【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体处理设备及所述半导体处理设备中，与衬底支撑座相对设置的顶板的表面温度检测方法，特别是一种化学气相沉积(CVD)设备及其中与衬底支撑座相对设置的顶板的表面温度检测方法。
技术介绍
现阶段化学气相沉积(CVD)设备，如:等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备、低压化学气相沉积(LPCVD)设备、金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备已经广泛应用于半导体器件制造领域。以下以有机金属化学气相沉积(MOCVD)设备为例对现有技术的化学气相沉积设备进行简单说明。请参阅图1，图1为现有技术MOCVD设备的结构示意图。所述MOCVD设备I包括腔体11设置在所述腔体11内的喷淋头12和衬底支撑座13。所述喷淋头12设置在所述腔体11的顶部。所述衬底支撑座13设置在所述腔体11的底部，并且与所述进气装置12相对设置；其中，所述衬底支撑座13可以绕一转轴14转动。在进行化学气相沉积的过程中，衬底被放置在所述衬底支撑座13面向所述喷淋头12的表面。所述衬底支撑座13同时加热所述衬底，使得所述衬底达到一定的温度；反应气体从所述喷淋头12进入所述腔体11中并在所述...
【技术保护点】
一种化学气相沉积设备，其包括腔体、设置在腔体内的顶板和衬底支撑座，所述顶板与所述衬底支撑座相对设置，所述衬底支撑座具有面向所述顶板的衬底支撑面，所述顶板具有面向所述衬底支撑座的第一表面和背离所述衬底支撑座的第二表面，其特征在于，所述化学气相沉积设备进一步包括至少一探测孔和至少一温度探测器；所述探测孔从所述腔体的外侧向所述腔体内延伸，并从所述顶板第二表面一侧延伸至所述顶板，但不穿透所述顶板；所述温度探测器通过所述探测孔探测所述顶板的温度，以获得所述顶板第一表面的温度。
【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积设备，其包括腔体、设置在腔体内的顶板和衬底支撑座，所述顶板与所述衬底支撑座相对设置，所述衬底支撑座具有面向所述顶板的衬底支撑面，所述顶板具有面向所述衬底支撑座的第一表面和背离所述衬底支撑座的第二表面，其特征在于，所述化学气相沉积设备进一步包括至少一探测孔和至少一温度探测器；所述探测孔从所述腔体的外侧向所述腔体内延伸，并从所述顶板第二表面一侧延伸至所述顶板，但不穿透所述顶板；所述温度探测器通过所述探测孔探测所述顶板的温度，以获得所述顶板第一表面的温度。2.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述温度探测器探测所述探测孔底面的温度值。3.如权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述探测孔底面到所述第一表面之间的距离大于或等于1mm。4.如权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述化学气相沉积设备进一步包括设置在所述顶板第二表面一侧的冷却装置，所述冷却装置用于冷却所述顶板。5.如权利要求4所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述探测孔底面到所述第二表面之间的距离大于或等于1mm。6.如权利要求4所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述冷却装置紧贴所述第二表面设置。7.如权利要求6所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述冷却装置为以所述第二表面为其一侧面的冷却腔。8.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述化学气相沉积设备还包括温度校正单元，所述获得所述顶板第一表面的温度是通过所述温度校正单元获取所述温度探测器探测到的温度值并对所述温度值进行校正而获得。9.如权利要求8所述 的化学气相沉积设备，其特征在于:所述温度校正单元包括一个查找表(LUT)，所述查找表存储所述温度探测器探测的所述顶板的温度值与所述顶板第一表面的温度值之间的对应关系。10.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述探测孔在所述顶板处的直径少于或等于10mm。11.如权利要求10所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述探测孔在所述顶板处的直径少于或等于4mm。12.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述衬底支撑座绕垂直所述衬底支撑面的转轴旋转。13.如权利要求12所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述化学气相沉积设备为金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备。14.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述化学气相沉积设备包括一喷淋头结构，所述顶板为所述喷淋头结构临近所述衬底支撑座一侧的气体分配板。15.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述腔体具有与所述衬底支撑座相对设置的顶壁，所述顶板为所述腔体的顶壁。16.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述温度探测器为热电偶，所述热电偶伸入到所述探...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁秉文，黄颖泉，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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