【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能电池领域,涉及一种预清洗方法及等离子体设备。
技术介绍
SiN(氮化硅)等减反膜是太阳能电池的重要组成部分,通常采用平板式结构的PECVD(等离子体增强型化学气相沉积)设备制作。而且可以采用直接法和间接法两种工艺制作减反膜。在实际工艺过程中,利用直接法制作的SiN膜具有以下优点S卩,膜结构致密,可以实现表面钝化和体钝化,从而可以提高少子的寿命,进而可以提高短路电流。因此,减反膜常采用直接法制作。但是,采用直接法制作减反膜时需要将盛放硅片的载板接地,这使得减反膜只能在硅片的上表面制作,即只能采用上镀膜方式在硅片表面制作减反膜。然而,这种镀膜方式容易使硅片被工艺过程所产生的颗粒污染,不仅影响外观,而且会使并阻降低。因此,在制作减反膜之前需要对反应腔室进行预清洗。目前是采用RPS (远程等离子体系统)清洗结合原位清洗对反应腔室进行预清洗。图1为常用的平板式结构的PECVD设备的结构简图。请参阅图1,PECVD设备包括反应腔室1,在反应腔室I顶端的外侧设有用于预清洗的远程等离子体系统4,在反应腔室I顶端的内侧设有采用匀流方式设计的电极板3,其可以向反 ...
【技术保护点】
一种预清洗方法,主要用于通过等离子体预清洗反应腔室内的载板和电极板,其特征在于,在预清洗所述载板时,将所述载板接负偏压,以使所述反应腔室内的等离子体靠近所述载板;在预清洗所述电极板时,将所述载板接正偏压,以使所述反应腔室内的等离子体靠近所述电极板。
【技术特征摘要】
1.一种预清洗方法,主要用于通过等离子体预清洗反应腔室内的载板和电极板,其特征在于,在预清洗所述载板时,将所述载板接负偏压,以使所述反应腔室内的等离子体靠近所述载板;在预清洗所述电极板时,将所述载板接正偏压,以使所述反应腔室内的等离子体靠近所述电极板。2.根据权利要求1所述的预清洗方法,其特征在于,在进行所述预清洗后,将所述载板接地,等离子体均匀地分布在载板与电极板之间的区域,用于在放置在载板上的被加工工件的表面沉积SiN减反膜。3.根据权利要求1所述的预清洗方法,其特征在于,所述等离子体是由远程等离子体系统产生的等离子体与原位预清洗气体产生的等离子体的混合。4.根据权利要求3所述的预清洗方法,其特征在于,所述远程等离子体系统与所述原位清洗所用的预清洗气体同时启辉。5.根据权利要求3所述的预清洗方法,其特征在于,所述预清洗气体为NF3。6.一种等离子体设备,包括反应腔室,在所述反应腔室的底部的内侧设有载板,在所述反应腔室顶部的内侧设有电极板,其特征在于,所述载板与直流电源连接,并且在预清洗载板时,所述载板与所述直流电源的负极连接;...
【专利技术属性】
技术研发人员:白志民,
申请(专利权)人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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