氧化物薄膜晶体管制程方法技术

本发明专利技术提供一种制作氧化物薄膜晶体管的方法，包含：依序于基板上形成栅极、半导体绝缘层以及金属氧化物层，接着于金属氧化物层上利用一灰阶光罩形成第一图案化光阻层，并以第一图案化光阻层作为罩幕形成一图案化金属氧化物层，并移除部分第一图案化光阻层来形成第二图案化光阻层，接着依序形成一金属层以及第三图案化光阻层，并以第三图案化光阻层为罩幕，对金属层进行蚀刻以形成源极区与漏极区，并暴露出第二图案化光阻层，以及移除第三图案化光阻层以及部分的第二图案化光阻层来形成一第四图案化光阻层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于ー种晶体管制造方法，特别是有关于ー种氧化物薄膜晶体管的制造方法。
技术介绍
近年来，平面显示器的发展越来越迅速，已经逐渐取代传统的阴极射线管显示器。现今的平面显示器主要有下列几种有机发光二极管显示器(Organic Light 一 EmittingDiodes Display, OLED)、电衆显不器(PlasmaDisplay Panel, PDP)、液晶显不器(LiquidCrystal Display, LCD)、以及场发射显不器(Field Emission Display, FED)等。其中控制这些平面显示器中每个像素的开启与关闭的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，即为这些平面显示器中相当关键性的组件之一。图1绘示公知金属氧化物薄膜晶体管结构的剖面示意图。如图1所示，公知金属氧化物薄膜晶体管结构10包含一基板101、ー栅极102设置于基板101上、一半导体绝缘层103设置于基板101与栅极102上、一金属氧化物层104设置于半导体绝缘层103上、一源极105与ー漏极106分别设置于金属氧化物层104上，且源极105与漏极106本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，包含：提供一基板；形成一栅极于该基板上；形成一半导体绝缘层于该栅极上；形成一金属氧化物层于该半导体绝缘层上；形成一第一图案化光阻层于该金属氧化物层上，其中是利用一灰阶光罩形成该第一图案化光阻层；利用该第一图案化光阻层为罩幕蚀刻该金属氧化物层来形成一图案化金属氧化物层；移除部分该第一图案化光阻层来形成一第二图案化光阻层；形成一金属层于该半导体绝缘层、该图案化金属氧化物层以及该第二图案化光阻层上；形成一第三图案化光阻层于该金属层上；以该第三图案化光阻层为罩幕，对该金属层进行蚀刻以形成一源极区与一漏极区，并暴露出该第二图案化光阻层；以及移除该第三图案化光阻...

【技术特征摘要】
1.一种制作氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，包含 提供一基板； 形成一栅极于该基板上； 形成一半导体绝缘层于该栅极上； 形成一金属氧化物层于该半导体绝缘层上； 形成一第一图案化光阻层于该金属氧化物层上，其中是利用一灰阶光罩形成该第一图案化光阻层； 利用该第一图案化光阻层为罩幕蚀刻该金属氧化物层来形成一图案化金属氧化物层； 移除部分该第一图案化光阻层来形成一第二图案化光阻层； 形成一金属层于该半导体绝缘层、该图案化金属氧化物层以及该第二图案化光阻层上； 形成一第三图案化光阻层于该金属层上； 以该第三图案化光阻层为罩幕，对该金属层进行蚀刻以形成一源极区与一漏极区，并暴露出该第二图案化光阻层；以及 移除该第三图案化光阻层以及部分该第二图案化光阻层来形成一第四图案化光阻层。2.如权利要求1所述的制作氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，还包括形成一接触洞层于该金属层以及该第四图案化光阻层上，以及于该源极区和该漏极区形成一奥姆接触。3.如权利要求1所述的制作氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，该第一图案化光阻层具有一第一厚度以及一第二厚度，其中该...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴德峻，
申请(专利权)人：华映视讯吴江有限公司，中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：