高了可靠性。5、本专利技术高功率芯片封装结构中基盘引脚区由若干个相间排列的负极引脚组成，导电焊盘的引脚区由至少四根负极引脚组成，充分考虑到肖特基整流芯片正极和负极电流大的特点，从而有利于减少热量的产生，并进一步提高了电性能指标。附图说明图1为现有技术结构示意 图2为本专利技术四方扁平型高功率芯片封装结构示意 图3为附图2中沿A-A线的剖视图。 以上附图中:1、肖特基整流芯片；2、环氧树脂层；3、导电基盘；31、散热区；32、基盘引脚区；321、负极引脚；4、导电焊盘；5、铝导体带；6、软焊料层；7、焊接区；8、引脚区；9、折弯部；10、焊接条。具体实施例方式下面结合实施例对本专利技术作进一步描述: 实施例1:一种四方扁平型高功率芯片封装结构，包括肖特基整流芯片1、包覆于肖特基整流芯片I四周的环氧树脂层2、导电基盘3、导电焊盘4，所述导电基盘3由散热区31和基盘引脚区32组成，此基盘引脚区32由若干个相间排列的负极引脚321组成，此负极引脚321 一端与散热区31端面电连接，所述散热区31位于肖特基整流芯片I正下方且与肖特基整流芯片I下表面之间通过软焊料层6电连接；所述导电焊盘4位于肖特基整流芯片I另一侧，导电焊盘4包括焊接区7和至少两个引脚8，焊接区7与引脚的连接处具有一折弯部9，从而使得焊接区7高于引脚8;—铝导体带5跨接于所述肖特基整流芯片I的正极与导电焊盘4的焊接区7之间；所述铝导体带5与肖特基整流芯片I的焊接条10至少为2条且相间排列；所述软焊料层6由以下质量百分含量的组分组成:铅92.5%、锡5%、银2.5% ;所述铝导体带5宽厚比为1:13时，提高了电性能同时兼顾热阻降低。上述导电焊盘4各自的焊接区7与肖特基整流芯片I位于同一水平面。上述铝导体带5与肖特基整流芯片I的焊接条10数目为2条。实施例2:—种四方扁平型高功率芯片封装结构，包括肖特基整流芯片1、包覆于肖特基整流芯片I四周的环氧树脂层2、导电基盘3、导电焊盘4，所述导电基盘3由散热区31和基盘引脚区32组成，此基盘引脚区32由若干个相间排列的负极引脚321组成，此负极引脚321 —端与散热区31端面电连接，所述散热区31位于肖特基整流芯片I正下方且与肖特基整流芯片I下表面之间通过软焊料层6电连接；所述导电焊盘4位于肖特基整流芯片I另一侧，导电焊盘4包括焊接区7和至少两个引脚8，焊接区7与引脚的连接处具有一折弯部9，从而使得焊接区7高于引脚8 ;一铝导体带5跨接于所述肖特基整流芯片I的正极与导电焊盘4的焊接区7之间；所述铝导体带5与肖特基整流芯片I的焊接条10至少为2条且相间排列；所述软焊料层6由以下质量百分含量的组分组成 铅92.5%、锡5%、银2.5% ;所述铝导体带5宽厚比为1:12。上述导电焊盘4各自的焊接区7与肖特基整流芯片I位于同一水平面；上述负极引脚321的数目为四根；上述导电焊盘4的引脚8为两个。上述铝导体带5与肖特基整流芯片I的焊接条10数目为2条。采用上述四方扁平型高功率芯片封装结构时，其兼备了现有技术中导电焊盘、散热片和基岛三个部件功能，散热区位于肖特基整流芯片正下方且与肖特基整流芯片负极之间通过软焊料层电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种四方扁平型高功率芯片封装结构，包括肖特基整流芯片（1）、包覆于肖特基整流芯片（1）四周的环氧树脂层（2），其特征在于：还包括导电基盘（3）、导电焊盘（4），所述导电基盘（3）由散热区（31）和基盘引脚区（32）组成，此基盘引脚区（32）由若干个相间排列的负极引脚（321）组成，此负极引脚（321）一端与散热区（31）端面电连接，所述散热区（31）位于肖特基整流芯片（1）正下方且与肖特基整流芯片（1）下表面之间通过软焊料层（6）电连接；所述导电焊盘（4）位于肖特基整流芯片（1）另一侧，导电焊盘（4）包括焊接区（7）和至少两个引脚（8），焊接区（7）与引脚的连接处具有一折弯部（9），从而使得焊接区（7）高于引脚（8）；一铝导体带（5）跨接于所述肖特基整流芯片（1）的正极与导电焊盘（4）的焊接区（7）之间；所述铝导体带（5）与肖特基整流芯片（1）的焊接条（10）至少为2条且相间排列；所述软焊料层（6）由以下质量百分含量的组分组成：铅92.5%、锡5%、银2.5%；所述铝导体带（5）宽厚比为1：12~14。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡乃仁，杨小平，李国发，钟利强，
申请(专利权)人：苏州固锝电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：