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本发明涉及一种成膜装置和成膜方法。本发明的成膜装置具有两台溅射蒸发源，该溅射蒸发源包括：非平衡磁场形成单元，该非平衡磁场形成单元由配备在内侧的内极磁铁和配备在该内极磁铁的外侧且磁力线密度比内极磁铁大的外极磁铁形成；以及靶，配备在非平衡磁场形...
该专利属于株式会社神户制钢所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社神户制钢所授权不得商用。

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