一种铜镉锡硒半导体纳米晶体的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种铜镉锡硒半导体纳米晶体的制备方法，该方法是通过将硒粉溶解在高沸点油性溶剂中形成硒前驱体，然后快速注入到高温的由铜盐、镉盐、锡盐、高沸点烷基胺和高沸点油性溶剂组成的金属前驱体中，反应到预定时间后取出反应混合物注入沉淀剂中使产物沉淀，最终得到高质量的铜镉锡硒半导体纳米晶体。本发明专利技术的优点在于：纳米晶体的制备方法简单，操作过程安全，所用的反应原料成本低廉，制备的纳米晶体形貌均匀、尺寸一致、结晶性好。该发明专利技术制备的纳米晶体可作为热电器件材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体纳米晶体领域，具体涉及。
技术介绍
早在19世纪法国物理学家佩尔捷就发现了热电效应，即将不同材料的导体连接起来，通入电流形成回路后在接触点处不同材料的导体会吸收或放出热量。然而由于金属的热电转换效率通常很低，所以并没有很快地被转化为应用。直到20世纪50年代，一些具有优良热电转换性能的半导体材料被发现，特别是氟利昂制冷剂被禁用以后，热电材料的研究逐渐成为热门课题。热电材料的性能与其自身固有的物理学参数密切相关，决定热电材料性能优劣的是组合参数Ζ=(σ α2)/κ，其中ο，α和κ分别为电导率，泽贝克系数和热导率，若要提高热电材料的性能需使组合参数Z增大。目前人们研究较多的热电材料主要有CoSb3,BaZn2Sb2, Bi2Te3和PbTe等，因其热电性能即Z值还不够高，使得基于这些材料的热电设备很难与传统的制冷或发电设备竞争。因此，若想突破热电器件因性能不足所受到的限制，一方面要对现有的热电材料进行性能改进，另一方面需要开发新的具有更高热电性能的材料取代现有材料。新近发现,通过调节Cu2MSnQ4 (M=Zn, Cd ；Q=S, Se)粉末体材料中Cu和M的比例可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜镉锡硒半导体纳米晶体的制备方法，其特征在于制备步骤如下：1）.金属前驱体的制备：将铜盐、镉盐和锡盐金属盐类反应物，高沸点烷基胺及高沸点油性溶剂装入反应容器中，搅拌至完全溶解；金属前驱体中材料配比为：铜盐与镉盐的摩尔比为3：1到1：1之间；铜盐与锡盐的摩尔比为3：1到1：1之间；金属盐类与烷基胺的摩尔比为1：2到1：15之间；制备的金属前驱体中金属盐类总浓度为0.05mol/L到0.1mol/L之间；2）.硒前驱体的制备：将硒粉和高沸点油性溶剂加入另一个反应容器中，在惰性气氛中加热至180?220℃使硒粉完全溶解；或者将硒粉、三辛基膦和高沸点油性溶剂加入可密封容器中，在惰性气氛中密封，然后...

【技术特征摘要】
1.一种铜镉锡硒半导体纳米晶体的制备方法，其特征在于制备步骤如下: 1).金属前驱体的制备:将铜盐、镉盐和锡盐金属盐类反应物，高沸点烷基胺及高沸点油性溶剂装入反应容器中，搅拌至完全溶解； 金属前驱体中材料配比为: 铜盐与镉盐的摩尔比为3:1到1:1之间； 铜盐与锡盐的摩尔比为3:1到1:1之间； 金属盐类与烷基胺的摩尔比为1:2到1:15之间； 制备的金属前驱体中金属盐类总浓度为0.05mol/L到0.lmol/L之间； 2).硒前驱体的制备: 将硒粉和高沸点油性溶剂加入另一个反应容器中，在惰性气氛中加热至180-220°C使硒粉完全溶解； 或者将硒粉、三辛基膦和高沸点油性溶剂加入可密封容器中，在惰性气氛中密封，然后超声使硒粉完全溶解；其中，三辛基膦与硒粉摩尔比为1.25:1到2:1之间； 硒前驱体中硒的浓度为0.lmol/L到0.5mol/L之间； 3).将制备好的金属前驱体在惰性气氛中加热至260-300°C，把硒前驱体快速注入其中，反应0.5-60分钟，取出反...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏调兴，陈鑫，刘玉峰，董文静，黄婵燕，张云，孙艳，戴宁，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：