一种CuInSe2纳米粒子的形貌与尺寸可控制备方法技术

本发明专利技术公开了一种CuInSe2纳米粒子的形貌与尺寸可控制备方法，涉及CuInSe2纳米粒子。包括以下步骤：将三氯化铟和氯化亚铜溶于油胺溶剂中，加热并搅拌，配制得到三氯化铟、氯化亚铜的油胺溶液；将单质硒粉加入油胺溶液中，搅拌并加热升温，使单质硒粉溶解；将步骤（1）所得到的溶液注射入步骤（2）所得到的溶液中，升温至190~290℃，反应10~240min；反应结束后，将产物清洗、离心收集，即得。本发明专利技术一步就可以选择性地合成出具有不同尺寸和形貌的CuInSe2纳米粒子，成本低，环境友好，易于大规模生产，产物尺寸和形貌可控、重复性好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及CuInSe2纳米粒子,具体涉及ー种CuInSe2纳米粒子的形貌与尺寸可控制备方法。
技术介绍
铜铟硒太阳能电池因具有高吸光常数、高转化效率、低廉造价和丰富的原材料来源被认为是未来最有前途和最有市场竞争力的ー类太阳能电池。在铜铟硒太阳能电池复杂的结构中，硒化铜铟(CuInSe2)薄膜层是电池的核心材料。传统制备CuInSe2薄膜层的方法主要有共蒸发法、溅射法、激光诱导合成法、硒化金属预制层法等，这些方法大多需要昂贵的设备，并且CuInSe2薄膜层的化学成分难以控制，甚至还需使用毒性试剂H2Se。因此，寻求一条安全、环保、经济、高效的エ艺制备CuInSe2薄膜层是实现铜铟硒太阳能电池商业化过程中遇到的难题。首先制备出高纯度的CuInSe2纳米粒子,再将CuInSe2纳米粒子分散到合适的有机溶剂中，形成“墨水”，然后通过大面积的喷涂来制备CuInSe2薄膜层，这是最近被证明解决以上难题的一条行之有效的途径。半导体CuInSe2的能带带隙与CuInSe2纳米粒子的尺寸和形貌有着极为密切的关系。在目前已知的有关CuInSe2纳米粒子的制备中，还没有文献报道仅通过ー种方法就可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CuInSe2纳米粒子的形貌与尺寸可控制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将三氯化铟和氯化亚铜溶于油胺溶剂中，加热并搅拌，配制得到三氯化铟、氯化亚铜的油胺溶液；（2）将单质硒粉加入油胺溶液中，搅拌并加热升温，使单质硒粉溶解；（3）将步骤（1）所得到的溶液注射入步骤（2）所得到的溶液中，升温至190~290℃，反应10?~240?min；（4）反应结束后，将产物清洗、离心收集，即可得到高纯度、具有不同尺寸和形貌的CuInSe2纳米粒子。

【技术特征摘要】
1.一种CuInSe2纳米粒子的形貌与尺寸可控制备方法，其特征在于，包括以下步骤 (1)将三氯化铟和氯化亚铜溶于油胺溶剂中，加热并搅拌，配制得到三氯化铟、氯化亚铜的油胺溶液； (2)将单质硒粉加入油胺溶液中，搅拌并加热升温，使单质硒粉溶解； (3)将步骤(I)所得到的溶液注射入步骤(2)所得到的溶液中，升温至19(T290°C，反应10 24...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈慧玉，徐春菊，刘亚青，赵贵哲，柳学义，
申请(专利权)人：中北大学，
类型：发明
国别省市：