处理基板的装置、系统及方法制造方法及图纸

提供了一种处理基板的装置、系统及方法，且更特别地提供一种具有簇结构的基板处理装置、一种基板处理系统以及一种使用所述基板处理系统的基板处理方法。所述基板处理装置包括：装载场，容纳基板的容器安装在所述装载场上；处理所述基板的多个处理模块；设置在所述装载场与所述处理模块之间并且在所述容器与所述处理模块之间传送所述基板的传送模块；以及设置在所述处理模块中的相邻的处理模块之间且提供用于在所述相邻的处理模块之间运送所述基板的空间的缓冲室。

【技术实现步骤摘要】

这里公开的本专利技术涉及一种，并且更具体地涉及一种具有簇结构的基板处理装置、一种基板处理系统以及一种使用所述基板处理系统的基板处理方法。
技术介绍
半导体设备可以通过包括光刻法的各种多级工艺在例如硅片的基板上形成电路图案来制造。这种多阶段工艺在相应的室中执行。因此，重复将基板放置在一个室中以执行一工艺，并且然后放置在另一个室中以执行另一个工艺的操作来制造半导体设备。随着半导体设备被小型化，制造半导体设备的工艺变得复杂，并且工艺数量增多。因此，在制造半导体设备的总时间中，在室之间运送基板的时间逐渐增加。随着这种趋势，为了提高基板产量，正在积极地研究减少不必要的运送过程的数量以及连续执行工艺的半导体制造系统的设计。
技术实现思路
本专利技术提供一种，使基板的不必要运送最少化。然而，本专利技术不限于此，并且因此，从下面的描述和附图，本领域的技术人员将会清楚的理解在此没有描述的其他装置、系统及方法。本专利技术的实施例提供基板处理装置，所述基板处理装置包括装载场，容纳基板的容器安装在所述装载场上；处`理所述基板的多个处理模块；传送模块，设置在所述装载场与所述处理模块之间并且在所述容器与所述处理模块之间传送所述基板；以及缓冲室，设置在所述处理模块中相邻的处理模块之间并且提供用于在相邻的处理模块之间运送所述基板的空间。。在一些实施例中，所述装载场、所述传送模块、以及所述处理模块可以沿着第二方向(Y轴方向)顺序排列，并且所述处理模块可以沿着在平面视图中与所述第二方向垂直的第一方向成直线地排列在所述传送模块的一侧处。在其它实施例中，每个所述处理模块可包括传送室，在设置在所述传送室周围的室之间传送所述基板；多个处理室，设置在所述传送室周围以处理所述基板；以及装载锁定室，设置在所述传送模块与所述传送室之间，其中，所述缓冲室设置在所述相邻的处理模块的所述传送室之间。仍在其它实施例中，所述缓冲室可提供缓冲空间，在相邻的处理模块之间运送的所述基板在所述缓冲空间中临时停留。仍在其它实施例中，所述缓冲室可包括壳体；支撑构件，设置在所述壳体中并且支撑所述基板；以及旋转构件，旋转放置在所述支撑构件上的所述基板。仍在其它实施例中，所述缓冲室可包括壳体；支撑构件，设置在所述壳体中并且支撑所述基板；以及等离子体供应器，供应等离子体到所述壳体。在进一步实施例中，所述缓冲室可包括竖直堆叠的壳体。在本专利技术的其它实施例中，基板处理系统包括多个基板处理装置，每个基板处理装置包括装载场，容纳基板的容器安装在所述装载场上；处理所述基板的处理模块；和设置在所述装载场与所述处理模块之间并且在所述容器与所述处理模块之间传送所述基板的传送模块；以及第一缓冲室，设置在所述基板处理装置中的相邻的基板处理装置之间并且提供用于在相邻基板处理装置之间运送所述基板的空间，其中所述处理模块包括在设置在所述传送室周围的室之间传送所述基板的传送室；设置在所述传送室周围以处理所述基板的多个处理室；以及设置在所述传送模块与所述传送室之间的装载锁定室，并且所述第一缓冲室设置在相邻基板处理装置的所述传送室之间。在一些实施例中，所述装载场、所述传送模块、以及所述处理模块可以沿着第二方向(Y轴方向)顺序排列，并且所述基板处理装置可以沿着与所述第二方向垂直的第一方向成直线地排列。在其它实施例中，所述第一缓冲室可提供缓冲空间，在相邻的基板处理装置之间运送的所述基板在所述缓冲空间中临时停留。