成膜装置及粒子捕获板制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够有效地抑制堆积膜的剥离的成膜装置及粒子捕获板。本发明专利技术的成膜装置（1）具备配置于真空容器（3）内的粒子捕获板（30），在粒子捕获板（30）的表面（30a）中形成有第1凹凸（32）和第2凹凸（34），该第2凹凸设置于第1凹凸（32）上且比第1凹凸（32）微小。由此，能够有效地抑制堆积膜的剥离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在被成膜件上将成膜材料成膜的成膜装置及安装于成膜装置的粒子捕获板。
技术介绍
在形成ITO (Indium Tin Oxide:铟锡氧化物)膜等薄膜的成膜装置中，有时在成膜室内将成膜原子(成膜材料)附着在基板等被成膜件以外的内壁等上，被称作粒子的粗大颗粒堆积在内壁。该粒子堆积的膜有时从成膜室的内壁剥离，其在成膜室内及基板上飞散而附着，导致成膜品质的降低等问题。因此，在例如专利文献I记载的成膜装置中，在成膜室内配置有屏蔽部件。该屏蔽部件在其表面形成有由铝或铝合金构成的等离子体喷镀膜，而且等离子体喷镀膜的表面被粗化。由此，在屏蔽部件中实现防止粒子剥离。并且，例如专利文献2记载的成膜装置中，在成膜室的内部配置具备维氏硬度100 130HV的压花加工面的电解铜箔，通过电解铜箔实现粒子剥离的防止。专利文献1:日本特开2008-291299号公报专利文献2:日本特开2001-234325号公报然而，在上述以往的结构中由于成膜材料的捕获功能及粒子堆积而成的堆积膜的保持性不充分，必定会产生堆积膜的剥离。因此，关于堆积膜的剥离，希望有进一步的改善。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供一种能够有效地抑制堆积膜的剥离的成膜装置及粒子捕获板。本专利技术人们为了解决上述课题而重复进行深入研究，其结果发现能够通过将成膜材料所附着的表面设为特定的形状，有效地捕获並保持成膜材料，从而完成了本专利技术。S卩，本专利技术涉及的成膜装置具备进行成膜处理的成膜室，该成膜处理用于在被成膜件上将成膜材料成膜，其特征在于，具备配置于成膜室内的粒子捕获板，在粒子捕获板的表面形成有第一凹凸和第二凹凸，该第二凹凸设置于第一凹凸上且比第一凹凸微小。该成膜装置中，在粒子捕获板的表面形成有第一凹凸和比该第一凹凸微小的第二凹凸。粒子捕获板中，通过第一凹凸及第二凹凸来扩大表面积，因此能够确保成膜材料的附着面。并且，通过微小的第二凹凸的锚定效果能够有效地捕获成膜材料。而且，通过凹凸比第二凹凸更大的第一凹凸能够堆积并保持通过第二凹凸捕获的成膜材料(粒子)。因此，能够有效地捕获并保持成膜材料。其结果，能够有效地抑制堆积膜的剥离。通过第I加工形成第一凹凸，通过在第I加工后实施的第2加工形成第二凹凸。如此，通过在第I加工后实施第2加工来形成遍及第一凹凸的整面的第二凹凸。第I加工为滚花加工， 第2加工为气喷加工。通过使用这种加工方法，能够分别良好地形成第一凹凸及第二凹凸。第一凹凸为通过滚花加工形成的十字纹。通过将第一凹凸设为十字纹，能够扩大粒子捕获板中的表面积，其结果第二凹凸的形成面也增加。因此，能够进一步确保成膜材料的捕获面。并且通过设为十字纹能够从多方向捕获成膜材料。第一凹凸的间距为1.6mm，第一凹凸的槽的深度为0.7mm。由此，能够更适宜地保持通过第二凹凸捕获/堆积的粒子，且更适宜地抑制堆积膜的剥离。优选粒子捕获板为铜制板。通过使用铜板，能够良好地进行第一凹凸及第二凹凸的加工。优选粒子捕获板的板厚为3_。如此,通过将板厚设为3mm,能够确保刚性。因此，能够良好地进行附着于粒子捕获板的成膜材料的去除(清洗)操作。另外，本专利技术的粒子捕获板为配置于成膜装置的成膜室内的粒子捕获板，其特征在于，在表面形成有第一凹凸和第二凹凸，该第二凹凸设置于第一凹凸上且比第一凹凸微小。在该粒子捕获板中形成有第一凹凸和比该第一凹凸微小的第二凹凸。由此，表面积通过第一凹凸及第二凹凸而扩大，因此确保成膜材料的附着面。另外，通过微小的第二凹凸的锚定效果，能够有效地捕获成膜材料。