含氮芳香族化合物、有机半导体材料及有机电子器件制造技术

本发明专利技术提供新颖的含氮芳香族杂环化合物及使用了该化合物的有机电子器件。该含氮芳香族化合物以通式（1）表示。此外，本发明专利技术涉及使用了该含氮芳香族化合物的发光元件、薄膜晶体管、或光伏元件等有机电子器件。L为m+n价的芳香族烃基或芳香族杂环基、或由三芳基胺或二芳基砜生成的基团，X为N-A、O、S或Se，A为烷基等，R为氢、烷基、芳香族基等，m+n为2～4的整数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及新颖的含氮芳香族化合物及使用了其的有机电子器件，进而涉及利用该化合物作为有机半导体材料的发光元件、薄膜晶体管、光伏元件。
技术介绍
近年来，使用有机化合物作为半导体材料的有机电子元件取得非常显著的发展。作为其代表性的应用例，可列举出被期待作为下一代的平板显示器的有机电致发光元件(以下，有时也记为“有机EL 元件”)、因能够以印刷等低成本工艺制造在显示器的像素驱动用途等中使用的薄膜晶体管或能够对应于柔性的基板而受到注目的有机薄膜晶体管(以下有时也记为“有机TFT”)、轻量且柔性的作为电源的光伏元件(有机薄膜太阳能电池)。一般，就使用无机半导体材料的硅的半导体元件而言，在其薄膜形成中，高温工艺和高真空工艺是必须的。由于需要高温工艺，所以无法将硅在塑料基板上等而形成薄膜，因此对于组装有半导体元件的制品，很难赋予可挠性、或进行轻量化。此外，由于需要高真空工艺，所以组装有半导体元件的制品的大面积化和低成本化很难。有机化合物由于与无机物的硅相比较容易加工，所以通过使用有机化合物作为半导体材料，可期待实现低价格的器件。此外，关于使用了有机化合物的半导体器件，由于能够在低温下制造器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.10.13 JP 2010-230312;2010.12.06 JP 2010-271871.一种含氮芳香族化合物，其以通式(I)表示，2.根据权利要求1所述的含氮芳香族化合物,其中,通式(I)中，η为O。3.根据权利要求1所述的含氮芳香族化合物，其特征在于，通式(I)中，X为Ν-Α。4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，通式...

【专利技术属性】
技术研发人员：泽田雄一，堀田正则，松本惠，
申请(专利权)人：新日铁住金化学株式会社，
类型：
国别省市：