本发明专利技术在此揭露一种阵列基板及其制造方法。此制造方法包括下列步骤。提供一基材。在基材上形成源极以及漏极。依序形成半导体层、有机绝缘层以与栅极层来覆盖基材、源极及漏极。在栅极层上形成图案化光阻层。移除暴露出的栅极层及其下方的有机绝缘层与半导体层，以形成栅极。在栅极、源极及漏极上形成有机保护层，其中有机保护层具有接触窗以露出部分的漏极。在有机保护层以及露出部分的漏极上形成像素电极。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种，特别是一种应用于显示器的。
技术介绍
显示器中的阵列基板主要包含有薄膜晶体管以及其它电子组件。一般是使用5道以上光罩制程来制造阵列基板。其中薄膜晶体管结构中的半导体层大多为非晶硅。绝缘层多为无机氧化物，例如氧化硅或氮化硅。然而，由于一般需使用化学气相沉积法来制造半导体层及绝缘层，故制程温度较高。因此必须选用耐高温的材料。故基板多为耐热的玻璃材质，使得阵列基板不具有可挠性。但由于目前对于显示器轻、薄与可挠折的需求，使得软性显示器的开发越来越重要。然而制造软性显示器的阵列基板也需要使用5-6道光罩制程。因此，需要一种可以减少制程所需光罩及制程步骤的制造方法以降低制程成本与击是倉泛。
技术实现思路
本专利技术的一方面是在提供一种，能以4道光罩制程来制作阵列基板。在本专利技术一或多个实施方式中，制造方法包括下列步骤。提供一基材。在基材上形成源极以及漏极。依序形成半导体层、有机绝缘层以与栅极层来覆盖基材、源极及漏极。在栅极层上形成图案化光阻层。移除暴露出的栅极层及其下方的有机绝缘层与半导体层，以形成栅极。在栅极、源极及漏极上形成有机保护层，其中有机保护层具有接触窗以露出部分的漏极。在有机保护层以及露出部分的漏极上形成像素电极。在本专利技术一或多个实施方式中，制造方法包括下列步骤。在基材上形成源极以及漏极。形成半导体层覆盖基材、源极及漏极。在半导体层上形成图案化有机绝缘层，以定义半导体层的通道层。在图案化有机绝缘层以及半导体层上形成栅极层。在栅极层上形成图案化光阻层，其中图案化光阻层位于图案化有机绝缘层的上方。移除露出的栅极层及其下方的半导体层，以形成栅极及通道层。在栅极、源极及漏极上形成有机保护层，其中有机保护层具有接触窗以露出一部分的漏极。在有机保护层以及露出部分的漏极上形成像素电极。本专利技术的另一方面是在提供一种阵列基板，包含基材、源极与漏极、作为通道层的半导体层、作为栅绝缘层的有机绝缘层、栅极、有机保护层以及像素电极。源极与漏极设置于基材上。半导体层设置于源极、漏极以及位于源极与漏极间的基材上。有机绝缘层设置于半导体层上。栅极设置于有机绝缘层上。有机保护层覆盖栅极、源极、漏极及基材，其中有机保护层中具有接触窗以露出一部分的漏极。像素电极设置于露出部分的漏极及有机保护层上。因此，本专利技术上述实施方式具有下列优点:(I)能以4道光罩制程制作显示器阵列基板，可提高产能与节省运作成本。(2)有机绝缘层及有机保护层不需在高温下制作，因此可节省运作成本。(3)有机绝缘层、有机保护层及半导体层的结构可使薄膜晶体管具有较高的电子移动度。附图说明为让本专利技术的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下:图1A-1D是绘示依照本专利技术一实施方式的阵列基板的制造方法的各制程阶段剖面示意图；图2A-2D是绘示依照本专利技术另一实施方式的阵列基板的制造方法的各制程阶段剖面示意图。主要组件符号说明100a、200a:像素区100b、200b:走线区 110、210:刚性基板120、220:可挠性高分子层130a、230a:源极130b、230b:漏极130c,230c:第一连接垫140,240:氧化物半导体层140a、240a:通道层150:有机绝缘层150a:栅绝缘层160,260:栅极层160a、260a:栅极160b、260b:第二连接垫170a、170b、270a、270b:图案化光阻层180,280:有机保护层182,282:接触窗184、284:第一开口186、286:第二开口190a、290a:像素电极190b、290b:透明导电层250a:图案化有机绝缘层具体实施例方式图1A-1D是绘示依照本专利技术一实施方式的阵列基板的制造方法的各制程阶段剖面示意图。在本实施例中，阵列基板可为应用于显示器的阵列基板，但不以此为限。首先，提供一基材100，如图1A所示。基材100包含有像素区IOOa以及走线区IOOb0走线区IOOb的电路是用以连接其它电子组件，例如驱动芯片(driver 1C)。在一实施例中，基材100包含刚性基板110以及可挠性高分子层120。可挠性高分子层120形成在刚性基板110上。刚性基板110可为玻璃基板。可挠性高分子层120可例如为聚酸亚胺(Polyimide)、聚对苯二甲酸乙二醇酉旨(Polyethylene Terephthalate, PET)、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene Naphthalate, PEN)或聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methylmethacrylate)，PMMA)。在另一实施例中，基材100仅为玻璃基板，而不包含上述可挠性高分子层120。然后，在基材100上形成源极130a与漏极130b，如图1A所示。源极130a与漏极130b可形成在可挠性高分子层120上。源极130a电性连接一信号线(未绘示)，例如源极130a可为信号线的一部分。源极130a与漏极130b的材料可为铬、铝、铜、钥、钛或其它导电材料。可使用溅镀制程及光学微影制程来形成源极130a与漏极130b。