【技术实现步骤摘要】
各种实施例总体上涉及。
技术介绍
晶片边缘(例如半导体晶片边缘)的清洗是用于去除在晶片边缘处的杂质的重要工艺。特别是，在半导体制造工艺之后，应当减少或消除在晶片边缘(例如晶片斜面(bevel)边缘)处的缺陷密度。当前，晶片擦洗、抛光和化学机械抛光是可以被用来抛光晶片斜面边缘的技术。遗憾的是，使用这些方法不能消除在晶片斜面边缘处的缺陷密度。可以执行等离子体清洗，例如通过把晶片斜面边缘暴露于保持在真空室中的等离子体而进行的反应离子蚀刻。然而，所述工艺需要在斜面处理工艺之前将工艺腔抽空至基础压力并在所述工艺之后使其通风，因此限制晶片生产量。
技术实现思路
各种实施例提供用于处理载体的设备，所述设备包括:被配置成接收载体的载体接收部分，所述载体包括一个或多个平坦区域和一个或多个边缘区域；处理部分，其包括:第一电极；第二电极，其中第二电极与第一电极分开；以及形成在第一电极和第二电极之间的介电材料；以及其中第一电极被配置成接收第一电位并且第二电极被配置成接收第二电位以激活在第一电极和第二电极之间的供应的气体；其中第一电极和第二电极被布置成与导向所述载体的所述一个或多个平坦区域相...
【技术保护点】
一种用于处理载体的设备，所述设备包括：载体接收部分，其被配置成接收载体，所述载体包括一个或多个平坦区域和一个或多个边缘区域；处理部分，其包括：第一电极；第二电极，其中所述第二电极与所述第一电极分开；以及介电材料，其被形成在所述第一电极和所述第二电极之间；以及其中所述第一电极被配置成接收第一电位并且所述第二电极被配置成接收第二电位以激活所述第一电极和所述第二电极之间的供应的气体；其中所述第一电极和所述第二电极被布置成与导向所述载体的所述一个或多个平坦区域相比，将更多的供应的激活气体导向所述一个或多个边缘区域。
【技术特征摘要】
2011.10.25 US 13/280,4821.一种用于处理载体的设备，所述设备包括: 载体接收部分，其被配置成接收载体，所述载体包括一个或多个平坦区域和一个或多个边缘区域； 处理部分，其包括: 第一电极； 第二电极，其中所述第二电极与所述第一电极分开；以及介电材料，其被形成在所述第一电极和所述第二电极之间；以及其中所述第一电极被配置成接收第一电位并且所述第二电极被配置成接收第二电位以激活所述第一电极和所述第二电极之间的供应的气体； 其中所述第一电极和所述第二电极被布置成与导向所述载体的所述一个或多个平坦区域相比，将更多的供应的激活气体导向所述一个或多个边缘区域。2.根据权利要求1所述的设备，还包括: 气体源，其被配置成提供用于处理载体的气体。3.根据权利要求1所述的设备，还包括: 电压源，其被配置成将第一电位供应给所述第一电极和将第二电位供应给所述第二电极。4.根据权利要求1所述的设备，其中， 所述载体接收部分被配置成接收载体， 所述载体包括半导体晶片，所述半导体晶片包括所述一个或多个平坦区域和所述一个或多个边缘区域。5.根据权利要求1所述的设备，其中， 所述载体接收部分被配置成接收载体， 其中所述一个或多个边缘区域包括半导体晶片的一个或多个斜面边缘。6.根据权利要求1所述的设备，其中， 所述载体接收部分被配置成接收载体， 其中所述一个或多个平坦区域包括所述载体的表面，以及 其中所述一个或多个边缘区域包括所述载体的所述表面的一个或多个边缘。7.根据权利要求1所述的设备，其中， 所述载体接收部分被配置成接收载体， 其中所述载体的所述一个或多个边缘区域限定所述载体的外周界，以及其中所述一个或多个平坦区域包括离所述载体的外周界大于约10_的所述载体的表面的一个或多个部分。8.根据权利要求1所述的设备，其中， 所述载体接收部分被配置成接收载体， 其中所述一个或多个边缘区域被直接定位在所述第一电极和所述第二电极之间的间隔下方或直接定位在其上方。9.根据权利要求1所述的设备，其中， 所述载体接收部分被配置成接收载体， 其中所述第一电极和所述第二电极被配置在所述载体的相同侧上。10.根据权利要求1所述的设备，其中， 所述载体接收部分被配置成接收载体， 其中所述载体的所述一个或多个边缘区域被直接定位在所述第一电极和所述第二电极之间。11.根据权利要求1所述的设备，其中， 所述载...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·恩格尔哈特，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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