沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构技术

本发明专利技术公开了一种可降低制造成本、并可提高反向击穿电压的半导体功率器件，包括半导体基板，其中心区由并联的单胞构成有源区，有源区的外围设置有终端保护区，终端保护区包括至少一个分压环和至少一个截止环，截止环位于分压环的外围；终端保护区内设置有第一沟槽，第一沟槽形成终端保护区的分压环；所述第一沟槽内壁生长有绝缘栅氧化层，沟槽内的两侧分别设置有第一多晶硅场板和第二多晶硅场板，第一多晶硅场板与第二多晶硅场板通过绝缘介质层相隔离；第一沟槽两侧设有第二导电类型层。本发明专利技术还公开了上述半导体功率器件的制造方法。本发明专利技术在降低半导体功率器件制造成本的同时，还大大提高了半导体功率器件的耐压能力和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种沟槽型半导体功率器件和其中的终端保护结构、以及沟槽型半导体功率器件的制造方法。
技术介绍
随着功率MOS器件工艺和设计的不断成熟，国内外功率MOS器件的竞争也越来越激烈，降低器件的成本、提高器件的性能及可靠性也越来越迫切。在不影响器件性能的前提下，减少器件制造工艺中的光刻次数和缩小芯片的尺寸是降低器件成本的两个重要手段。在功率MOS器件的发展过程中，为了降低成本，通常采用专利号为:ZL200710302461.4的中国专利技术专利公开的一种基于四次光刻技术的沟槽型MOS器件制造工艺来量产沟槽型MOS器件。经该工艺制造的沟槽型功率MOS器件的结构为:在沟槽型MOS器件的俯视平面上，包含中心区的有源区和外围的终端保护结构，该终端保护结构由沟槽型的保护环(或称分压环)及一个沟槽型的截止环组成；所述保护环的沟槽位于轻掺杂的第二导电类型层，深度深入第二导电类型层下方的第一导电类型层。从实际仿真结果来看，由于其保护环为单纯的沟槽结构且沟槽深度深入第二导电类型层下方的第一导电类型层，这种结构的器件在反向耐压时，内圈第一个保护环承受了近80%的电压降，此时，在内圈第一个保护环靠近本文档来自技高网...

【技术保护点】
沟槽型半导体功率器件终端保护结构，包括：半导体基板，半导体基板包括：第一导电类型衬底以及设置在第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的表面为第一主面，第一导电类型衬底的表面为第二主面；第一主面上设置有位于中心区域的有源区、以及位于有源区外围的终端保护区，所述的第一主面上覆盖有绝缘介质层，终端保护区内设置有至少一个分压环和位于分压环外围的至少一个截止环；其特征在于：所述的分压环包括：设置在所述终端保护区内的环状的第一沟槽，第一沟槽的内壁生长有绝缘栅氧化层，第一沟槽沿其两侧内壁分别设置有环状的第一多晶硅场板和第二多晶硅场板，第一多晶硅场板与第二多晶硅场板之间设置有绝缘介质层，第...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁磊，侯宏伟，
申请(专利权)人：张家港凯思半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：