化合物半导体及其制备方法以及使用该化合物半导体的热电转换器件技术

技术编号:8759715 阅读:211 留言:0更新日期:2013-06-06 19:49
本发明专利技术公开了一种由下面化学式表示的新型化合物半导体:Bi1-x-yLnxMyCuOTe,其中,Ln属于镧系元素,并且为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素,M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素,以及0

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
具有天然超晶格结构的化合物半导体材料BiCuOTe,其中Cu2Te2层和Bi2O2层沿着c?晶轴交替排列,其中,BiCuOTe中的Bi被Ln和M中的任一种部分地取代,其中,Ln为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素,M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴哲凞孙世姬权元锺金兑训洪承泰
申请(专利权)人:LG化学株式会社
类型:发明
国别省市:

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