BaGa2GeSe6化合物、BaGa2GeSe6非线性光学晶体及制法和用途制造技术

本发明专利技术涉及一种BaGa2GeSe6化合物、BaGa2GeSe6非线性光学晶体及制法和用途；该BaGa2GeSe6化合物采用固相反应制备；BaGa2GeSe6非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长；在该BaGa2GeSe6非线性光学晶体的生长中晶体易长大且透明无包裹，具有生长速度较快，生长温度较低，成本低，容易获得较大尺寸晶体等优点；所得BaGa2GeSe6非线性光学晶体具有比较宽的透光波段，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点；该BaGa2GeSe6非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种BaGa2GeSe6化合物、BaGa2GeSe6的非线性光学晶体(BaGa2GeSe6单晶)及该BaGa2GeSe6单晶的制备方法和该BaGa2GeSe6单晶用于制作的非线性光学器件的用途。
技术介绍
具有非线性光学效应的晶体称为非线性光学晶体。这里非线性光学效应是指倍频、和频、差频、参量放大等效应。只有不具有对称中心的晶体才可能有非线性光学效应。利用晶体的非线性光学效应，可以制成二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等 非线性光学器件。激光器产生的激光可通过非线性光学器件进行频率转换，从而获得更多有用波长的激光，使激光器得到更广泛的应用。根据材料应用波段的不同，可以分为紫外光区、可见和近红外光区、以及中红外光区非线性光学材料三大类。可见光区和紫外光区的非线性光学晶体材料已经能满足实际应用的要求；如在二倍频(532nm)晶体中实用的主要有KTP (KTiOPO4)、BBO ( β -BaB2O4)、LBO (LiB3O5)晶体；在三倍频(355nm)晶体中实用的有 ΒΒ0、LBOXBO(CsB3O5)可供选择。而红外波段的非线性晶体发展比较慢；红外光区的材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学式为BaGa2GeSe6的化合物。

【技术特征摘要】
1.一种化学式为BaGa2GeSe6的化合物。2.—种权利要求I所述BaGa2GeSe6化合物的制备方法，其步骤如下 将含Ba物质、含Ga物质、含Ge物质和单质Se按照摩尔比Ba Ga Ge Se =1:2:1: 6的比例配料并混合均匀后，加热至850-950°C进行固相反应，得到化学式为BaGa2GeSe6的化合物；所述含Ba物质为钡单质或硒化钡；所述含Ge物质为锗单质或二硒化锗；所述含Ga物质为镓单质或三硒化二镓。3.按权利要求2所述BaGa2GeSe6化合物的制备方法，其特征在于，所述加热进行固相反应得到化学式为BaGa2GeSe6的化合物的步骤是将上述配料研磨之后装入石英管中，对石英管抽真空至10_3pa并进行熔化封装，放入马弗炉中，以10-50°C /小时的速率升温至850-950°C,恒温48小时,待冷却后取出样品；对取出的样品重新研磨混匀再置于石英管中抽真空至10_3pa并进行熔化封装，再放入马弗炉内升温至850-950°C烧结24小时；将样品取出，并捣碎研磨得粉末状BaGa2GeSe6化合物。4.一种BaGa2GeSe6非线性光学晶体,该BaGa2GeSe6非线性光学晶体不具有对称中心，属三方晶系，空间群为R3，其晶胞参数为a = b = 10.008(1) A, c = 9. 090(2) A, α = β= 90°，γ = 120°，Z = 3, V = 788. 4 P。5.一种权利要求4所述BaGa2GeSe6非线性光学晶体的制备方法，其为高温熔体自发结晶法生长BaGa2GeSe6非线性光学晶体，其步骤为将粉末状BaGa2GeSe6化合物加热至熔化得高温熔液并保持48-96小时后...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚吉勇，尹文龙，冯凯，梅大江，傅佩珍，吴以成，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：