仍在其它实施例中，所述第一缓冲室可包括壳体；设置在所述壳体中并且支撑所述基板的支撑构件；以及旋转放置在所述支撑构件上的所述基板的旋转构件。仍在其它实施例中，所述第一缓冲室可包括壳体；设置在所述壳体中并且支撑所述基板的支撑构件；以及供应等离子体到所述壳体并且执行等离子体工艺的等离子体供应器。仍在其它实施例中，所述第一缓冲室可包括竖直堆叠的壳体。在进一步实施例中，可提供多个被包括在所述基板处理装置中的所述处理模块，并且所述基板处理装置还可包括第二缓冲室，所述第二缓冲室设置在相同基板处理装置中包括的所述处理模块中相邻的处理模块之间，并且提供用于在相邻的处理模块之间运送所述基板的空间。仍在其它实施例中，所述处理模块可包括在设置在所述传送室周围的室之间传送所述基板的传送室；设置在所述传送室周围以处理所述基板的多个处理室；以及设置在所述传送模块与所述传送室之间的装载锁定室，并且所述第二缓冲室可以设置在相邻的处理模块之间。仍在本专利技术的其它实施例中，使用基板处理装置的基板处理方法，所述基板处理装置包括装载场，容纳基板的容器安装在所述装载场上；将所述基板从所述容器取出的传送模块；成直线地排列在所述传送模块的一侧处的多个处理模块；以及设置在所述处理模块中相邻的处理模块之间的缓冲室，所述方法包括由所述传送模块将所述基板从所述容器运送到所述处理模块中的第一处理模块；由所述第一处理模块执行处理工艺；将所述基板从所述第一处理模块运送到第一缓冲室，所述第一缓冲室设置在所述第一处理模块与第二处理模块之间，所述第二处理模块与所述第一处理模块相邻；将所述基板从所述第一缓冲室直接运送到所述第二处理模块；以及由所述第二处理模块执行处理工艺。在一些实施例中，所述基板处理方法还可包括由所述传送模块将所述基板从所述第二处理模块运送到所述容器。在其它实施例中，所述基板处理方法还可包括将所述基板从所述第二处理模块运送到第二缓冲室，所述第二缓冲室设置在所述第二处理模块与第三处理模块之间，所述第三处理模块与所述第二处理模块相邻；将所述基板从所述第二缓冲室直接运送到所述第三处理模块；以及由所述第三处理模块执行处理工艺。在本专利技术的其它实施例中，基板处理方法使用包括多个基板处理装置和缓冲室的基板处理系统，其中所述基板处理装置成直线地排列，每个所述基板处理装置包括装载场，容纳基板的容器安装在所述装载场上；将所述基板从所述容器取出的传送模块；以及设置在所述传送模块的一侧处的处理模块，且所述缓冲室设置在所述基板处理装置中的相邻的基板处理装置之间，所述基板处理方法包括由所述基板处理装置中的第一基板处理装置从所述容器取出所述基板；由所述第一基板处理装置执行处理工艺；将所述基板从所述第一基板处理装置运送到第一缓冲室，所述第一缓冲室设置在所述第一基板处理装置与第二基板处理装置之间，所述所述第二基板处理装置与所述第一基板处理装置相邻；将所述基板从所述第一缓冲室直接运送到所述第二基板处理装置；以及由所述第二基板处理装置执行处理工艺。在一些实施例中，所述基板处理方法还可包括由所述第二基板处理装置将所述基板容纳在所述容器中。在其它实施例中，所述的基板处理方法还可包括将所述基板从所述第二基板处理装置运送到第二缓冲室，所述第二缓冲室设置在所述第二工艺基板处理装置与第三基板处理装置之间，所述第三基 板处理装置与所述第二基板处理装置相邻；将所述基板从所述第二缓冲室直接运送到所述第三基板处理装置；以及由所述第三基板处理装置执行处理工艺。仍在其它实施例中，所述基板处理方法还可包括由所述缓冲室旋转所述基板。仍在其它实施例中，所述基板处理方法还可包括在所述处理工艺之前或之后由所述缓冲室执行工艺。还在其它实施例中，由所述缓冲室执行的所述工艺可包括移除在所述处理工艺期间形成在所述基板上的外来杂质的工艺。附图说明附图被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，包括：装载场，容纳基板的容器安装在所述装载场上；处理所述基板的多个处理模块；传送模块，设置在所述装载场与所述处理模块之间并且在所述容器与所述处理模块之间传送所述基板；以及缓冲室，设置在所述处理模块中的相邻的处理模块之间并且提供用于在所述相邻的处理模块之间运送所述基板的空间。

