【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示领域，特别是指一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
在TFT-1XD (薄膜晶体管-液晶显示器)阵列基板的制备工艺中，过孔形成是一项很重要的内容，需要通过过孔将不同层的金属连接在一起，或将同一层金属连接在一起，过孔工艺的优劣直接影响到阵列基板的良率以及最终显示装置的显示效果。现有的制备工艺中，都是利用构图工艺一次形成过 孔，然后再在形成有过孔的阵列基板上沉积导电层以连接不同层的金属，当过孔的深度比较大时，某些特定位置过孔处的金属连接状况会不够理想，容易出现断路或电阻过大等不良，影响阵列基板的生产良率。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，能够避免出现过孔连接断路或电阻过大等不良，提升阵列基板的生产良率。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下一方面，提供一种阵列基板的制造方法，在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起。进一步地，所述过孔包括栅金属层过孔，所述在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起包括在形成栅金属层的图形时，利用栅金属层在对应栅...
【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述过孔包括栅金属层过孔，所述在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起包括 在形成栅金属层的图形时，利用栅金属层在对应栅金属层过孔的位置形成凸起。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法具体包括 提供一基板，在所述基板上依次沉积栅金属层和光刻胶； 经过刻蚀形成栅金属层的图形，对光刻胶进行灰化，保留对应栅金属层过孔位置处的光刻胶； 经过再次刻蚀利用栅金属层在对应所述栅金属层过孔的位置形成凸起； 在形成有所述凸起的基板上依次形成栅绝缘层、有源层、数据金属层和钝化层； 在所述钝化层上沉积透明导电层，所述透明导电层通过所述栅金属层过孔与所述凸起连接。4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述过孔包括公共电极过孔，所述在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起包括 在形成公共电极的图形时，利用栅金属层在对应公共电极过孔的位置形成凸起。5.根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法具体包括 提供一基板，在所述基板上依次沉积栅金属层和光刻胶； 经过刻蚀形成栅金属层的图形，对光刻胶进行灰化...
【专利技术属性】
技术研发人员：封宾，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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