成膜装置和成膜方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种成膜装置和成膜方法。本发明专利技术的成膜装置具有两台溅射蒸发源，该溅射蒸发源包括：非平衡磁场形成单元，该非平衡磁场形成单元由配备在内侧的内极磁铁和配备在该内极磁铁的外侧且磁力线密度比内极磁铁大的外极磁铁形成；以及靶，配备在非平衡磁场形成单元的前方，进而，所述成膜装置还具有交流电源，该交流电源通过在两台溅射蒸发源的各靶之间流过极性以10kHz以上的频率切换的交流电流，从而在两靶之间引起放电而进行成膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在基材的表面采用溅射、CVD等进行真空成膜的。
技术介绍
以往，以提高切削工具的耐磨损性或提高机械部件的滑动面的滑动特性为目的，利用物理气相沉积(PVD:Physical Vapor Deposition)法对基材(成膜对象物)进行硬质皮膜(TiN、TiAlN、CrN等)的成膜。作为在这样的硬质皮膜的成膜中使用的装置，有电弧离子镀(arc ion plating)装置或派射(sputtering)装置等成膜装置。可是，在这样的成膜装置中，进行溅射的装置尤其适合作为具有平滑表面的皮膜的形成单元进行使用。但是，在另一方面，在成膜中多有不能满意地向基板进行离子照射的情况，为了发挥良好的生产率，必不可少地要提高电离率以提升成膜速度。这样的提高电离率的单元之一就是采用有意地将磁控派射(magnetron sputter)源的磁场做成非平衡的UBMS (Unbalanced Magnetron Sputter:非平衡磁控灘射)。如日本特开2000-282235 号、日本特开 2000-119843 号所示，UBMS 与 BMS(BalancedMagnetron Sputter:本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置，其包括：真空腔；以及两台溅射蒸发源，配备在所述真空腔内，所述溅射蒸发源包括下述部件：非平衡磁场形成单元，所述非平衡磁场形成单元由配备在内侧的内极磁铁和配备在所述内极磁铁的外侧且磁力线密度比内极磁铁大的外极磁铁形成；以及靶，配备在所述非平衡磁场形成单元的前方，在此，所述成膜装置具有交流电源，所述交流电源在两台所述溅射蒸发源的一方的所述溅射蒸发源的所述靶和另一方的所述溅射蒸发源的所述靶之间，流过极性以10kHz以上的频率切换的交流电流。

【技术特征摘要】
2011.10.28 JP 2011-2373111.一种成膜装置，其包括: 真空腔；以及 两台溅射蒸发源，配备在所述真空腔内， 所述溅射蒸发源包括下述部件: 非平衡磁场形成单元，所述非平衡磁场形成单元由配备在内侧的内极磁铁和配备在所述内极磁铁的外侧且磁力线密度比内极磁铁大的外极磁铁形成；以及靶，配备在所述非平衡磁场形成单元的前方， 在此，所述成膜装置具有交流电源，所述交流电源在两台所述溅射蒸发源的一方的所述溅射蒸发源的所述靶和另一方的所述溅射蒸发源的所述靶之间，流过极性以IOkHZ以上的频率切换的交流电流。2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中， 两台所述溅射蒸发源的、所述内极磁铁彼此互为同极并且所述外极磁铁彼此互为同极。3.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：广田悟史，山本兼司，玉垣浩，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，
类型：发明
国别省市：