一种制备含碲、硒或硫半导体纳米晶的新方法技术

本发明专利技术特别涉及一种使用一类具有类似结构的、稳定的含膦有机化合物（如二辛基氧化膦等）作为碲粉、硒粉或硫粉的新型溶剂，并使用这种新型的碲、硒或硫溶液作为前驱体制备各种含碲、硒或硫纳米晶的方法，本方法避免了目前国际上的普遍使用三丁基膦（tributylphosphine,?TBP）或三辛基膦（trioctylphosphine,?TOP）溶解碲、硒或硫生成碲、硒或硫的前驱体来制备含碲、硒或硫纳米晶所带来的高成本，高危险性。合成方法操作安全，易操作，重复性好，使用的都是常规的稳定的低毒害的药品。合成的含碲、硒或硫纳米晶质量达到甚至超过使用TOP/TBP等易燃易爆化合物合成的含碲、硒或硫纳米晶质量。其在实验室以及工业生产方面都有很高的应用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种制备含碲、砸或硫半导体纳米晶的新方法
本专利技术属于半导体纳米晶合成
，特别涉及一种含碲和含硒半导体纳米晶的合成新方法。
技术介绍
半导体纳米粒子，尤其是含碲、硒或硫半导体纳米粒子是近年来的研究热点。半导体纳米晶也称半导体量子点，由于其具有独特的量子尺寸效应、介电限域效应、表面效应等，使其在光电装置、太阳能电池、激光生物标记等方面具有广阔的应用前景。尤其是作为生物标记和太阳能电池领域的应用得到广大科学工作者的关注，对其合成方法的研究也不断深入。2000年，Peng等发现了一种比较廉价的、无机的、毒性相对比较弱的方法合成纳米晶，即用氧化镉(CdO)代替甲基镉(Cd (CH3)2)合成CdTe和CdSe等纳米晶，该方法使得合成纳米晶的成本进一步降低；随后人们采用类似的方法制备了各种含碲、硒或硫纳米晶。然而Peng等和其他的小组在合成締、硒或硫的前驱体时一直使用三丁基膦 (tributylphosphine, TBP)或三辛基膦(trioctylphosphine, TOP)溶解締、硒或硫作为碲、硒或硫的前驱体，这种方法因为三丁基膦或三辛基膦都是有毒易燃易爆并且比较昂贵的药品而存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用具有特定结构的含膦有机化合物作为碲粉、硒粉、硫粉的溶剂，低成本合成高质量含碲、含硒、含硫半导体纳米晶的方法；其特征在于，步骤如下：将碲粉、硒粉或硫粉溶解到具有特定结构的含膦有机化合物中制备碲粉、硒粉或硫粉前驱体。将这种新型的碲、硒或硫前驱体和各种盐按照一定比例混合反应制备各种含碲、硒或硫纳米晶。反应液反应1s?3h，冷却、沉淀即得所述含碲、硒或硫半导体纳米晶；上述过程都在氮气等惰性气氛下进行。

【技术特征摘要】
1.ー种使用具有特定结构的含膦有机化合物作为碲粉、硒粉、硫粉的溶剂，低成本合成高质量含碲、含硒、含硫半导体纳米晶的方法；其特征在于，步骤如下将碲粉、硒粉或硫粉溶解到具有特定结构的含膦有机化合物中制备碲粉、硒粉或硫粉前驱体。将这种新型的碲、硒或硫前驱体和各种盐按照一定比例混合反应制备各种含碲、硒或硫纳米晶。反应液反应ls-3h，冷却、沉淀即得所述含碲、硒或硫半导体纳米晶；上述过程都在氮气等惰性气氛下进行。2.如权利要求I所述的含碲、硒或硫半导体纳米晶的合成方法，其特征在于，步骤I)中所述特定结构的含膦有机化合物指膦上连接-H基团的化合物。如ニ正辛基氧化勝(di-n-octylphosphine oxide, DOPO)> ニ 正辛基次勝酸(di-n-octylphosphinicacid, DOPA)> 单正辛基次勝酸(mono-n-octylphosphinic acid, ΜΟΡΑ)、正辛基勝酸I,n-octylphosphonic acid, OPA)等。3.如权利要求I所述的含碲、硒或硫半导体纳米晶的合成方法，其特征在于，步骤I)中所述前驱体的浓度为O. 005-0. 4mol/L。4.如权利要求I所述的含碲、硒或硫半...

【专利技术属性】
技术研发人员：李林松，申怀彬，姜新东，王素娟，
申请(专利权)人：河南大学，
类型：发明
国别省市：