光刻胶剥离组合物制造技术

技术编号:42655110 阅读:261 留言:0更新日期:2024-09-06 01:47
本发明专利技术的课题在于,提供一种对于固化后的抗蚀剂也显示高的剥离性,能够抑制Cu及Al等与液体接触的基板构成金属的腐蚀,并抑制剥离过程中Cu等金属的过度的氧化的光刻胶剥离组合物。一种光刻胶剥离组合物,组合物包含(A)氢氧化季铵、(B)二乙二醇单乙醚、(C)甘油和(D)水,(A)的含量相对于组合物的总质量为0.5~5质量%,(B)的含量相对于组合物的总质量为50~95质量%,(C)的含量相对于组合物的总质量为0.5~20质量%,(D)的含量相对于组合物的总质量小于20质量%,通过所述组合物实现上述课题。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种光刻胶剥离组合物


技术介绍

1、在硅基板或玻璃基板上形成cu等的金属布线图案的光刻法中,光刻胶剥离组合物用于在蚀刻或镀覆工艺后剥离多余的光刻胶被膜。在蚀刻或镀覆工艺中,抗蚀剂聚合物通过交联固化,因此,需要一种能够剥离固化抗蚀剂的剥离剂。

2、另外,作为用于布线的金属,多使用cu和al,因此期待一种对于cu和al的防腐性优异的剥离剂。因此,为了提高对于al的防腐性,开发了添加有al防腐剂的组合物,但存在al防腐剂的添加可能导致剥离性降低的问题。

3、因此,需要一种具备对于cu和al的防腐性以及剥离性的剥离剂。

4、另一方面,使用了施加超声波来剥离固化光刻胶的方法。通过施加超声波,利用其空化效应使剥离液进入基膜和抗蚀剂之间,通过冲击波粉碎剥离抗蚀剂。包含对于该方法有效的n-甲基吡咯烷酮(nmp)的剥离液存在如下问题:从环境负担及人体毒性的方面出发,nmp被限制使用,而且抗蚀剂溶解性低,可能导致液体交换次数增加以及重新向抗蚀剂基板附着。

5、专利文献1中公开了一种含有四甲基氢氧化铵(tmah)、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光刻胶剥离组合物,其中,

2.根据权利要求1所述的组合物,其中,组合物既不包含羟胺,也不包含羟胺盐。

3.根据权利要求1或2所述的组合物,其中,(D)水的含量相对于组合物的总质量为5质量%以下。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的组合物,其中,组合物还包含(E)乙二醇,其含量相对于组合物的总质量为1~10质量%。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的组合物,其中,组合物还包含(F)烷醇胺,其含量相对于组合物的总质量为1~20质量%。

6.根据权利要求5所述的组合物,其中,(F)烷醇胺为单乙醇胺、二乙醇胺或2-(2-氨基...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种光刻胶剥离组合物,其中,

2.根据权利要求1所述的组合物,其中,组合物既不包含羟胺,也不包含羟胺盐。

3.根据权利要求1或2所述的组合物,其中,(d)水的含量相对于组合物的总质量为5质量%以下。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的组合物,其中,组合物还包含(e)乙二醇,其含量相对于组合物的总质量为1~10质量%。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的组合物,其中,组合物还包含(f)烷醇胺,其含量相对于组合物的总质量为1~20质量%...

【专利技术属性】
技术研发人员:伊藤翼佐佐木辽清水寿和
申请(专利权)人:关东化学株式会社
类型:发明
国别省市:

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