含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末、烧结体及溅射靶、以及上述粉末的制造方法技术

本发明专利技术提供一种在烧结时或加工时不会发生破损的、含有Cu、In、Ga及Se的Cu-In-Ga-Se系粉末、以及使用该粉末的烧结体及溅射靶。本发明专利技术涉及含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末，其中，Cu-In-Ga-Se系化合物和/或Cu-In-Se系化合物共计含有60质量％以上。本发明专利技术的粉末优选含有20质量％以下的In-Se系化合物和/或20质量％以下的Cu-In系化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在形成太阳能电池的光吸收层中适合使用的、含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末、烧结体及溅射靶、以及含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末的制造方法。
技术介绍
在CIGS系薄膜太阳能电池的光吸收层的形成中，一直以来，使用层叠利用溅射形成的Cu-Ga膜以及In膜并对得到的层叠膜在含有Se的气体气氛中进行热处理而形成Cu-In-Ga-Se系化合物膜的方法(例如专利文献I)。但是，这样的成膜方法中，需要Cu-Ga二元系合金和In的各自的成膜用成膜室和溅射靶材，而且为了在Se气氛中进行热处理还需要热处理炉，制造成本高。 因此，为了有效地使Cu-In-Ga-Se系化合物膜成膜，进行了使用Cu-In-Ga-Se系化合物粉末的印刷法、使用Cu-In-Ga-Se系化合物的蒸镀法、及使用Cu-In-Ga-Se系化合物溅射靶材的溅射法的开发。但是，要用通常的粉末烧结法(例如准备Cu、In、Ga及Se的各自的粉末进行烧结的方法)或熔化铸造法来制作Cu-In-Ga-Se系化合物，则在In熔化的同时In与Se剧烈反应，有引起爆炸的危险。为了避免此类危险，例如专利文献2中公开了下述的方法在Se中投本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：得平雅也，南部旭，柏井茂雄，福住正文，
申请(专利权)人：株式会社钢臂功科研，兵库县，
类型：
国别省市：