【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光刻胶剥离组合物。
技术介绍
1、在硅基板或玻璃基板上形成cu等的金属布线图案的光刻法中，光刻胶剥离组合物用于在蚀刻或镀覆工艺后剥离多余的光刻胶被膜。在蚀刻或镀覆工艺中，抗蚀剂聚合物通过交联固化，因此，需要一种能够剥离固化抗蚀剂的剥离剂。
2、另外，作为用于布线的金属，多使用cu和al，因此期待一种对于cu和al的防腐性优异的剥离剂。因此，为了提高对于al的防腐性，开发了添加有al防腐剂的组合物，但存在al防腐剂的添加可能导致剥离性降低的问题。
3、因此，需要一种具备对于cu和al的防腐性以及剥离性的剥离剂。
4、另一方面，使用了施加超声波来剥离固化光刻胶的方法。通过施加超声波，利用其空化效应使剥离液进入基膜和抗蚀剂之间，通过冲击波粉碎剥离抗蚀剂。包含对于该方法有效的n-甲基吡咯烷酮(nmp)的剥离液存在如下问题：从环境负担及人体毒性的方面出发，nmp被限制使用，而且抗蚀剂溶解性低，可能导致液体交换次数增加以及重新向抗蚀剂基板附着。
5、专利文献1中公开了一种含有四甲基氢氧化铵(tmah)、二乙二醇单乙醚(edg)、山梨醇、烷醇胺、水的光刻胶剥离液。
6、专利文献2中公开了一种含有羟胺化合物、有机碱性化合物、醇类溶剂、表面活性剂等的半导体器件用的处理液。
7、专利文献3中公开了一种包含tmah、醇溶剂、al缓蚀剂、水的组合物，其中记载了剥离厚膜正性或负性抗蚀剂。
8、专利文献4中公开了含有tmah、甘油、edg、羧基苯并三唑的组
9、专利文献5中公开了一种含有tmah、edg、水的组合物，其中记载了，能够有效去除至少形成有包含钽的金属层作为导电性金属膜的基板上的光刻胶膜的残留物及蚀刻残渣物。
10、现有技术文献
11、专利文献
12、专利文献1：wo2021/020410
13、专利文献2：wo2019/187868
14、专利文献3：日本特表2018-503127
15、专利文献4：日本特表2013-527992
16、专利文献5：日本特开2008-58625。
技术实现思路
1、技术问题
2、然而，在上述现有的光刻胶剥离剂中，存在对于过度固化的光刻胶的剥离性不充分，或cu或al的抗腐蚀不充分的问题。本专利技术的课题在于，鉴于上述现有的问题点，提供一种对于固化后的抗蚀剂也显示高剥离性，能够抑制cu及al等接触液体的基板构成金属的腐蚀，并抑制剥离过程中cu等的金属的过度氧化的光刻胶剥离组合物。
3、技术方案
4、本专利技术人等在为了上述课题而进行探讨时发现了一种光刻胶剥离组合物，该组合物包含(a)氢氧化季铵、(b)二乙二醇单乙醚、(c)甘油和(d)水，(a)的含量相对于组合物的总质量为0.5～5质量％，(b)的含量相对于组合物的总质量为50～95质量％，(c)的含量相对于组合物的总质量为0.5～20质量％，(d)的含量相对于组合物的总质量小于20质量％，所述组合物对于固化后的抗蚀剂也显示高剥离性，能够抑制cu及al等金属的腐蚀，并抑制剥离过程中过度的金属氧化，从而完成了本专利技术。
5、即，本专利技术涉及以下方案。
6、[1]一种光刻胶剥离组合物，
7、组合物包含(a)氢氧化季铵、(b)二乙二醇单乙醚、(c)甘油和(d)水，
8、(a)的含量相对于组合物的总质量为0.5～5质量％，(b)的含量相对于组合物的总质量为50～95质量％，(c)的含量相对于组合物的总质量为0.5～20质量％，(d)的含量相对于组合物的总质量小于20质量％。
9、[2]根据[1]所述的组合物，其中，组合物既不包含羟胺，也不包含羟胺盐。
10、[3]根据[1]或[2]所述的组合物，其中，(d)水的含量相对于组合物的总质量为5质量％以下。
11、[4]根据[1]～[3]中任一项所述的组合物，其中，组合物还包含(e)乙二醇，其含量相对于组合物的总质量为1～10质量％。
12、[5]根据[1]～[4]中任一项所述的组合物，其中，组合物还包含(f)烷醇胺，其含量相对于组合物的总质量为1～20质量％。
13、[6]根据[5]所述的组合物，其中，(f)烷醇胺为单乙醇胺、二乙醇胺或2-(2-氨基乙氧基)乙醇。
14、[7]根据[1]～[6]中任一项所述的组合物，其中，组合物还包含(g)选自由4-羧基苯并三唑及5-羧基苯并三唑组成的组中的至少一种，(g)的总含量相对于组合物的总质量为0.05～1.00质量％。
