【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及绝缘栅场效应管领域，尤其涉及一种绝缘栅场效应管的新结构
技术介绍
目前，绝缘栅型场效应晶体管经常用于各类电子电路中，绝缘栅场效应管的种类较多，有PM0S、NM0S和VMOS功率管等。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，称作MOS管。但是此类通用的绝缘栅场效应管内有两个PN结(两种导电类型交界的一小块区域，一般称为PN结)，其中一个PN结在绝缘栅型场效应管工作时不起作用，造成了材料以及加工工艺的浪费，增加了成本，因此专利技术一种加工简单，成本便宜的绝缘栅场效应管是本领域技术人员急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供制造简单，降低成本的一种绝缘栅场效应管，为了解决此技术问题，本专利技术采用以 下技术方案: 一种绝缘栅场效应管，包括第一导电类型P区(3)和第一导电类型相反的第二导电类型N区(4)，其特征在于:还包括绝缘层(2)和栅极(1)，所述P区(3)与所述N区(4)彼此相邻，所述绝缘层(2)覆盖在所述P区(3)和N区(4)上方，所述栅极(I)设置在所述绝缘层(2)上方。优选的，所述栅极(I)位于所述P区(3 )上方或所述N区(4 )上方或所述P区(3 )和N区(4)结合部上方。本专利技术由于只存在一个PN结就可以实现绝缘栅场效应管的相应功能，从而制造简单，降低了成本。附图说明图1栅极位于P区上方 图2栅极位于N区上方 图3栅极位于结合部上方具体实施例方式以下结合附图1，2，3进一步说明本专利技术的实施例。见图1，图2，图3，本专利技术涉及的一种绝缘栅场效应管，包括第一导电类型的P区...
【技术保护点】
一种绝缘栅场效应管，包括第一导电类型P区（3）和第一导电类型相反的第二导电类型N区（4），其特征在于：还包括绝缘层（2）和栅极（1），所述P区（3）与所述N区（4）彼此相邻，所述绝缘层（2）覆盖在所述P区（3）和N区（4）上方，所述栅极（1）设置在所述绝缘层（2）上方。
【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅场效应管，包括第一导电类型P区(3)和第一导电类型相反的第二导电类型N区(4)，其特征在于:还包括绝缘层(2)和栅极(1)，所述P区(3)与所述N区(4)彼此相邻，所述绝缘层(2)覆盖在所述P区(3...
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