【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种核壳型有机硫化镉半导体纳米线异质结及硫化镉纳米管阵列的制备方法，以高密度有机纳米线阵列为模板，通过原子层沉积（ALD）首先在纳米线表面修饰一层Al2O3过渡层，再在此过渡层上沉积CdS壳层，形成表面光滑的有机或无机纳米线异质结阵列，然后再通过一定温度下将核壳结构中有机纳米线蒸发，还可以方便得到中空CdS纳米管阵列。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：揭建胜，吴艺明，张希威，张玉萍，张晓珍，卞良，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：
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