发光二极管的制作方法技术

本发明专利技术公开一种发光二极管的制作方法，其包括形成一外延结构于一外延基板的一第一侧之上；形成一反射层于外延结构之上；形成一第一接合层于反射层之上；提供一导电基板；形成一第二接合层于导电基板上，通过第一接合层与第二接合层以接合导电基板于反射层上；由外延基板的一第二侧移除部分外延基板及外延结构，以形成至少一通道；分离外延基板及外延结构；以及形成一隔离沟槽于外延结构，隔离沟槽暴露出反射层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制作方法，特别是涉及一种。
技术介绍
发光二极管是一种由半导体材料制作而成的发光元件，具有耗电量低、元件寿命长、反应速度快等优点，再加上体积小容易制成极小或阵列式元件的特性，因此近年来随着技术不断地进步，其应用范围也由指示灯、背光源甚至扩大到了照明领域。请参照图1所示，其为现有制作发光二极管的流程示意图。首先于一外延基板11形成具有一 n-GaN层121、一多重量子阱层122及一 ρ-GaN层123的外延结构12，接着间隔形成具有镍的一掩模层13及一光致抗蚀剂层14于外延结构12上，具有镍材质的掩模层13可保护外延结构12，避免后续的制作工艺损伤到外延结构12。接续由掩模层13及光致抗蚀剂层14之间，以蚀刻方式去除外延结构12直至暴露外延基板11，形成发光二极管元件的排气通道，且通过排气通道定义出单颗的发光二极管。之后，移除掩模层13及光致抗蚀剂层14，并以蒸镀的方式形成一反射层15及一接合层16于外延结构12上。接续，将导电基板17以接合的方式形成于接合层16，并以激光聚焦于与外延基板11相连接的n-GaN层121,使外延基板11与外延结构12剥离(lift-off)。接下来，分别形成二电极18于相对的两侧，其中一电极18设置于n-GaN层121之上,另一电极18设置于导电基板17之下。最后，再以切割的方式形成多个发光二极管的管芯。在上述中的发光二极管的制作中，由于发光二极管排气通道的设置，所以反射层15的周围暴露于空气中，容易使反射层15因化学药剂及高温制作工艺的影响，使反射层15的边缘有劣化及受损的情形产生，以导致反射率下降。在另一现有制作发光二极管技术中，未在外延结构上设置排气通道，而设置反射层及接合层于完整的外延结构上之后，接着以激光的方式聚焦于与外延基板相连接的n-GaN层，使外延基板与外延结构玻璃剥离，最后再以蚀刻的方式去除部分外延结构、反射层、接合层及导电基板，以定义出单颗的发光二极管。此技术的制作中，反射层可以得到较好的保护，不容易有劣化及受损的现象产生。但是另一方面，在此一现有技术由于未设置排气通道于外延结构中，因此外延结构应力无法得到释放而使得外延结构产生翘曲现象，故当以激光聚焦于外延结构的n-GaN层，以分离外延结构及外延基板时，外延层的应力以及n-GaN解离的气体，易使得外延结构的边缘破裂及受损。因此，如何提供一种，可改善外延结构及反射层劣化受损情况，是业者一直努力的目标。
技术实现思路
有鉴于上述课题，本专利技术的目的在于提供一种，可减少外延结构翘曲及反射层的劣化受损情形，以确保外延结构及反射层的完整性，进而提高整体发光二极管的品质及发光效率。为达上述的目的，本专利技术提供一种包括形成一外延结构于一外延基板的一第一侧之上；形成一反射层于外延结构之上；形成一第一接合层于反射层之上；提供一导电基板；形成一第二接合层于导电基板上，通过第一与第二接合层以接合导电基板于反射层上；由外延基板的一第二侧移除部分外延基板及外延结构，以形成至少一通道；分离外延基板及外延结构；以及形成一隔离沟槽于外延结构，隔离沟槽暴露出反射层。为达上述的目的，本专利技术提供一种包括形成一外延结构于一外延基板的一第一侧之上；形成一反射层于外延结构之上；形成一第一接合层于反射层之上；提供一导电基板；形成一第二接合层于导电基板上，通过第一接合层与第二接合层以接合导电基板于反射层上；同一道激光制作工艺移除部分外延基板及外延结构，以形成至少一通道；分离外延基板及外延结构；以及形成一隔离沟槽于外延结构，隔离沟槽暴露出反射层。在本专利技术的一较佳实施例中，外延结构具有一第一半导体层、一有源层及一第二半导体层。在本专利技术的一较佳实施例中，反射层经过蒸镀以及合金制作工艺，以形成于外延结构之上。在本专利技术的一较佳实施例中，第一接合层以蒸镀方式形成于反射层之上。在本专利技术的一较佳实施例中，第一接合层与第二接合层为复合金属层。在本专利技术的一较佳实施例中，在移除部分外延基板及外延结构的步骤前，还包括减薄外延基板。在本专利技术的一较佳实施例中，以研磨及抛光制作工艺的方式减薄外延基板。在本专利技术的一较佳实施例中，移除部分外延基板及外延结构，以激光照射外延基板及外延结构。在本专利技术的一较佳实施例中，形成隔离沟槽的步骤前，还包括形成一掩模层于外延结构。在本专利技术的一较佳实施例中，形成隔离沟槽的步骤以蚀刻方式进行。在本专利技术的一较佳实施例中，隔离沟槽与通道于相同位置。在本专利技术的一较佳实施例中，以隔离沟槽定义单颗的发光二极管管芯。在本专利技术的一较佳实施例中，制作方法还包括形成一电流散布层于外延结构之上。在本专利技术的一较佳实施例中，制作方法还包括形成一第一电极于外延结构之上；以及形成一第二电极于导电基板。承上所述，本专利技术于接合导电基板及接合层之后，减薄外延基板，并自外延基板的第二侧以激光制作工艺的方式移除部分外延基板及外延结构，以形成通道，由此通道排放解离时所产生的气体，并且因为通道设置于至少部分外延结构中，原本在外延制作工艺后外延结构会存在相当大的应力，而造成外延基板与外延结构的翅曲现象，通过该些通道的设置可以协助改善因外延结构应力的问题而产生的翘曲现象，进而可提高激光聚焦的精准度。另外，本专利技术的制作方法于切割管芯时，才切穿反射层及接合层，据此于制作发光二极管的过程中，能降低反射层与空气接触的面积，有效保护反射层，避免因化学药剂而使反射层产生劣化情形，进而提高发光二极管的品质并延展其寿命。附图说明图1为现有制作发光二极管的流程示意图；图2为本专利技术较佳实施例的一种发光二极管制作方法的流程图；图3为本专利技术的发光二极管制作方法的另一流程图；图4至图11为本专利技术较佳实施例的发光二极管于制作中的示意图；及图12为本专利技术较佳实施例的发光二极管的示意图。主要元件符号说明11,21:外延基板12,22:外延结构121: n-GaN 层122:多重量子阱层123:p-GaN 层13、28:掩模层14:光致抗蚀剂层15、23:反射层16:接合层17>25:导电基板18:电极2:发光二极管211:第一侧212:第二侧221:第一半导体层222:有源层223:第二半导体层24:第一接合层26:第二接合层27:通道29:隔离沟槽30:电流散布层31:第一电极32:第二电极SOl S09、S51、S81、S91 S94:步骤具体实施例方式以下将参照相关附图，说明依本专利技术较佳实施例的一种，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。请参照图2所示，其为依据本专利技术较佳实施例的一种流程图。本实施例的制作方法包括步骤SOl至步骤S09。请同时参照图2、图4及图5所示，其中图4及图5为本专利技术的发光二极管于制作中的示意图。在步骤SOl中，形成一外延结构22于一外延基板21的一第一侧211之上。本实施例的外延基板21以蓝宝石基板(Sapphire)为例。当然外延基板21还可以是碳化硅、氧化铝、氮化镓、玻璃、石英、磷化镓或砷化镓基板等等。形成外延结构22的主要外延方法有液相外延法(Liquid Phase Epitaxy, LPE)、气相外延法(Vapor Phase Epitaxy, VPE)及有机金属气相外延法(Metal-organic ChemicalVapor Deposition, 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的制作方法，包括：形成一外延结构于一外延基板的一第一侧之上；形成一反射层于该外延结构之上；形成一第一接合层于该反射层之上；提供一导电基板；形成一第二接合层于该导电基板上，通过该第一接合层与该第二接合层以接合该导电基板于该反射层上；由该外延基板的一第二侧移除部分该外延基板及该外延结构，以形成至少一通道；分离该外延基板及该外延结构；以及形成一隔离沟槽于该外延结构，该隔离沟槽暴露出该反射层。

