发光二极管封装制造技术

技术编号:8701643 阅读:180 留言:0更新日期:2013-05-15 12:18
本发明专利技术揭露一种发光二极管封装。该发光二极管封装包括一第一导线及自该第一导线的侧向延伸的一绝缘层,而一第二导线设置于该绝缘层上并延伸于该绝缘层的上表面及下表面上,其中该第二导线与该第一导线电性分离。一发光二极管则设置第一导线上,该发光二极管的一第一电极与该第一导线电性连接,且该发光二极管的一第二电极与该第二导线电性连接。一封胶层封装该发光二极管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种发光二极管封装及其制作方法,尤指一种将发光二极管设置于基板的凹槽内的发光二极管封装及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(light emitting diode, LED)元件,由于具有寿命长、体积小与耗电量低等优点,已逐渐取代传统荧光灯管或钨丝灯泡,而广泛地应用在照明、液晶显示器的背光模块、各式电子产品与交通号志等方面。以封装型式而言,目前发光二极管的封装结构主要以表面黏着型(surfacemountdevice, SMD)发光二极管封装结构为主流。然而,由于现有的表面黏着型发光二极管封装结构所使用的基板为平面基板,而发光二极管是设置于平面基板的平坦表面,因此导致现有的发光二极管封装的厚度较厚,而不符合目前对于电子元件轻、薄、短、小的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种发光二极管封装及其制作方法,以缩减发光二极管封装的整体厚度。本专利技术的一方面提供一种一种,包括下列步骤。提供一基板,该基板包括一绝缘基材及设置于该绝缘基材上的一上导电层及一下导电层,该基板上包括有多个元件区。图案化各该元件区中的该上导电层及该下导电层,以形成电性分离的一第一导线区及一第二导线区,并于各该第一导线区的该上导电层内分别形成一开口,其中这些开口部分暴露出该绝缘基材。去除位于各该第一导线区中暴露的该绝缘基材而形成一凹槽。电性连接该各该第一导线区的该图案化上导电层及该图案化下导电层以形成一第一导线。电性连接该各该第二导线区的该图案化上导电层及该图案化下导电层以形成一第二导线。将多个发光二极管分别设置于各该凹槽内,并使各该发光二极管的一第一电极与各该第一导线电性连接,以及使各该发光二极管的一第二电极与各该第二导线电性连接。在该基板上形成一封胶层封装这些发光二极管。切割该基板,而形成多个发光二极管封装。依据上述,在一实施例中,其中各该凹槽暴露出各该第一导线区中的部分该下导电层。依据上述,在另一实施例中,其中形成该第一导线的步骤包括在各该凹槽中形成一上导电图案,该上导电图案电性连接该各该第一导线区的该图案化上导电层及该图案化下导电层。依据上述,在另一实施例中,其中该上导电图案位于各该发光二极管与该下导电层之间。依据上述,在另一实施例中,其中该上导电图案与该凹槽是以共形方式形成。依据上述,在另一实施例中,其中形成该第二导线的步骤包括去除位于各该第二导线区中暴露的该绝缘基材而形成一通孔并暴露出各该第二导线区中的部分该上导电层,以及在各该通孔中形成一下导电图案,该下导电图案电性连接该各该第二导线区的该图案化上导电层及该图案化下导电层。依据上述,在另一实施例中,其中这些通孔是利用激光钻孔方式形成。依据上述,在另一实施例中,其中各该通孔是分别位于各该第二导线区的一边缘的一中央区。依据上述,在另一实施例中,其中图案化各该元件区中的该上导电层及该下导电层的步骤是利用蚀刻方式进行。依据上述,在另一实施例中,其中这些凹槽是利用激光钻孔方式形成。依据上述,在另一实施例中,还包括于位于各该第二导线区的该上导电层的表面形成一识别标记。依据上述,在另一实施例中,还包括于位于各该第二导线区的该上导电层的表面形成一识别标记,其中该识别标记位于该通孔的上方。依据上述,在另一实施例中,还包括于各该元件区中形成一下防焊绝缘层,部分覆盖该第一导线的一下表面。依据上述,在另一实施例中,还包括进行下列步骤。去除各该元件区的四个角落区的该下导电层、该绝缘基材与该上导电层,以于各该元件区的四个角落区分别形成一通孔。于各该元件区的四个角落区的该上导电层上分别形成一上防焊绝缘层,并使各该上防焊绝缘层覆盖相对应的该通孔。于各该通孔的一侧壁上形成一导电图案,分别电性连接对应于各该通孔旁的该上导电层与该下导电层,以于各该第一导线区形成一第一导线,以及于各该第二导线区形成一第二导线。