而且，通过凹凸比第二凹凸更大的第一凹凸，能够堆积并保持通过第二凹凸捕获的成膜材料(粒子)。因此，能够有效地捕获并保持成膜材料。其结果，能够抑制堆积膜的剥离。另外，在该粒子捕获板中，第一凹凸的间距为1.6mm，第一凹凸的槽的深度成为0.7mm。由此，能够更适宜地保持通过第二凹凸捕获/堆积的粒子，且能够更适宜地抑制堆积膜的剥离。专利技术效果根据本专利技术，能够有效地抑制堆积膜的剥离。附图说明 图1是表示一实施方式所涉及的成膜装置的结构的图。图2是从横向观察图1所示的成膜装置的图。图3是表示粒子捕获板的表面的图。图4是扩大表示图3所示的粒子捕获板的表面的截面图。图5是表示粒子捕获板与冷却板的安装结构的截面图。图中:1-成膜装置，3-真空容器(成膜室)，30-粒子捕获板，30a-表面，30b-背面，32-第I凹凸(第一凹凸)，34-第2凹凸(第二凹凸)，40-冷却板，50-双头螺栓，52-球头螺母。具体实施例方式以下，参考附图，对本专利技术的优选的实施方式进行说明，另外，在附图的说明中对相同或相当的构件附加相同符号并省略重复说明。图1是表示一实施方式所涉及的成膜装置的结构的图。图2是从横向观察图1所示的成膜装置的图。成膜装置I具备:成膜室即真空容器3 ;等离子体枪5，为向真空容器3中供给等离子体束PB的等离子体源；阳极部件7，配置于真空容器3内的底部并被入射等离子体束PB ;传送机构10，配置于真空容器3的上部并使托盘T在阳极部件7的上方移动。在此，等离子体枪5为产生等离子体束PB的压力梯度型的等离子体枪，在等离子体枪5与真空容器3之间配置有将等离子体束PB引导至真空容器3的中间电极12、中间电极14及转向线圈(省略图示)等。并且，阳极部件7包括:具有将来自等离子体枪5的等离子体束PB引导至下方并且收容成膜材料的炉床主体18的炉床16和配置于炉床周围的环状的辅助阳极20。传送机构10具备:多个滚轴24，其在传送路22内向水平方向排列；驱动装置省略图示)，使这些滚轴24以适当的速度旋转来使托盘T以恒定速度移动。传送路22内配置有加热玻璃基板(被成膜件)W的加热器26。该成膜装置I中，在等离子体枪5的阴极(省略图示)与真空容器3内的炉床16之间产生放电，由此生成等离子体束PB。该等离子体束PB被引导向通过转向线圈或辅助阳极20内的永久磁铁等确定的磁场而到达炉床16。容纳于炉床主体18的例如ITO (铟锡氧化物)等成膜材料通过等离子体束PB加热而蒸发。该蒸发的成膜材料(蒸发粒子)通过等离子体束PB被离子化，附着在通过传送机构10以恒定速度移动的托盘T的下表面露出的玻璃基板W的表面，在此形成ITO (铟锡氧化物)等被膜。在具有上述结构的成膜装置I的真空容器3内，成膜材料附着在真空容器3的内侧面(内壁)且粒子(粗大颗粒)堆积。若该粒子堆积一定程度，则有可能堆积的粒子(膜)从真空容器3的内侧面剥离且在真空容器3内飞散并附着于玻璃基板W。由此，产生污染玻璃基板W且品质下降的问题。因此，成膜装置I具备有配置于真空容器3内的粒子捕获板30。粒子捕获板30沿真空容器3的内侧面配置且具有捕获并保持成膜材料的功能。粒子捕获板30例如为铜制板部件，该厚度例如为3_左右。以下，参照图3及图4对粒子捕获板30进行详细说明。图3是表示粒子捕获板的表面的图。图4是放大表示图3所示的粒子捕获板的表面的截面图。 如图3及图4所示，粒子捕获板30的表面30a形成有第I凹凸(第一凹凸)32与第2凹凸(第二凹凸)34。第I凹凸32为通过滚花加工形成的压花纹的十字纹。压花纹(英文名称:Knurling)由 JIS B 0951 规定。第I凹凸32的凸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置，其具备进行成膜处理的成膜室，该成膜处理用于在被成膜件上将成膜材料成膜，其特征在于，具备配置于所述成膜室内的粒子捕获板，在所述粒子捕获板的表面形成有第一凹凸和第二凹凸，该第二凹凸设置于所述第一凹凸上且比所述第一凹凸微小。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：饭尾逸史，铃木敦典，
申请(专利权)人：住友重机械工业株式会社，
类型：发明
国别省市：