LDNMOS结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种LDNMOS结构及其制造方法，通过在现有LDNMOS结构的N-漂移区刻蚀出沟槽，并外延生成SiC用以提高击穿电压，可使得N-漂移区的长度缩小，达到缩小LDNMOS尺寸，提高击穿电压的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件及其制造领域，尤其涉及一种LDNMOS (横向扩散N型金属氧化物半导体晶体管)结构及其制造方法。
技术介绍
横向扩散N型金属氧化物半导体晶体管(Laterally Diffused N type MetalOxide semiconductor,LDNMOS)在集成电路设计与制造中有着重要地位。例如高压横向扩散N型金属氧化物半导体晶体管(HV LDNMOS)便被广泛使用在薄膜晶体管液晶显示屏的驱动芯片中。现有的LDNMOS结构如图1所示，LDNMOS包括P型单晶Si基底I以及在基底I上形成的栅氧化层2和多晶硅栅极3。在P型单晶Si基底中具有包括形成了源区5的P阱4，P阱4可通过诸如硼的任何P型元素的离子注入或扩散来形成，源区5通过诸如砷的任何N型元素的离子注入或扩散来形成。在P型单晶Si基底I中还具有包括形成了漏区7的N-漂移区6，N-漂移区6是通过类似砷元素轻度掺杂扩散形成的，漏区7是通过类似的砷注入形成的，N-漂移区6还包括在多晶硅栅极3与漏区7之间设置的STI8。多晶硅栅极3对应的设置在N-漂移区6和P阱4上方。当预制的栅极电压施加在多晶硅栅极3上时，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LDNMOS结构，包括P型单晶Si基底以及在P型基底上依次形成的栅氧化层及多晶硅栅极；所述P型基底包括P阱和N?漂移区，所述P阱中设置有源区，所述N?漂移区中设置有漏区；在所述N?漂移区中、漏区与多晶硅栅极之间设置有STI，其特征在于，所述N?漂移区的部分或全部由N?掺杂的SiC区构成。

【技术特征摘要】
1.一种LDNMOS结构，包括P型单晶Si基底以及在P型基底上依次形成的栅氧化层及多晶硅栅极；所述P型基底包括P阱和N-漂移区，所述P阱中设置有源区，所述N-漂移区中设置有漏区；在所述N-漂移区中、漏区与多晶硅栅极之间设置有STI，其特征在于，所述N-漂移区的部分或全部由N-掺杂的SiC区构成。2.根据权利要求1所述的LDNMOS结构，其特征在于，所述N-掺杂的SiC区为圆弧型、梯形或矩形。3.根据权利要求1或2所述的LDNMOS结构，其特征在于，所述SiC中C原子的浓度为10%至 20%。4.一种LDNMOS的制造方法，包括: 提供单晶Si基片； 掺杂单晶Si基片形成P型单晶Si基底； 在P型单晶Si基底上沉积一层氮化物； 在...

【专利技术属性】
技术研发人员：凌龙，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：