【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示领域,尤其涉及一种TFT (Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)阵列基板及制作方法、显示装置。
技术介绍
目前，为了实现高分辨率，高开口率以及GOA (Gate Driver onArray,阵列基板行驱动)技术的应用，AD-SDS (Advanced-SuperDimensional Switching,简称为 ADS,高级超维场开关)型阵列基板从最初的6次掩膜工艺转化为7次掩膜工艺。在现有技术中，应用7次掩膜栅金属层掩膜，有源层掩膜，栅绝缘层掩膜，第一电极层掩膜，源漏金属层掩膜，钝化层掩膜以及第二金属层掩膜来制作完成阵列基板。上述阵列基板的制作应用了 7次掩膜工艺，应用掩膜工艺次数较多，导致产品的产能下降，且制作成本较高。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种TFT阵列基板及制作方法、显示装置，可以减少进行掩膜工艺(构图工艺)的次数，降低工艺复杂度及制作成本。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案—种TFT阵列基板的制作方法，包括在基板上制作包括栅极的图案，带有过孔的栅绝缘层图案，包括有源层的图案，包括源...
【技术保护点】
一种TFT阵列基板的制作方法，包括在基板上制作包括栅极的图案，带有过孔的栅绝缘层图案，包括有源层的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，其特征在于，通过一次构图工艺，形成所述带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案，其中，所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线，所述栅绝缘层的过孔位于所述栅极走线的上方，所述有源层位于所述栅极的上方。
【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板的制作方法，包括在基板上制作包括栅极的图案，带有过孔的栅绝缘层图案，包括有源层的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，其特征在于， 通过一次构图工艺，形成所述带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案，其中，所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线，所述栅绝缘层的过孔位于所述栅极走线的上方，所述有源层位于所述栅极的上方。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺，形成所述带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案，包括 依次形成绝缘层薄膜和半导体薄膜，并在半导体薄膜上涂敷光刻胶； 采用半色调或灰色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影处理，形成位于预设置过孔区域的光刻胶完全去除部分、位于所述栅极上方的光刻胶完全保留部分、位于其他区域的光刻胶半保留部分； 采用刻蚀工艺，去除所述光刻胶完全去除部分下方的部分绝缘层薄膜和部分半导体薄膜，形成所述过孔； 采用灰化工艺，去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶； 采用刻蚀工艺，去除所述光刻胶半保留部分下方的部分半导体薄膜，形成所述包括有源层的图案； 采用剥离工艺，去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺，形成所述带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案，包括 形成绝缘层薄膜和半导体薄膜，并涂敷光刻胶； 采用半色调或灰色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影处理，形成位于预设置过孔区域的光刻胶完全去除部分，位于所述栅极上方的第一光刻胶完全保留部分，位于所述预设置过孔区域周边的第二光刻胶完全保留部分，位于其他区域的光刻胶半保留部分，其中，所述第一光刻胶完全保留部分和所述第二光刻胶完全保留部分都为光刻胶完全保留部分； 采用刻蚀工艺，去除所述光刻胶完全去除部分下方的部分绝缘层薄膜和部分半导体薄膜，形成所述过孔； 采用灰化工艺，至少去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶； 采用刻蚀工艺，至少去除所述光刻胶半保留部分下方的部分半导体薄膜，形成所述包括有源层的图案； 采用剥离工艺，去除剩余的光刻胶。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第二光刻胶完全保留部分的宽度为O. 5 2um ； 所述采用灰化工艺，至少去除所述光刻胶半保留部分，包括采用灰化工艺，去除所述光刻胶半保留部分和所述第二光刻胶完全保留部分的光刻胶； 所述采用刻蚀工艺，至少去除所述光刻胶半保留部分下方的部分半导体薄膜，包括采用刻蚀工艺，去除所述光刻胶半保留部分和所述第二光刻胶完全保留部分下方的部分半导体薄膜； 所述采用剥离工艺，去除剩余的光刻胶，包括采用剥离工艺，去除所述第一光刻胶完全保留部分的光刻胶。5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢振宇，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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