【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在基本闭环的方法和系统中制备多晶硅
技术介绍
本专利技术的领域涉及在基本闭环的方法中制备多晶硅，特别是包括分解由冶金级硅制备的三氯硅烷的方法。多晶硅是一种用于制备包括例如集成电路和光伏(即太阳能)电池在内的许多商业产品的重要原材料。多晶硅通常通过化学气相沉积机理制备，其中在流化床反应器中将硅由可热分解的硅化合物沉积至硅颗粒上或在西门子型反应器中沉积至硅棒上。晶种颗粒的尺寸持续增大，直至其以多晶硅产物(即“颗粒状”多晶硅)形式排出反应器中。合适的可分解硅化合物包括例如硅烷和卤代硅烷如三氯硅烷。三氯硅烷可通过如下步骤制备:使氯化氢与硅源在下述反应中接触:Si+3HC1 — SiHCl3+H2 (I)或通过使四氯化硅和氢气与硅源在下述反应中接触:Si+3SiCl4+2H2 — 4SiHCl3 (2)氯化氢和四氯化硅是多晶硅的 三氯硅烷基制备方法中较为昂贵的组分。持续需要通过热分解三氯硅烷且相对于常规方法降低氢气和氯气用量的多晶硅制备方法以及就氯化氢而言能在基本闭环的方法中制备多晶硅的方法。还持续需要使用该方法制备多晶硅的系统。专利技术简述本专利技术的一个方面涉及一种制备多晶硅...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·布萨拉普，Y·黄，P·古普塔，
申请(专利权)人：MEMC电子材料有限公司，
类型：
国别省市：
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