DC等离子体系统技术方案

本实用新型专利技术公开一种DC等离子体系统(1)，包括连接到等离子体腔室(5)的阴极(K)和阳极(A)的DC电源(2)，其中所述等离子体腔室(5)的所述阳极(A)在等离子体处理期间电浮置，提供连接在阳极电势与等离子体腔室电势之间的开关(S)，其通常连接到保护地(PE)。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及包括连接到等离子体腔室的阴极和阳极的DC电源的DC等离子体系统，其中所述等离子体腔室的阳极在等离子体处理期间电浮置。而且，本技术涉及点燃(ignite)DC等离子体系统的等离子体腔室的等离子体的方法，所述DC等离子体系统具有在所述等离子体腔室中存在等离子体时电浮置的阳极。
技术介绍
在US 2007/0181063A1中描述了这样的系统和方法。在该文献中指出，在半导体制造处理中，向处理腔室引入正离子、负离子和中性粒子的等离子体以辅助半导体器件形成。在处理期间，随着新的衬底被引入到腔室内进行处理，等离子体被重复熄灭和重新点燃。对于一些处理，可在单个腔室内对衬底执行的多步骤处理的步骤之间熄灭和重新点燃等离子体。此外，如果处理条件不稳定，在处理步骤的中间等离子体会意外地自己熄灭或者灭失。在阳极被电隔离并且用于点燃和维持等离子体的电压连接到阴极和等离子腔室电势的腔室设计中，能够朝向阴极电势浮置阳极。随着阳极朝向阴极电势浮置，阴极和阳极之间的电势差降低。该电势差的降低会足以防止等离子体点燃。而且，在没有等离子体点燃的情况下阴极电压保持完全点燃越长，浮置的阳极电势将越接近阴极电势，从本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DC等离子体系统(1)，包括连接到等离子体腔室(5)的阴极(K)和阳极(A)的DC电源(2)，其中所述等离子体腔室(5)的所述阳极(A)在等离子体处理期间电浮置，其特征在于，还包括连接在阳极电势与等离子体腔室电势之间的开关(S)。

【技术特征摘要】
2010.07.29 DE 102010038603.01.一种DC等离子体系统(I)，包括连接到等离子体腔室(5)的阴极(K)和阳极(A)的DC电源(2)，其中所述等离子体腔室(5)的所述阳极(A)在等离子体处理期间电浮置，其特征在于，还包括连接在阳极电势与等离子体腔室电势之间的开关(S)。2.根据权利要求1所述的DC等离子体系统，其特征在于，所述开关(S)连接在所述DC电源(2)的正输出端(4)或者所述阳极(A)与等离子体腔室电势连接端之间。3.根据权利要求2所述的DC等离子体系统，其特征在于，所述开关(S)连接在所述DC电源(2)的正输出端(4)或者所述阳极(A)与连接到保护地(PE)的所述等离子体腔室(5)的壳体之间。4.根据权利要求1至3中任一项所述的DC等离子体系统，其特征在于，第一电容器(C1)连接在阳极电势与等离子体腔室电势之间。5.根据权利要求1至3中任一项所述的DC等离子体系统，其特征在于，还包括用于控制所述开关(S)的控制元件(DSP)，所述控制元件(DSP)基于所述DC等离子体系统(I)的第一和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·戈兰，P·瓦赫，M·泽莱乔斯基，
申请(专利权)人：许廷格电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：