【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电器件测量，特别是一种低温应变样品和光电特性测量装置及测量制备方法。
技术介绍
1、由于目前高度集成的电子电路，开发更小尺寸的半导体器件的需求不断增长。近年来，基于低维材料的功能性器件相继被演示，其极小的物理尺寸满足未来高度集成电子电路的需求，因此低维材料的应变工程成为研究重点之一。应变工程，通过引入机械应变来调控低维材料的光电特性，并实现基于低维材料的高性能器件。基于应变工程的手段结合低维光电器件，使得基于低维材料的柔性光电子器件的研究迅速发展；并且借助这一有效的调控手段，基于低维材料使得人们可以探索以往不同于体材料的新奇物理效应。
2、目前，传统的应变工程局限于在室温下对样品施加机械应变，并进行原位的光电特性测量。然而，基于低维材料的许多新奇物理效应由于温度效应被屏蔽，这使得人们难以清晰地观测应变对这些新奇的物理效应的调控效果。此外，在低温施加应变的同时，对样品光电特性进行原位表征，也是目前该领域所渴求的。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种低温...
【技术保护点】
1.一种低温应变样品光电特性测量装置，其特征在于，包含低温容器单元、样品单元和测量单元；
2.如权利要求1所述的低温应变样品光电特性测量装置，其特征在于，所述低温容器单元包含低温杜瓦容器和冷台；
3.如权利要求1所述的低温应变样品光电特性测量装置，其特征在于，所述样品单元包含样品座、移动卡盘和调节器；
4.如权利要求1所述的低温应变样品光电特性测量装置，其特征在于，所述测量单元包含光测量通道和电测量通道；所述光测量通道是开口于所述低温容器单元上，位于所述样品单元上方的透光窗口；所述电测量通道位于所述低温容器单元内，连接到所述样品单元
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【技术特征摘要】
1.一种低温应变样品光电特性测量装置，其特征在于，包含低温容器单元、样品单元和测量单元；
2.如权利要求1所述的低温应变样品光电特性测量装置，其特征在于，所述低温容器单元包含低温杜瓦容器和冷台；
3.如权利要求1所述的低温应变样品光电特性测量装置，其特征在于，所述样品单元包含样品座、移动卡盘和调节器；
4.如权利要求1所述的低温应变样品光电特性测量装置，其特征在于，所述测量单元包含光测量通道和电测量通道；所述光测量通道是开口于所述低温容器单元上，位于所述样品单元上方的透光窗口；所述电测量通道位于所述低温容器单元内，连接到所述样品单元。
5.如权利要求4所述的低温应变样品光电特性测量装置，其特征在于，所述透光窗口由透明石英玻璃构...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙聊新，葛安萍，陆卫，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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