碳化硅质陶瓷以及蜂窝构造体制造技术

一种碳化硅质陶瓷，含有碳化硅晶体，碳化硅晶体中含有0.1～25质量%的4H型碳化硅晶体以及50～99.9质量%的6H型碳化硅晶体，优选氮的含量在0.01质量%以下，更优选含有含碳化硅晶体的多个碳化硅粒子和令碳化硅粒子互相结合的硅，硅的含有率为10～40质量%。提供温度变化引起的电阻率的变化量小、可通过通电而发热的碳化硅质陶瓷。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】碳化硅质陶瓷以及蜂窝构造体
本专利技术关于碳化硅质陶瓷以及蜂窝构造体。更详细的，关于温度变化引起的电阻率的变化量小、可通过通电而发热的碳化硅质陶瓷以及以此种碳化硅质陶瓷为材质的蜂窝构造体。
技术介绍
碳化硅是良电导性的化合物半导体，具有良好的耐热性以及化学稳定性。因此，碳化硅被用作高温电炉等所使用的通电发热体。通常，碳化硅在伴随通电发热带来的温度上升时，会显示出“电阻率急剧下降、约400℃时极小而后转为上升”的变化。这被认为是基于碳化硅为半导体。即，由于碳化硅为半导体，可从杂质态激发至传导带的传导电子的数量随着温度上升而增大。于是，由于该变化，在常温至约400℃为止，电阻率会下降。此外，由于约400℃以后晶格的热振动导致传导电子的迁移率下降，因此电阻率显示出稍稍上升的趋势。如此，碳化硅在常温至约400℃为止的范围中，显示出电阻率的温度变化为负特性（伴随温度上升、电阻率下降的性质）。因此，将碳化硅用作发热体、通过通电从常温升温至约400℃的情况下，存在如下问题。即，伴随该温度上升，碳化硅（发热体）的电阻率会下降，由此电流可能会急增。此外，上述“电阻率的温度变化”的变化率（100×电阻率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.29 JP 2010-2195051.一种通电发热碳化硅质陶瓷，其含有碳化硅晶体，所述碳化硅晶体中含有0.1～25质量％的4H型碳化硅晶体以及50～99.9质量％的6H型碳化硅晶体，进一步还含有15R型碳化硅晶体以及大于0且2.9质量％以下的3C型碳化硅晶体，所述碳化硅质陶瓷的20℃时的电阻率R20与最小电阻率RMin的差R20-RMin在80Ω·cm以下，所述碳化硅质陶瓷含有含所述碳化硅晶体的多个碳化硅粒子和令所述碳化硅粒子互相结合的硅，所述硅的含有率为10～40质量％，RMin是令碳化硅质陶瓷的温度变化时，碳化硅质陶瓷的电阻率的值变得最...

【专利技术属性】
技术研发人员：金田淳志，井上崇行，渡边刚，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：
国别省市：