有机场致发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种尽管为低电压但显示高的发光效率且具有高的驱动稳定性的有机EL元件。一种有机场致发光元件，是在基板上层叠阳极、有机层和阴极而成的有机场致发光元件，在该有机层的至少1层中含有(i)下述通式(1)所示的双咔唑化合物和(ii)具有1个以上的碳硼烷环和与该碳硼烷环键合的芳香族基团的碳硼烷化合物。在此，R、R’为氢、芳香族烃基、芳香族杂环基、烷基等，m为1～6的数，X1～X3为N、C－R’或C－。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机场致发光元件
本专利技术涉及有机场致发光元件(以下，称为有机EL元件)，详细而言，涉及具有含有多种化合物的有机层的有机EL元件。
技术介绍
通过对有机EL元件施加电压，分别从阳极将空穴注入到发光层，从阴极将电子注入到发光层。而且，在发光层中，所注入的空穴与电子再结合而生成激子。此时，根据电子自旋的统计规律，以1:3的比例生成单重态激子和三重态激子。使用基于单重态激子的发光的荧光发光型有机EL元件可以说内部量子效率的极限为25％。另一方面，已知使用基于三重态激子的发光的磷光发光型有机EL元件在从单重态激子有效率地进行系间窜越的情况下，内部量子效率提高至100％。另外，近年来，正在开发利用延迟荧光的高效率的有机EL元件。例如在专利文献1中公开了利用作为延迟荧光的机制之一的TTF(Triplet－TripletFusion)机理的有机EL元件，在专利文献2中公开了利用TADF(ThermallyActivatedDelayedFluorescence)机理的有机EL元件。它们均是提高内部量子效率的方法，但与上述磷光发光型元件同样地要求寿命特性的进一步改善。现有技术文献专利文献专利文献1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机场致发光元件，其特征在于，是在基板上层叠阳极、有机层和阴极而成的有机场致发光元件，在该有机层的至少1层中含有(i)下述通式(1)所示的化合物和(ii)下述通式(2)所示的化合物，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.28 JP 2016-0642341.一种有机场致发光元件，其特征在于，是在基板上层叠阳极、有机层和阴极而成的有机场致发光元件，在该有机层的至少1层中含有(i)下述通式(1)所示的化合物和(ii)下述通式(2)所示的化合物，通式(1)中，R各自独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数6～30的芳香族烃基、取代或未取代的碳原子数3～30的咔唑基以外的芳香族杂环基、连结2～6个这些芳香族烃基或芳香族杂环基的芳香族环而构成的取代或未取代的连结芳香族基团、碳原子数1～12的烷基、碳原子数12～44的二芳基氨基、氰基、硝基或氟基，应予说明，烷基可以为直链状、支链状、环状，R’各自独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数6～30的芳香族烃基、取代或未取代的碳原子数3～30的芳香族杂环基、连结2～6个这些芳香族烃基或芳香族杂环基的芳香族环而构成的取代或未取代的连结芳香族基团、碳原子数1～12的烷基、碳原子数12～44的二芳基氨基、氰基、硝基或氟基，应予说明，烷基可以为直链状、支链状、环状，m表示重复数，为1～6的整数，X1～X3独立地表示N、C－R’或C－，通式(2)中，环A表示式(a1)或式(b1)所示的C2B10H10的2价碳硼烷基，在分子内存在多个环A时，可以相同，也可以不同，q为取代数，为1～4的整数，n为重复数，为0～2的整数，L1表示取代或未取代的碳原子数6～30的芳香族烃基、取代或未取代的碳原子数3～30的芳香族杂环基或者连结2～6个这些取代或未取代的芳香族环而构成的连结芳香族基团，L2表示单键、q+1价的取代或未取代的碳原子数6～30的芳香族烃基、取代或未取代的...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川淳也，池永裕士，上田季子，多田匡志，
申请(专利权)人：新日铁住金化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP