【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，特别涉及一种用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路。
技术介绍
近年来，随着半导体制造工艺的发展，对元件的集成度和性能要求越来越高，等离子体技术(Plasma Technology)在半导体制造领域中正起着举足轻重的作用。等离子体技术通过使工艺气体激发形成的等离子体被应用在许多半导体工艺中，如沉积工艺(如化学气相沉积)、刻蚀工艺(如干法刻蚀)等。通常来说，等离子体处理腔室包括真空腔室，其内部上下相对设置有上部电极和下部电极，其中下部电极兼用作在真空腔室内用于支撑和夹持半导体晶片的夹持装置，上部电极兼用作气体喷出口向晶片喷出根据处理的种类选择的规定的工艺气体；以及耦合用来向夹持装置施加RF功率的射频功率源RF。射频功率源RF在上部电极和下部电极之间形成射频电场，使被电场加速的电子等与通入处理腔室的工艺气体分子发生电离冲撞，产生工艺气体的等离子体与晶片进行反应实现等离子体化，以便对半导体晶片进行等离子体处理，例如刻蚀或沉积等。通过调节该射频功率源RF，可控制生成的等离子体的密度。一般来说，作为下部电极的夹持装置包括例如为机械式夹钳，石蜡...
【技术保护点】
一种用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路，其特征在于，包括：加热元件，设于夹持所述基片的夹持装置内，用于对所述基片加热；交流电源，用于向所述加热元件提供电力；以及隔离变压器，所述加热元件通过所述隔离变压器连接至所述交流电源。
【技术特征摘要】
1.一种用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路，其特征在于，包括 加热元件，设于夹持所述基片的夹持装置内，用于对所述基片加热； 交流电源，用于向所述加热元件提供电カ；以及 隔离变压器，所述加热元件通过所述隔离变压器连接至所述交流电源。2.根据权利要求1所述的用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路，其特征在于，所述隔离变压器包括相互耦合的初级线圈和次级线圈，所述初级线圈连接所述交流电源，所述次级线圈连接所述加热元件。3.根据权利要求2所述的用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路，其特征在于，所述加热元件为电阻丝。4.根据权利要求3所述的用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路，其特征在于，所述等离子体处理腔室还包括埋设于所述夹持装置的电极，所述电极连接用于产生等离子体的射频功率源。5.根据权利要求4所述的用于加...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘小波，梁洁，罗伟义，丁冬平，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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