存储元件的驱动方法及使用存储元件的存储装置制造方法及图纸

更稳定地进行开关动作。存储元件10具有绝缘性基板1、设置于绝缘性基板的第一电极2及第二电极3、产生第一电极与第二电极之间的电阻值的变化现象的电极间间隙部4，通过从脉冲发生源向存储元件10施加用于从规定的低电阻状态向规定的高电阻状态转换的第一电压脉冲，经由串联的电阻体向存储元件10施加用于从高电阻状态向低电阻状态转换的第二电压脉冲，来减小流向变化为低电阻值之后的存储元件的电流值，与从低电阻状态向所述高电阻状态转换的情况相比，在从高电阻状态向低电阻状态转换的情况下，在使在脉冲发生源与存储元件之间的电阻变大之后，施加电压脉冲。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种使用具有纳米间隙电极(nano-gap electrods)的存储元件的驱动方法及存储元件的存储装置。
技术介绍
当前，伴随着设备的小型化、高密度化，期望电气元件能够进一步微小化。作为电气元件的微小化的一个例子，已知有通过在间隔微小间隙(纳米间隙)的两个电极之间施加电压，以能够进行开关动作的元件。具体来说，例如，开发了一种由氧化硅和金之类的稳定的材料构成，通过倾斜蒸镀(Oblique deposition)的简便的制造方法进行制造,能够稳定并反复地进行开关动作的元件(例如，参照专利文献I)。在具有这种纳米间隙的元件(下面，称为“纳米间隙存储元件”)中，为了写入或删除，通过施加具有规定的电压值的电压脉冲，使纳米间隙存储元件从该高电阻状态(关(OFF)状态)向低电阻状态(开(ON)状态)转换，或者从低电阻状态(开(ON)状态)向高电阻状态(关(OFF)状态)转换。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2007 - 123828号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，特别是在从高电阻状态向低电阻状态转换时，存在这样的问题即使施加电压脉冲，转换成所期望的电阻状态(低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.26 JP 2010-1891321.一种存储元件的驱动方法， 所述存储元件具有: 绝缘性基板， 第一电极及第二电极，设置于所述绝缘性基板上， 电极间间隙部，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，具有纳米级的间隙，该纳米级的间隙用于通过向所述第一电极与所述第二电极之间施加规定电压而产生第一、第二电极之间的电阻值的变化现象； 通过施加电压脉冲，所述存储元件能够从规定的低电阻状态向规定的高电阻状态转换以及能够从所述高电阻状态向所述低电阻状态转换， 所述存储元件的驱动方法的特征在于， 至少在从所述高电阻状态向所述低电阻状态转换时，通过插入串联连接的电阻体，从脉冲发生源经由所述电阻体向所述存储元件施加电压脉冲，来减小电阻值变化之后的电流值， 另外，通过施加所述电压脉冲，使得与从所述低电阻状态向所述高电阻状态转换的情况相比，在从所述高电阻状态向所述低电阻状态转换的情况下，所述脉冲发生源与所述存储元件之间的电阻变大。2.如权利要求1所述的存储元件的驱动方法，其特征在于， 从所述高电阻状态向所述低电阻状态转换的情况下的所述电阻体的电阻值为2ΜΩ 0.5ΜΩ。3.一种使用存储元件的存储装置，其特征在于， 具有存储元件和电压施加部； 所述存储元件具有: 绝缘性基板， 第一电极及第二电极，设置于所述绝缘性基板上， 电极间间隙部，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，具有纳米级的间隙，该纳米级的间隙用于通过向所述第一电极与所述第二电极之间施加规定电压而产生第一、第二电极之间的电阻值的变化现象； 所述电压施加部，通过施加电压脉...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥刚，增田雄一郎，古田成生，角谷透，小野雅敏，林豊，福冈敏美，清水哲夫，库玛拉古卢巴兰·索姆，菅洋志，内藤泰久，
申请(专利权)人：独立行政法人产业技术综合研究所，株式会社船井电机新应用技术研究所，船井电机株式会社，
类型：
国别省市：