半导体装置的制造方法及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于提供一种即使将基板减薄也能够防止其翘曲的TSV构造的制造方法。本发明专利技术的半导体装置的制造方法在半导体基板的表面集成半导体元件，形成至少一部分电路，自半导体基板的表面开孔，在孔的内表面形成绝缘膜和阻挡膜，在阻挡膜的表面以填埋孔的方式形成导电性金属，加工半导体基板的背面使其厚度减小，使导电性金属突出，在半导体基板的背面设置SiCN膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有TSV构造的半导体装置的制造方法及半导体装置。
技术介绍
近年来,根据半导体LSI (Large-scale integration,大规模集成电路)的超高密度化，为了将装置构成为三维结构，采用了一种TSV (Through Silicon Via、娃贯通电极)构造，即以贯通半导体装置(半导体芯片或半导体晶圆)内的方式设置贯通电极并将该贯通电极的端部连接于另一个半导体装置的电极从而形成三维构造的技术。在TSV构造中，在层叠多枚半导体装置的情况下，由于通过贯通电极对半导体装置之间进行连接，因此，不再需要用于连接的焊盘、中介层等，能够将半导体装置更加小型化。在此，在具有TSV构造的半导体装置中，为了谋求装置的进一步薄型化，存在一种如下一种情况:在形成电路的硅基板(晶圆)上开设多个必要的孔，并在孔中形成Cu、W的电极金属柱而作为TSV，然后通过从晶圆背面进行蚀刻等加工将晶圆减薄，并且使电极金属柱从背面突出(专利文献I)。专利文献1:日本特开2010 - 114155号公报然而，在上述加工中虽然能够将基板减薄，但是存在有在将基板减薄时容易发生基板翘曲的问题。专利技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.10 JP 2010-1794681.一种半导体装置的制造方法，其特征在于， 该半导体装置的制造方法包括: 工序(a)，在半导体基板的表面集成半导体元件，形成至少一部分的电路； 工序(b)，自上述半导体基板的表面开孔； 工序(C)，在上述孔的内表面形成绝缘膜和阻挡膜； 工序(d)，在上述阻挡膜的内表面以填埋上述孔的方式形成导电性金属； 工序(e)，在工序(d)后，加工上述半导体基板的背面，减小上述半导体基板的厚度，使上述导电性金属、上述阻挡膜、及上述绝缘膜自上述背面突出； 工序(f)，在工序(e)后，在上述半导体基板的背面设置SiCN膜。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 上述工序(f)是控制上述SiCN膜的成分、使得上述半导体基板的翘曲实质上为零的工序。3.根据权利要求1或2中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 上述工序(f)是形成SiCN膜的工序，该SiCN膜的成分为向Si3N4中添加了 2原子％ 40原子％的C而成。4.根据权利要求1 3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 上述工序(e)是通过蚀刻上述半导体基板的背面使上述半导体基板的厚度减小的工序。5.根据权利要求1 4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 上述工序(e)是将上述半导体基板的正面侧粘贴在多孔性玻璃基板上，通过湿法蚀刻上述半导体基板的背面使上述半导体基板的厚度减小的工序。6.根据权利要求1 5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 上述工序(f)包括利用CVD在上述半导体基板的背面成膜SiCN膜后，将形成于自上述背面突出的上述阻挡膜的表面上的上述绝缘膜和上述SiCN膜去除的工序。7.根据权利要求1 6中任一项所述的半导体装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：大见忠弘，
申请(专利权)人：国立大学法人东北大学，
类型：
国别省市：