【技术特征摘要】
2011.07.29 KR 10-2011-0076208;2011.12.02 KR 10-201.一种基板处理装置，包括装载场，容纳基板的容器安装在所述装载场上；处理所述基板的多个处理模块；传送模块，设置在所述装载场与所述处理模块之间并且在所述容器与所述处理模块之间传送所述基板；以及缓冲室，设置在所述处理模块中的相邻的处理模块之间并且提供用于在所述相邻的处理模块之间运送所述基板的空间。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中所述装载场、所述传送模块、以及所述处理模块沿着第二方向(Y轴方向)顺序排列，并且所述处理模块沿着在平面视图中与所述第二方向垂直的第一方向成直线地排列在所述传送模块的一侧处。3.如权利要求2所述的基板处理装置，其中每个所述处理模块包括传送室，在设置在所述传送室周围的室之间传送所述基板；多个处理室，设置所述传送室周围以处理所述基板；以及装载锁定室，设置在所述传送模块与所述传送室之间，其中，所述缓冲室设置在所述相邻的处理模块的所述传送室之间。4.如权利要求1至3中任意一项所述的基板处理装置，其中所述缓冲室提供缓冲空间，在所述相邻的处理模块之间运送的所述基板在所述缓冲空间中临时停留。5.如权利要求4所述的基板处理装置，其中所述缓冲室包括壳体；支撑构件，设置在所述壳体中并且支撑所述基板；以及旋转构件，旋转放置在所述支撑构件上的所述基板。6.如权利要求1至3中任意一项所述的基板处理装置，其中所述缓冲室包括壳体；支撑构件，设置在所述壳体中并且支撑所述基板；以及等离子体供应器，供应等离子体到所述壳体。7.如权利要求1至3中任意一项所述的基板处理装置，其中所述缓冲室包括竖直堆叠的多个壳体。8.一种基板处理系统,包括多个基板处理装置，每个基板处理装置包括装载场，容纳基板的容器安装在所述装载场上；处理所述基板的处理模块；设置在所述装载场与所述处理模块之间并且在所述容器与所述处理模块之间传送所述基板的传送模块；以及第一缓冲室，设置在所述基板处理装置中相邻的基板处理装置之间并且提供用于在所述相邻的基板处理装置之间运送所述基板的空间，其中所述处理模块包括传送室，在设置在所述传送室周围的室之间传送所述基板；设置在所述传送室周围以处理所述基板的多个处理室；以及设置在所述传送模块与所述传送室之间的装载锁定室，并且所述第一缓冲室设置在所述相邻基板处理装置的所述传送室之间。9.如权利要求8所述的基板处理系统，其中所述装载场、所述传送模块、以及所述处理模块沿着第二方向(Y轴方向)顺序排列，并且所述基板处理装置沿着与所述第二方向垂直的第一方向成直线地排列。10.如权利要求9所述的基板处理系统，其中所述第一缓冲室提供缓冲空间，在所述相邻的基板处理装置之间运送的所述基板在所述缓冲空间中临时停留。11.如权利要求10所述的基板处理系统，其中所述第一缓冲室包括壳体；设置在所述壳体中并且支撑所述基板的支撑构件；以及旋转放置在所述支撑构件上的所述基板的旋转构件。12.如权利要求8或9所述的基板处理系统，其中所述第一缓冲室包括壳体；设置在所述壳体中并且支撑所述基板的支撑构件；以及供应等离子体到所述壳体并且执行等离子体工艺的等离子体供应器。13.如权利要求8或9所述的基板处理系统，其中所述第一缓冲室包括竖直堆叠的多个壳体。14.如权利要求8所述的基板处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：金炯俊，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：