一种低温助烧制备碳化硅多孔陶瓷的方法技术

本发明专利技术属于多孔陶瓷材料的制备领域，具体涉及一种低温助烧制备碳化硅多孔陶瓷的方法。其制备过程可按如下步骤实现：（1）以碳化硅粉为主要原料，以氧化铝和氧化铈为助烧剂，以聚苯乙烯微球为造孔剂，以无水乙醇为球磨介质，将上述原料与碳化硅磨球一起在辊式球磨机中混合均匀，将无水乙醇蒸发后得到混合粉体；将混合好的粉体置于不锈钢模具中干压成型，脱模后得到坯体；（2）将脱模后的坯体置于高温烧结炉中进行烧结，得到碳化硅多孔陶瓷；本发明专利技术可以提高制备过程的效率，节约能源。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于多孔陶瓷材料的制备领域，具体涉及一种低温助烧制备碳化硅多孔陶瓷的方法，具体是指以氧化铝和氧化铈为助烧剂，在低于2000°C条件下制备碳化硅多孔陶瓷的方法。
技术介绍
碳化硅多孔陶瓷具备碳化硅陶瓷材质本身的高强度、耐高温、抗氧化、抗腐蚀、抗热震等优良性能，由于其多孔结构还具备低密度、高气孔率、高渗透性、大比表面积等特点，在熔融金属过滤、高温烟尘过滤、热交换、催化剂载体等诸多方面有广泛应用前景。然而，由于碳化硅为共价键结合的材料，即使在高温条件下，使其完全致密化或使多孔陶瓷的孔壁结构达到致密化也非常困难；目前关于低温制备碳化硅多孔陶瓷的报道多是以较多含量的氧化锆、氧化铝、氧化硅等为高温结合剂，烧成过程为在1200-1400°C的空气气氛下的氧化物结合过程，在此过程中碳化硅本身并不发生烧结，而且碳化硅原料为较粗的砂粒，该方法制备的碳化硅多孔陶瓷只能用于较低温度的金属过滤、中低温结构支撑件等用途；相关工作如CN104030721B，CN100343196C，CN1187291C等；如要制备纯度高，孔径小，强度高，使用温度高的碳化硅多孔陶瓷，仍需本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温助烧制备碳化硅多孔陶瓷的方法，其特征在于：所述的方法包括有坯体的制备和坯体的烧结；其具体工艺步骤为：1）坯体的制备：以碳化硅粉为原料，在所述的碳化硅粉中加入促进碳化硅多孔陶瓷在烧结温度下液相传质的助烧剂，并在所述的碳化硅粉中加入作为造孔剂的聚苯乙烯微球和作为球磨介质的无水乙醇；将加入有无水乙醇、聚苯乙烯微球和助烧剂的碳化硅粉与碳化硅磨球一起在辊式球磨机中混合均匀，将无水乙醇蒸发后得到混合粉体；所述的助烧剂为氧化铝粉和氧化铈粉的混合物；然后将混合好的粉体置于不锈钢模具中干压成型，脱模后得到坯体；2）坯体的烧结：将脱模后的坯体置于高温烧结炉中进行烧结，得到碳化硅多孔陶瓷；烧结过程是在真空或...

【技术特征摘要】
1.一种低温助烧制备碳化硅多孔陶瓷的方法，其特征在于：所述的方法包括有坯体的制备和坯体的烧结；其具体工艺步骤为：
1）坯体的制备：
以碳化硅粉为原料，在所述的碳化硅粉中加入促进碳化硅多孔陶瓷在烧结温度下液相传质的助烧剂，并在所述的碳化硅粉中加入作为造孔剂的聚苯乙烯微球和作为球磨介质的无水乙醇；将加入有无水乙醇、聚苯乙烯微球和助烧剂的碳化硅粉与碳化硅磨球一起在辊式球磨机中混合均匀，将无水乙醇蒸发后得到混合粉体；所述的助烧剂为氧化铝粉和氧化铈粉的混合物；然后将混合好的粉体置于不锈钢模具中干压成型，脱模后得到坯体；
2）坯体的烧结：
将脱模后的坯体置于高温烧结炉中进行烧结，得到碳化硅多孔陶瓷；烧结过程是在真空或Ar气氛保护下进行的，烧结温度为1800～2000°C，保温1～2h。
2.如权利要求1所述的一种低温助烧制备碳化硅多孔陶瓷的方法，其特征在于：所述碳化硅粉的纯度>98%，平均粒径为0.5～3μm。
3.如权利要求1所述的一种低温助烧制备碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁波，王刚，李红霞，于建宾，陈阔，韩建燊，董宾宾，
申请(专利权)人：中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41