真空处理装置的气体混合装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种真空处理装置的气体混合装置，其横向设置于所述真空处理装置的气体混合管道中，所述气体混合装置包括：一叶轮，呈圆盘形；若干个径向设置在叶轮的圆周部分的叶片，所述叶片的第一端的一部分连接于所述叶轮的圆周，第二端与所述气体混合管道贴合。本实用新型专利技术能够促进气体在进入真空处理装置的腔室之前的混合。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于真空处理装置的气体混合装置。
技术介绍
等离子处理装置利用真空反应室的工作原理进行半导体基片和等离子平板的基片的加工。真空反应室的工作原理是在真空反应室中通入含有适当刻蚀剂源气体的反应气体，然后再对该真空反应室进行射频能量输入，以激活反应气体，来激发和维持等离子体，以便分别刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上淀积材料层，进而对半导体基片和等离子平板进行加工。在半导体行业中，等离子体处理机台中通入的反应气体一般是通过调制气体与工艺气体混合所得，例如CVD或刻蚀机台等，但由于该两种气体流速不同，气压也就不同，在同时进入混合不同流速气体的装置时，流速高的工艺气体会将流速慢的调制气体始终挤压在气体混合通道的一侧，使得两种气体混合不够均匀、不够充分，导致刻蚀气体的浓度和质量不达标，从而影响对半导体工艺件的制程效果。因此，业内需要一种能够将通入等离子体处理机台中的气体混合均匀的气体混合>J-U ρ α装直。
技术实现思路
针对
技术介绍
中的上述问题，本技术提出了一种真空处理装置的气体混合装置。本技术第一方面提供了一种用于真空处理装置的气体混合装置，其横向设置于所述真空处理装置的气体混合管道中，所述气体混合装置包括:一叶轮，呈圆盘形；若干个径向设置在叶轮的圆周部分的叶片，所述叶片的第一端的一部分连接于所述叶轮的圆周，第二端与所述气体混合管道贴合。进一步地，所述叶片的第一端未连接于叶轮的圆周的部分与所述叶轮不在一个平面上。进一步地，所述若干个叶片之间有重叠。 可选地，所述气体混合装置是一体成型的。进一步地，所述气体混合装置还包括一驱动装置，所述驱动装置驱动所述叶片以叶轮的中心为轴进行转动。进一步地，所述叶片的长度的取值范围为lmnT5mm。进一步地，所述叶轮的直径的取值范围为lmnT5mm。进一步地，所述叶片的材料为不锈钢，所述叶轮的材料为不锈钢。进一步地,所述第一端连接于所述叶轮的圆周的长度的取值范围为0.3mnT4mm。本技术第二方面提供了一种真空处理装置，所述真空处理装置包括本技术第一方面所述的气体混合装置。本技术提供的真空处理装置的气体混合装置能够均匀地混合制程气体。附图说明图1是真空处理装置的结构示意图；图2是气体混合装置的结构示意图；图3 (a)和图3 (b)是根据本技术的一个具体实施例的气体混合装置的结构示意图。其中，相同或相似的模块/装置/组件指示了相同或相似的模块/装置/组件。具体实施方式以下结合附图，对本技术的具体实施方式进行说明。图1是真空处理装置的结构示意图。如图所示的真空处理装置I具有一个处理腔体10，处理腔体10基本上为柱形，且处理腔体侧壁基本上垂直，处理腔体10内具有相互平行设置的上电极11和下电极13。通常，在上电极11与下电极13之间的区域为处理区域，该区域将形成高频能量以点燃和维持等离子体。在下电极13上方放置待要加工的基片W，该基片W可以是待要刻蚀或加工的半导体基片或者待要加工成平板显示器的玻璃平板。反应气体从气体源12中被输入至处理腔体10内，一个或多个射频电源14可以被单独地施加在下电极13上或同时被分别地施加在上电极11与下电极13上，用以将射频功率输送到下电极13上或上电极11与下电极13上，从而在处理腔体10内部产生大的电场。大多数电场线被包含在上电极11和下电极13之间的处理区域A内，此电场对少量存在于处理腔体11内部的电子进行加速，使之与输入的反应气体的气体分子碰撞。这些碰撞导致反应气体的离子化和等离子体的激发，从而在处理腔体10内产生等离子体。反应气体的中性气体分子在经受这些强电场时失去了电子，留下带正电的离子。带正电的离子向着下电极13方向加速，与被处理的基片中的中性物质结合，激发基片加工，即刻蚀、淀积等。在真空处理装置中设置了约束环16，用以控制用过的反应气体的排出并且当反应气体中的带电粒子通过该等离子体约束装置时将它们电中和，从而将放电基本约束在处理区域以内，以防止等离子处理装置使用过程中可能造成的腔体污染问题。