基片处理设备及其腔室装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了基片处理设备及其腔室装置。所述腔室装置包括：腔室本体，其内限定有处理腔室；加热部件，设在所述处理腔室内的顶部；支承台，设在所述处理腔室内用于支撑基片，支承台的上表面与加热部件相对；匀热板，设在处理腔室内且位于石英窗与支承台之间；和透明介质窗，透明介质窗位于加热部件与匀热板之间，透明介质窗的外周沿与腔室本体的内周壁相连以将处理腔室隔成加热部件所处的上部腔室和匀热板所处的用于对基片进行处理的下部腔室。根据本发明专利技术实施例的腔室装置，可以将由加热灯产生的热均匀化后再通过热辐射、热对流等方式传导给基片，因此可以实现对基片的均匀加热。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及基片处理设备及其腔室装置。
技术介绍
在半导体集成电路制造
中，铜互连PVD设备需要经过如下四个工艺步骤:去气、预清洗、Ta(N)沉积、Cu沉积。其中去气步骤是在去气腔室内将基片加热至350°C左右，以去除基片上的水蒸气及其它易挥发杂质。实验表明，去气工艺对基片加热均匀性要求较高，如果均匀性不能保证，将出现某些区域易挥发杂质去除不完全情况，严重的局部温度不均匀可能会造成碎片。此外，出于产率的考虑，希望基片能够尽 快的到达工艺温度，基于此点考虑，这种类型的加热必须使用加热组件。现有的去气腔室的加热方案中一般使用灯泡类型的加热灯对基片进行加热。然而，由于加热灯泡为离散配置，容易导致加热均匀性较差。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决上述技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种具有加热均匀性好的腔室装置。本专利技术的另一个目的在于提出一种具有上述腔室装置的基片处理设备。为了实现上述目的，根据本专利技术的腔室装置，包括:腔室本体，所述腔室本体内限定有处理腔室；加热部件，所述加热部件设在所述处理腔室内的顶部；支承台，所述支承台设在所述处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种腔室装置，其特征在于，包括：腔室本体，所述腔室本体内限定有处理腔室；加热部件，所述加热部件设在所述处理腔室内的顶部；支承台，所述支承台设在所述处理腔室内用于支撑基片，所述支承台的上表面与所述加热部件相对；匀热板，所述匀热板设在所述处理腔室内且位于所述加热部件与所述支承台之间；和透明介质窗，所述透明介质窗位于所述加热部件与匀热板之间，所述透明介质窗的外周沿与所述腔室本体的内周壁相连以将所述处理腔室隔成所述加热部件所处的上部腔室和所述匀热板所处的用于对基片进行处理的下部腔室。

【技术特征摘要】
1.一种腔室装置，其特征在于，包括: 腔室本体，所述腔室本体内限定有处理腔室； 加热部件，所述加热部件设在所述处理腔室内的顶部； 支承台，所述支承台设在所述处理腔室内用于支撑基片，所述支承台的上表面与所述加热部件相对； 匀热板，所述匀热板设在所述处理腔室内且位于所述加热部件与所述支承台之间；和 透明介质窗，所述透明介质窗位于所述加热部件与匀热板之间，所述透明介质窗的外周沿与所述腔室本体的内周壁相连以将所述处理腔室隔成所述加热部件所处的上部腔室和所述匀热板所处的用于对基片进行处理的下部腔室。2.根据权利要求1所述的腔室装置，其特征在于，所述支承台设有用于加热基片的底部加热器。3.根据权利要求1所述的腔室装置，其特征在于，所述匀热板由陶瓷或石墨材料制成且具有预定的黑度。4.根据权利要求1-3中任一项所述的腔室装置，其特征在于，所述透明介质窗为石英窗。5.根据权利要求4所述的腔室装置，其特征在于，所述腔室本体的顶端敞开且由设在所述腔室本体的顶端的反射板封闭。6.根据权利要求1所述的腔室装置，其特征在于，所述加热部件为加热灯。7.根据权利要求6所述的腔室装置，其特征在于，所述加热灯为环形加热灯，所述环形加热灯包括内环加热灯和外环加热灯，所述外环加热灯沿周向围绕所述内环加热灯。8.根据权利要求6所述的腔室装...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵梦欣，王厚工，刘旭，文莉辉，丁培军，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：