光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣除去液组合物制造技术

本发明专利技术提供一种除去在具有金属布线的半导体电路元件的制造工序中产生的光致抗蚀剂残渣以及聚合物残渣的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣除去液组合物，以及使用该组合物的残渣除去方法，特别提供不含有含氮有机羟基化合物、氨、氟化合物，含有作为残渣除去成分以金属氧化物为主要成分的残渣除去性优异的熔点25℃以上的脂肪族多元羧酸，能够抑制在清洗装置喷出液体的喷嘴或清洗槽以及腔室的周边附着溶液后，脂肪族多元羧酸通过水的蒸发而再结晶的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣除去液组合物，以及该组合物的残渣除去方法。在含有熔点25℃以上的脂肪族多元羧酸的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣除去液组合物中，含有20℃下的蒸汽压为17mmHg、在结构内具有羟基的可与水混溶的有机溶剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及除去在具有金属布线的半导体电路元件的制造工序中在干蚀刻后及灰化后残留的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣的组合物，以及使用该组合物的残渣除去方法。
技术介绍
近年来，半导体电路元件不断向微型化、高集成化方向发展，随之，需要元件结构的微型化，开始采用新的布线材料或层间绝缘膜材料。布线材料使用铜以及以铜为主要成分的铜合金，层间绝缘膜材料使用代表较低介电常数(Low-k)的芳醚化合物的有机类材料、在二氧化硅膜中导入有甲基(-CH3)的310013类材料。另外，Low-k材料以更低的介电常数化为目的，不断进行材料的多孔化。因此，在通过干蚀刻使这些新材料图案化的情况下，由于干蚀刻以及灰化条件不同，因此自然生成的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣的组成也不同。并且，铜及铜合金的抗氧化性低，Low-k材料与二氧化硅膜相比也是一种化学、物理强度低的脆弱材料。作为光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣除去液，例如在布线为铝或铝合金的情况下，提出了由“氟化合物+季铵化合物+水+有机溶剂”组成的组合物(专利文献I)或由“羟胺+烷醇胺(+有机溶剂)”组成的组合物(专利文献2)。然而，这些组合物能够对铝或铝合金将腐蚀抑制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.03 JP 2010-1983021.一种组合物，用于通过单片式清洗除去光致抗蚀剂和/或聚合物残渣，含有熔点25°C以上的脂肪族多元羧酸，以及20°C下的蒸汽压为17mmHg以下的具有羟基的有机溶剂。2.根据权利要求1所述的组合物，其中，含有水。3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，有机溶剂为选自由一价至三价的脂肪族醇、甘油的一个或两个羟基取代为烷氧基的化...

【专利技术属性】
技术研发人员：大和田拓央，
申请(专利权)人：关东化学株式会社，
类型：
国别省市：