其中，约束环16通过直接或者间接地连接于接地端17。在真空处理装置I的合适的某个位置处设置有排气区域域，排气区域域与外置的排气装置(例如真空泵泵15)相连接，用以在处理过程中将用过的反应气体及副产品气体抽出处理区域。其中，真空处理装置包括刻蚀机台、MOCVD机台、CVD机台等，其制程所需的气体包括反应气体和调制气体。多路气体通过不同的气体管道输送到混合管道/腔室中，多路气体在混合管道/腔室中充分混合，然后进入气体源12。图2是根据本技术的一个具体实施例的气体混合装置的结构示意图。如图2所示，第一气体A、第二气体B和第三气体C分别通过各自的气体输入管道进入气体混合管道19，然后在气体混合管道19中充分混合将混合好的气体输送入气体源12。气体源12与真空处理腔室I的腔室相连，通过气体喷淋头将混合好的气体输送入腔室以进行制程。在气体混合管道19和气体源12以及气体源12和真空处理装置I之间分别设置有阀门，用于控制气体的通断。需要说明的是，虽然为简明起见，气体混合管道19在附图2中虽然只以单一管道的形式示出，但是，本领域技术人员应当理解，气体混合管道19是具有一定弯度和长度的管道，以提供气体充分混合的空间。图3 (a)和图3 (b)示出了根据本技术的一个具体实施例的气体混合装置的结构示意图，其中，所述气体混合装置20横向设置于所述真空处理装置I的气体混合管道19中。具体地，所述气体混合装置包括一叶轮201，呈圆盘形；若干个径向设置在叶轮201的圆周部分的叶片202，所述叶片的第一端的一部分202a连接于所述叶轮201的圆周，第二端202b与所述气体混合管道19的内壁贴合。应当理解，叶轮201的圆周部分和叶片202的第一端202a以及叶片202的第二端202b和气体混合管道19的内壁19a皆应具有可以相互咬合/连接/耦合的连接端。为简明起见，此处不再赘述，在现有技术中，皆有成熟的技术支持。进一步地，所述叶片202的第一端202a未连接于叶轮201的圆周的部分与所述叶轮201不在一个平面上。具体地，由于叶片202的第一端202a并不是完全贴合于叶轮201的圆周部分，而是一部分贴合于圆周部分，另一部分并未与任何组件连接，并且还微微悬空并翘起。进一步地，所述若干个叶片202之间有重叠。具体地，每个叶片202与相邻的两个叶片之间在某一方向上有重叠，但是并不必然有接触。根据本技术的一个具体实施例，上述设置使得在每两个叶片202之间都形成一个气体通道，该气体通道使得各路气体(在本实施例中，气体包括第一气体A、第二气体B和第三气体C)从迎其面进入气体混合装置20，并按照气体通道的引导从气体通道19的外围部分往中心部分流动。并且，按照本具体实施例，若干气体通道以叶轮201的中心为中心，大体上逞均匀地径向排布，使得第一气体A、第二气体B和第三气体C按照逆时针或者顺时针产生涡流。由于，第一气体A、第二气体B和第三气体C在通过气体混合装置20时会产生一个涡流，加速第一气体A、第二气体B和第三气体C的相互扩散，混合更加充分。上文所述的实施例中气体混合装置20的各组件分别独立，最后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于真空处理装置的气体混合装置，其横向设置于所述真空处理装置的气体混合管道中，其特征在于，所述气体混合装置包括：一叶轮，呈圆盘形；若干个径向设置在叶轮的圆周部分的叶片，所述叶片的第一端的一部分连接于所述叶轮的圆周，所述叶片的第二端与所述气体混合管道贴合。

【技术特征摘要】
1.一种用于真空处理装置的气体混合装置，其横向设置于所述真空处理装置的气体混合管道中，其特征在于，所述气体混合装置包括: 一叶轮，呈圆盘形； 若干个径向设置在叶轮的圆周部分的叶片，所述叶片的第一端的一部分连接于所述叶轮的圆周，所述叶片的第二端与所述气体混合管道贴合。2.根据权利要求1所述的气体混合装置，其特征在于，所述叶片的第一端未连接于叶轮的圆周的部分与所述叶轮不在一个平面上。3.根据权利要求2所述的气体混合装置，其特征在于，所述若干个叶片之间有重叠。4.根据权利要求1所述的气体混合装置，其特征在于，所述气体混合装置是一体成型的。5.根据权利要求1所述的气体混合装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：周宁，徐朝阳，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：