15、[8]根据权利要求[1]～[7]中任一项所述的组合物，其中，(a)氢氧化季铵为选自由四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、氢氧化胆碱及乙基三甲基氢氧化铵组成的组中的一种以上。
16、[9]根据[1]～[8]中任一项所述的组合物，其中，组合物既不包含二甲基亚砜，也不包含n-甲基吡咯烷酮。
17、[10]根据[1]～[9]中任一项所述的组合物，其中，组合物既不包含氢氧化钠，也不包含氢氧化钾。
18、[11]根据[1]～[10]中任一项所述的组合物，其中，组合物不包含三嗪化合物。
19、[12]一种光刻胶的剥离方法，包括：使含有涂布在具有金属布线的基板上的光刻胶或光刻胶残渣的半导体基板与[1]～[11]中任一项所述的组合物接触，以除去光刻胶。
20、专利技术的效果
21、本专利技术的光刻胶剥离组合物对于固化后的抗蚀剂也显示高的剥离性，并能够抑制cu及al等金属的抗腐蚀和剥离过程中过度的金属氧化。金属的过度的氧化会导致器件的不良。特别是在施加超声波的条件下，容易产生过度的金属氧化，例如，水在因施加超声波所产生的热点处热分解，生成羟基自由基，由此导致金属氧化。本专利技术的光刻胶剥离组合物即使在这样的施加超声波的条件下也能够抑制cu及al等的腐蚀及过度的氧化。
22、本专利技术的组合物不需要毒性高的溶剂。
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1.一种光刻胶剥离组合物，其中，
2.根据权利要求1所述的组合物，其中，组合物既不包含羟胺，也不包含羟胺盐。
3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，(D)水的含量相对于组合物的总质量为5质量％以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的组合物，其中，组合物还包含(E)乙二醇，其含量相对于组合物的总质量为1～10质量％。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的组合物，其中，组合物还包含(F)烷醇胺，其含量相对于组合物的总质量为1～20质量％。
6.根据权利要求5所述的组合物，其中，(F)烷醇胺为单乙醇胺、二乙醇胺或2-(2-氨基乙氧基)乙醇。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的组合物，其中，
8.根据权利要求1～7中任一项所述的组合物，其中，
9.根据权利要求1～8中任一项所述的组合物，其中，
10.根据权利要求1～9中任一项所述的组合物，其中，
11.根据权利要求1～10中任一项所述的组合物，其中，
12.一种光刻胶的剥离方法，包括：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种光刻胶剥离组合物，其中，
2.根据权利要求1所述的组合物，其中，组合物既不包含羟胺，也不包含羟胺盐。
3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，(d)水的含量相对于组合物的总质量为5质量％以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的组合物，其中，组合物还包含(e)乙二醇，其含量相对于组合物的总质量为1～10质量％。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的组合物，其中，组合物还包含(f)烷醇胺，其含量相对于组合物的总质量为1～20质量％...
【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤翼，佐佐木辽，清水寿和，
申请(专利权)人：关东化学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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