依据上述,在另一实施例中,其中各该导电图案另覆盖各该凹槽的侧壁以及各该凹槽所暴露出的该下导电层。依据上述,在另一实施例中,其中这些导电图案与这些凹槽是以共形方式形成。依据上述,在另一实施例中,其中这些通孔是利用机械钻孔方式形成。依据上述,在另一实施例中,其中该导电图案是利用电镀方式形成。依据上述,在另一实施例中,其中该第一电极与该第二电极位于该发光二极管的同一侧,该第一电极与该第二电极分别通过焊线与该第一导线以及该第二导线电性连接。依据上述,在另一实施例中,其中该第一电极与该第二电极位于该发光二极管的不同一侧,该第一电极直接与该凹槽内的该第一导线电性连接,该第二电极通过一焊线与该第二导线电性连接。本专利技术另一方面提供一种发光二极管封装,包括一第一导线,一绝缘层自该第一导线的一侧向延伸。一第二导线设置于该绝缘层上,并且延伸于该绝缘层的一上表面及一下表面上,其中该第二导线与该第一导线之间电性分离。一发光二极管设置该第一导线上,其中该发光二极管的一第一电极与该第一导线电性连接,且其一第二电极与该第二导线电性连接。一封胶层封装该发光二极管。依据上述,在一实施例中,其中该第一导线的一侧面夹置部分该绝缘层。依据上述,在另一实施例中,其中该第一导线上形成有一凹槽,且该发光二极管是设置于该凹槽内。依据上述,在另一实施例中,其中该第一导线包含一上导电图案与一下导电层,该上导电图案形成该凹槽并与该下导电层电性连接。依据上述,在另一实施例中,还包括至少一识别标记,设置于位于该第二导线上。依据上述,在另一实施例中,还包括一防焊绝缘层,设置于该绝缘层的该下表面并覆盖部分该第一导线的一下表面。依据上述,在另一实施例中,其中该第一电极与该第二电极位于该发光二极管的同一侧,该第一电极与该第二电极分别通过焊线与该第一导线以及该第二导线电性连接。依据上述,在另一实施例中,其中该第一电极与该第二电极位于该发光二极管的不同一侧,该第一电极直接与该凹槽内的该第一导线电性连接,该第二电极通过一焊线与该第二导线电性连接。依据上述,在另一实施例中,其中该凹槽为一封闭型凹槽。本专利技术又一方面提供一种发光二极管封装。该发光二极管封装包括一绝缘基材、一第一导线、一第二导线、多个上防焊绝缘层、一发光二极管与一封胶层。绝缘基材具有一凹槽,以及多个通孔分别位于绝缘基材的角落区。第一导线部分覆盖绝缘基材的一上表面与一下表面以及覆盖部分通孔的侧壁。第二导线部分覆盖绝缘基材的上表面与下表面以及覆盖部分通孔的侧壁,且第一导线与第二导线电性分离。上防焊绝缘层分别部分覆盖第一导线的一上表面并对应部分通孔,以及覆盖第二导线的一上表面并对应部分通孔。发光二极管设置于凹槽内,发光二极管的一第一电极与第一导线电性连接,且发光二极管的一第二电极与第二导线电性连接。封胶层封装发光二极管。依据上述,在一实施例中,其中该第一导线另覆盖该凹槽的侧壁。依据上述,在另一实施例中,另包括一下防焊绝缘层,部分覆盖该第一导线的一下表面。依据上述,在另一实施例中,其中该第一电极与该第二电极位于该发光二极管的同一侧,该第一电极与该第二电极分别通过焊线与该第一导线与该第二导线电性连接。依据上述,在另一实施例中,其中该第一电极与该第二电极位于该发光二极管的不同一侧,该第一电极直接与该凹槽内的该第一导线电性连接,该第二电极通过一焊线与该第二导线电性连接。本专利技术再一方面提供一种,包括下列本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装,包括:一第一导线,该第一导线包含一上导电图案与一下导电层;一绝缘层,自该第一导线的一侧向延伸;一第二导线,设置于该绝缘层上并延伸于该绝缘层的一上表面及一下表面上,其中该第二导线与该第一导线电性分离;一发光二极管,设置在该第一导线上,该发光二极管的一第一电极与该第一导线电性连接,且该发光二极管的一第二电极与该第二导线电性连接;以及一封胶层,封装该发光二极管;其中,该上导电图案形成一凹槽并与该下导电层电性连接,该凹槽下不包含该绝缘层,且该发光二极管设置于该凹槽内。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:倪君耀蔡志嘉邹文杰
申请(专利权)人:亿光电子工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:台湾;71

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