多晶硅制造装置以及多晶硅制造方法制造方法及图纸

[课题]一种多晶硅的制造装置以及制造方法，将锌还原法中的反应器的休止时间抑制为最小限度，藉此可使多晶硅的生产效率提高，从而可比较廉价且大量地制造多晶硅，上述锌还原法是以固体状态来将产生的硅回收。[解决手段]通过锌来对四氯化硅进行还原而制造多晶硅的硅制造装置的特征在于：纵型反应器1包括可上下地分离的反应器上侧本体2与反应器下侧本体3，反应器下侧本体3可沿着上下左右方向移动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于一种多晶娃(silicon)制造装置以及多晶娃制造方法。
技术介绍
作为成为半导体用单晶硅的原料的高纯度多晶硅的代表性制造法，可列举西门子法(Siemens Method)。以西门子法制造的多晶娃的纯度极高,但反应速度慢,制造成本中的单位电力使用量(electrical power consumption rate)所占的比例大,而且由于制造设备的运转为批次式运转，因此，制品价格昂贵，上述西门子法并不适合作为需要廉价的销售价格的太阳电池用多晶硅的制造法。近年来，作为可比西门子法更廉价地进行制造的多晶硅制造法，已提出有锌还原法，该锌还原法是利用金属锌来对四氯化硅进行还原，从而制造高纯度多晶硅。在专利文献I中揭示有如下的方法，S卩，每当使高纯度四氯化硅以及高纯度锌分别气化，在900°C 1100°C的气体(gas)环境中进行反应时，将可通电的硅芯或钽芯设置于反应器内部，在芯上促进硅析出，在反应结束之后，将反应器开放，接着将产生的针状及片状(flake shape)娃取出。另外，在专利文献2中揭示有如下的多晶硅的制造装置，该多晶硅的制造装置是使用纵型反应器，将硅氯化物气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大久保秀一，山口雅嗣，
申请(专利权)人：捷恩智株式会社，JX日鉱日石金属株式会社，东邦钛株式会社，
类型：
国别省市：