在一实施方式中，在形成源极130a与漏极130b的同时，可在走线区IOOb中形成第一连接垫130c。第一连接垫130c用以连接驱动芯片(图未示)，且第一连接垫130c电性连接源极130a。在形成源极130a与漏极130b后，依序形成氧化物半导体层140、有机绝缘层150以与栅极层160，以覆盖基材100、源极130a以及漏极130b，如第IB图所示。上述氧化物半导体层140的材质可例如为氧化锌(ZnO)、氧化锌锡(ZnSnO)、氧化铬锡(CdSnO)、氧化镓锡(GaSnO)、氧化钛锡(TiSnO)、氧化铟镓锌(InGaZnO)、氧化铜铝(CuAlO)、氧化银铜(SrCuO)或硫氧化镧铜(LaCuOS)。可使用派镀制程来形成氧化物半导体层140。上述氧化物半导体层140可在室温下以溅镀方式形成，因此，在一实施方式中，氧化物半导体层140可直接形成在可挠性高分子层120上。上述有机绝缘层150的材质可为聚酰亚胺(Polyimide)或聚硅氧烷(polysiloxane)等。可使用任何已知的涂布方式来形成有机绝缘层150。相较于无机绝缘层的制程温度，有机绝缘层150可以在较低温的条件下制作。因此，可适用于耐热性较差的可挠性高分子层120。上述栅极层160的材料可与源极130a与漏极130b的材料相同或不同。栅极层160与氧化物半导体层140之间设置有机绝缘层150，用以避免栅极层160直接接触氧化物半导体层140。接着，在栅极层160上形成图案化光阻层170a，如图1B所示。上述图案化光阻层170a用以定义栅极的位置，因此图案化光阻层170a设置在欲形成栅极位置的正上方。可使用任何已知的光学微影制程来形成图案化光阻层170a。在一实施方式中，在形成图案化光阻层170a的同时，可在走线区IOOb中形成图案化光阻层170b。图案化光阻层170b用以定义第二连接垫160b，下文中将更详细叙述。在形成图案化光阻层170a后，移除暴露出图案化光阻层170a外的栅极层160及其下方的有机绝缘层150和氧化物半导体层140，以形成栅极160a、栅绝缘层150a以及通道层140a，如图1C所示。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包含：提供一基材；形成一源极以及一漏极于该基材上；依序形成一半导体层、一有机绝缘层以及一栅极层覆盖该基材、该源极及该漏极；形成一图案化光阻层于该栅极层上；移除暴露出该图案化光阻层外的该栅极层及其下方的该有机绝缘层与该半导体层，以形成一栅极；形成一有机保护层于该栅极、该源极及该漏极上，其中该有机保护层具有一接触窗以露出一部分的该漏极；以及形成一像素电极于该有机保护层上，以使该像素电极透过该接触窗与该漏极电性连接。
【技术特征摘要】
2011.11.02 TW 1001399641.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包含: 提供一基材； 形成一源极以及一漏极于该基材上； 依序形成一半导体层、一有机绝缘层以及一栅极层覆盖该基材、该源极及该漏极； 形成一图案化光阻层于该栅极层上； 移除暴露出该图案化光阻层外的该栅极层及其下方的该有机绝缘层与该半导体层，以形成一栅极； 形成一有机保护层于该栅极、该源极及该漏极上，其中该有机保护层具有一接触窗以露出一部分的该漏极；以及 形成一像素电极于该有机保护层上，以使该像素电极透过该接触窗与该漏极电性连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，提供该基材的步骤包含: 提供一刚性基板；以及 形成一可挠性高分子层于该刚性基板上，其中该源极以及该漏极形成于该可挠性高分子层上。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成该像素电极于该有机保护层上的步骤后，还包含移除该刚性基板。4.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，该可挠性高分子层的材质为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯或聚甲基丙烯酸甲酯。5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，移除暴露出该图案化光阻层外的该栅极层及其下方的该有机绝缘层与该半导体层的步骤包含使用一湿式酸蚀刻制程。6.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，移除暴露出该图案化光阻层外的该栅极层及其下方的该有机绝缘层与该半导体层的步骤包含使用一干式蚀刻制程。7.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，该半导体层的材质包含一材料是选自由氧化锌、氧化锌锡、氧化铬锡、氧化镓锡、氧化钛锡、氧化铟镓锌、氧化铜铝、氧化锶铜以及硫氧化镧铜所组成的群组。8.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，该有机绝缘层的材质包含聚酰亚胺或聚硅氧烷。9.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包含: 提供一基材； 形成一源极以及一漏极于该基材上； 形成一半导体层覆盖该基材、该源极及该漏极； 形成一图案化有机绝缘层于该半导体层上，以定义该半导体层...
【专利技术属性】
技术研发人员：蓝纬洲，辛哲宏，王裕霖，叶佳俊，
申请(专利权)人：元太科技工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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