【技术特征摘要】
2011.12.09 TW 1001456051.一种发光二极管的制作方法，包括: 形成一外延结构于一外延基板的一第一侧之上； 形成一反射层于该外延结构之上； 形成一第一接合层于该反射层之上； 提供一导电基板； 形成一第二接合层于该导电基板上，通过该第一接合层与该第二接合层以接合该导电基板于该反射层上； 由该外延基板的一第二侧移除部分该外延基板及该外延结构，以形成至少一通道； 分离该外延基板及该外延结构；以及 形成一隔离沟槽于该外延结构，该隔离沟槽暴露出该反射层。2.一种发光二极管的制作方法，包括: 形成一外延结构于一外延基板的一第一侧之上； 形成一反射层于该外延结构之上； 形成一第一接合层于该反射层之上； 提供一导电基板； 形成一第二接合层于该导电基板上，通过该第一接合层与该第二接合层以接合该导电基板于该反射层上； 同一道激光制作工艺移除部分该外延基板及该外延结构，以形成至少一通道； 分离该外延基板及该外延结构；以及 形成一隔离沟槽于该外延结构，该隔离沟槽暴露出该反射层。3.如权利要求1或2所述的制作方法，其中该外延结构具有第一半导体层、有源层及第二半导体层。4.如权利要求1或...

【专利技术属性】
技术研发人员：林忠欣，
申请(专利权)人：奇力光电科技股份有限公司，佛山市奇明光电有限公司，
类型：发明
国别省市：