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本发明公开了一种可降低制造成本、并可提高反向击穿电压的半导体功率器件，包括半导体基板，其中心区由并联的单胞构成有源区，有源区的外围设置有终端保护区，终端保护区包括至少一个分压环和至少一个截止环，截止环位于分压环的外围；终端保护区内设置有第一...
该专利属于张家港凯思半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过张家港凯思半导体有限公司授权不得商用。

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