【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子封装材料领域，主要应用于微电子和半导体行业的金属封装行业，特别是涉及一种采用包覆轧制工艺制备铜/钼/铜电子封装复合材料的方法。
技术介绍
在现有技术中，传统的电子封装材料如Invar、Kovar、W、Mo等虽然有较低的热膨胀系数，但都不能满足高导热的要求，而高质量的芯片对封装材料要求有低膨胀系数、高热导率、高强度等综合性能。因此单一材料难以满足上述性能的苛刻要求，只有复合材料才能利用各种单一材料的优点，从而获得优良的综合性能。目前，电子封装复合材料已成为当前研究的热点，其中铜/钼/铜就是一种重要的电子封装复合材料。它属于平面型金属基复合材料，芯材为金属钼，双面覆以无氧铜板。这种材料既具有钼的低膨胀性能，又具有铜的高导电、导热性能，并且几乎不存在W/Cu、Mo/Cu、SiC/Al等封装材料的致密性不高的问题，同时它又可以通过调整钼、铜的厚度来调整其热膨胀系数和热导率，达到兼有高强度及易冲制成型等特点。目前，铜/钼/铜复合材料的生产工艺有液固结合轧制法，如公开号为CN1408485A，公开日为2003年4月9日的专利所述，首先将铜板和钼锭置于石墨...
【技术保护点】
一种铜／钼／铜电子封装复合材料的制备方法，其特征在于该方法包括表面处理、包覆、热轧、退火、冷轧、后续处理六个步骤： Ａ、表面处理：取厚度为０．２－０．８ｍｍ的无氧铜板在１０↑［－１］Ｐａ－１０↑［－３］Ｐａ真空或气体保护状态下，将铜板经５００－９００℃退火处理１－２小时，同时选用厚度为０．６－０．８ｍｍ的钼板经过表面处理，清除钼板表面的污物，获得一定的清洁度和粗糙度； Ｂ、包覆：将钼板放在两层铜板中间，用铜板包覆钼板四边，压实以排除层间的空气； Ｃ、热轧：将上述包覆板材于６００－１０００℃经过２－５道次热轧，获得接近成品要求的尺寸规格，其厚度为０．５－１．...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：熊宁，程挺宇，周武平，王铁军，凌贤野，秦思贵，
申请(专利权)人：安泰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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