发光二极管制造方法技术

技术编号:8835620 阅读:159 留言:0更新日期:2013-06-22 21:27
一种发光二极管制造方法,包括以下步骤:提供一基板,于基板上形成一对电极;于该基板上设置一发光芯片,使该发光芯片的两极分别于该对电极电连接;提供一挡板,该挡板上设有一凹槽,将该挡板安放于该基板上,使该发光芯片收容于该凹槽中,该挡板包围于发光芯片周围;于该发光芯片上形成一封装体,该封装体的底部收容于该凹槽中,该封装体的顶部凸出于该挡板的顶面;提供一等离子产生器,将该等离子产生器设置于该挡板的顶面的一侧,该等离子产生器沿平行于该基板的方向向该封装体凸出该挡板的顶部喷射等离子束,该等离子束对该封装体的顶部进行干蚀直至该封装体的顶部形成平面状的出光面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体照明领域,特别是指一种。
技术介绍
作为一种新兴光源,发光二极管凭借其发光效率高、体积小、重量轻、环保等优点而被广泛地应用到当前各个照明领域当中,大有取代传统光源之趋势。发光二极管通常包括基板、设于基板上的发光芯片及封装于该发光芯片上的透明封装体。该封装体用于保护发光芯片及改变发光芯片的光场分布。现有的用于制造该发光二极管的方法中,该封装体是通过在发光芯片上点胶,待胶液固化后形成。然而,这种封装体的形成方法由于受点胶量不稳定及点胶后胶滴的形状无法控制等诸多因素的影响,使得所形成的封装体表面为不规整的凸状结构,进而使所制得的发光二极管的色度图(chromaticity diagram, CIE)分布不一致,影响发光二极管的生产良率。
技术实现思路
因此,实有必要提供一种可提高发光二极管的生产良率的。一种,包括以下步骤: 提供一基板,于该基板上形成至少一对电极; 于该基板上设置至少一发光芯片,使该至少一发光芯片的两极分别于该至少一对电极电连接; 提供一挡板,该挡板上设有至少一凹槽,将该挡板安放于该基板上,使该至少一发光芯片收容于该至少一凹槽中,该挡板包围于每一发光芯片周围; 于该至少一发光芯片上形成一封装体,该封装体的底部收容于该至少一凹槽中,该封装体的顶部凸出于该挡板的顶面; 提供一等离子产生器,将该等离子产生器设置于该挡板的顶面的一侧,该等离子产生器沿平行于该基板的方向向该封装体凸出该挡板的顶部喷射等离子束,该等离子束对该封装体的顶部进行干蚀直至该封装体的顶部形成平面状的出光面。本专利技术中中,该封装体的底部由档板的凹槽限定形状从而与该凹槽的形状相同,该封装体的顶部采用等离子束干蚀的方法进处理,以形成一平整的出光面,从而使所制得的发光二极管的封装体均为统一规整的结构,避免了因封装体的结构不规整而造成的发光二极管的色度图分布不一致,从而极大地提高了发光二极管的生产良率。下面参照附图,结合具体实施例对本专利技术作进一步的描述。附图说明图1为本专利技术一实施例中的的过程图。图2示出了图1中的的第一个步骤。图3示出了图1中的的第二个步骤。图4至图5示出了图1中的的第三个步骤。图6示出了图1中的的第四个步骤。图7至图8示出了图1中的的第五个步骤。图9示出了图1中的的第六个步骤。图10示出了图1中的的第七个步骤。主要元件符号说明本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管制造方法,包括以下步骤:提供一基板,于该基板上形成至少一对电极;于该基板上设置至少一发光芯片,使该至少一发光芯片的两极分别与该至少一对电极电连接;提供一挡板,该挡板上设有至少一凹槽,将该挡板安放于该基板上,使该至少一发光芯片收容于该至少一凹槽中,该挡板包围于该至少一发光芯片周围;于该至少一发光芯片上形成一封装体,该封装体的底部收容于该至少一凹槽中,该封装体的顶部凸出于该挡板的顶面;提供一等离子产生器,将该等离子产生器设置于该挡板的顶面的一侧,该等离子产生器沿平行于该基板的方向向该封装体凸出该挡板的顶部喷射等离子束,该等离子束对该封装体的顶部进行干蚀直至该封装体的顶部形成平面状的出光面。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管制造方法,包括以下步骤: 提供一基板,于该基板上形成至少一对电极; 于该基板上设置至少一发光芯片,使该至少一发光芯片的两极分别与该至少一对电极电连接; 提供一挡板,该挡板上设有至少一凹槽,将该挡板安放于该基板上,使该至少一发光芯片收容于该至少一凹槽中,该挡板包围于该至少一发光芯片周围; 于该至少一发光芯片上形成一封装体,该封装体的底部收容于该至少一凹槽中,该封装体的顶部凸出于该挡板的顶面; 提供一等离子产生器,将该等离子产生器设置于该挡板的顶面的一侧,该等离子产生器沿平行于该基板的方向向该封装体凸出该挡板的顶部喷射等离子束,该等离子束对该封装体的顶部进行干蚀直至该封装体的顶部形成平面状的出光面。2.如权利要求1所述的发光二极管制造方法,其特征在于:还包括一将挡板从该基板上移除的步骤。3.如权利要求1或2所述的发光二极管制造方法,其特征在于:该至少一对...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈立翔陈滨全
申请(专利权)人:展晶科技深圳有限公司荣创能源科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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