一种CuGaX2（X=S, Se, Te）系列化合物的低温合成方法技术

本发明专利技术公开了一种CuGaX2（X=S,Se,Te）系列化合物的低温合成方法，包括以下步骤：量取适量有机溶剂液体,倒入三口烧瓶内，有机溶剂体积为烧瓶容量的30-35%，视烧瓶容量大小而定；按化学计量比称量原料CuCl，GaCl3，单质X粉末，加入到有机溶剂溶液中，并充分搅拌；加热同时搅拌，并保温足够时间；用去离子水洗涤，过滤，烘干即得到CuGaX2（X=S,Se,Te）系列化合物。该方法有效地降低了CuGaX2（X=S,Se,Te）系列化合物的合成温度以及合成成本，为CuGaX2（X=S,Se,Te）系列热电材料的合成提供了一种新的方法，该方法简单迅速，节约能耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及一种低温合成方法，尤其涉及一种CuGaX2 (X=S, Se, Te)系列化合物的低温合成方法。
技术介绍
CuGaX2 (X=S, Se, Te)是一种具有黄铜矿型结构的窄带系半导体，对称空间群为I l2d。一直以来，由于良好的光学特性，CuGaTe2都是作为光电领域和太阳能电池领域的候选材料被广泛研究[HANS JOACHIM MOLLER. Semiconductors for Solar Cells [Μ].Artech House Press, 1993. ；B. J. Stanberry, Crit. Rev. Solid State 27 (2002)73.],但是近期 Theerayuth Plirdpring[Advanced Materials, Volume 24, Issue 27,pages 3622 - 3626，July 17，2012]等人研究发现，CuGaTe2具有优异的热电性能，其热电优值ZT在677°C时高达1. 4.但是该材料的传统合成方法温度较高，约700-900°C，时间较长，约7-10天。专利技术内容本专利技术目的就是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CuGaX2（X=S,?Se,?Te）系列化合物的低温合成方法，其特征在于包括以下步骤：（1）首先选取沸点较高的有机溶剂油胺或硅油；（2）量取适量有机溶剂液体,倒入三口烧瓶内，有机溶剂体积为烧瓶容量的30?35%，视烧瓶容量大小而定；（3）按CuGaX2化学计量比称量原料CuCl，GaCl3，单质X（X=S,?Se,或Te）粉末，加入到步骤（2）的有机溶剂溶液中，并充分搅拌；（4）对步骤（3）溶液加热同时搅拌，以2?4℃/分的升温速率加热到一定温度，并保温足够时间；（对应X=S,?Se,?Te，加热温度分别为140?160℃，240?260℃，290?310℃，保温时间分别为0.8?1.2...

【技术特征摘要】
1. 一种CuGaX2 (X=S, Se, Te)系列化合物的低温合成方法，其特征在于包括以下步骤 (O首先选取沸点较高的有机溶剂油胺或硅油； (2)量取适量有机溶剂液体，倒入三口烧瓶内，有机溶剂体积为烧瓶容量的30-35%，视烧瓶容量大小而定； (3)按CuGaX2化学计量比称量原料CuCl,GaCl3，单质X(X=S, Se,或Te)粉末，加入到步骤(2)的有机溶剂溶液中，并充分搅拌； ...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建，秦晓英，辛红星，宋春军，郭广磊，李地，王兆明，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
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