【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光刻胶剥离组合物。
技术介绍
1、半导体集成电路通过在硅基板或玻璃基板上形成cu等金属布线图案的光刻法制造。光刻法通过如下等工序来进行：(1)在半导体基板和金属膜上涂布光刻胶；(2)通过曝光、显影转印布线图案；(3)通过蚀刻或镀覆等形成并加工布线；和(4)剥离光刻胶。
2、光刻胶为有机膜，因此，从抗蚀剂溶解性的观点出发，优选水含量少的或为非水系的剥离剂。但是，水含量少的剥离剂中会产生如下问题：水在加热处理时蒸发，破坏剥离液组合物的平衡，导致光刻胶的剥离性降低，另外，即使少量包含水的剥离液也可能会硅等产生损伤。因此，需要一种水蒸发时剥离性的降低少，且对金属布线、si等的基板的损伤小的剥离液。
3、另外，为了高效地剥离抗蚀剂，需要使聚合物链断裂，以提高在液体中的溶解性和分散性。断裂通过聚合物中的酯键水解来实现，因此希望剥离液中包含胺或铵盐氢氧化物等强碱，但是在含水组成中包含强碱的剥离液中，会对si或al产生损伤。因此，需要一种虽然为强碱性，但对si或al等的损伤小、水含量少、或为非水系的剥离剂。
4、另外，剥离剂用于在蚀刻或镀覆工艺后除去多余的光刻胶皮膜，但蚀刻或镀覆工艺中光刻胶会固化，从而经常难以剥离。因此，需要一种可以除去固化抗蚀剂的剥离剂。
5、专利文献1中公开了一种混合有thah、eg、dmso的组合物及混合有thah、pg、dmso的不含水的组合物。
6、专利文献2中记载了，混合有thah、eg、dmso的组合物等对于在离子注入工序后剥离光刻胶有
7、专利文献3中记载了一种包含dmso、tmah、烷醇胺、缓蚀剂和水的光刻胶剥离溶液。
8、现有技术文献
9、专利文献
10、专利文献1：日本特开2006-317714
11、专利文献2：日本特开2013-500503
12、专利文献3：日本特开2019-113848
技术实现思路
1、技术问题
2、然而，在上述现有的光刻胶剥离剂中，存在如下等问题：对于过度固化的光刻胶的剥离性不充分；对金属布线、si等的基板带来损伤；包含水时，蒸发时剥离性降低；原料及制造成本高。
3、本专利技术的课题在于，鉴于上述现有的问题，提供一种对于固化后的抗蚀剂也具有高剥离性，即使是含有少量水的组成，水蒸发时的剥离性降低也较少，且对金属布线、si等的基板的损伤小的剥离剂。
4、技术方案
5、如上所述，为了实现高抗蚀剂溶解性，优选非水系的剥离剂，但剥离剂中经常使用的季铵盐通常作为水溶液制造和销售，因此，为了制成非水系剥离液，需要除去水。作为用于此的方法，可举出使用季铵盐的有机溶剂溶液，但季铵盐的有机溶剂溶液存在相比水溶液价格更高的缺点，另一方面，从季铵盐的水溶液中蒸发水耗费人力和成本。
6、本专利技术人等为了解决上述课题而进行探讨时发现了一种光刻胶剥离组合物，该组合物包含(a)氢氧化季铵、(b)糖醇、(c)胺、(d)水、(e)dmso和(f)乙二醇，(d)水的含量相对于组合物的总质量为1.0～10质量％，即使是含有少量水的组成，水蒸发时剥离性的降低也较少，对金属布线、si等的基板的损伤小，从而完成了本专利技术。
7、即，本专利技术涉及以下方案。
8、[1]一种光刻胶剥离组合物，其中，组合物包含(a)氢氧化季铵、(b)糖醇、(c)胺、(d)水、(e)dmso和(f)乙二醇，(d)水的含量相对于组合物的总质量为1.0～10质量％。
9、[2]根据[1]所述的组合物，其中，(a)的含量相对于组合物的总质量为1.0～10质量％，(b)的含量相对于组合物的总质量为0.1～20质量％，(c)的含量相对于组合物的总质量为1.0～20质量％，(d)的含量相对于组合物的总质量为1.0～10质量％，(e)的含量相对于组合物的总质量为20～90质量％，以及(f)的含量相对于组合物的总质量为1～10质量％。
10、[3]根据[1]或[2]所述的组合物，其中，(c)胺为选自单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、n-甲氨基乙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、2-[2-(二甲氨基)乙氧基]乙醇、二异丙醇胺中的至少一种化合物或它们的混合物。
11、[4]根据[1]～[3]中任一项所述的组合物，其中，(c)胺为2-(2-氨基乙氧基)乙醇或2-[2-(二甲氨基)乙氧基]乙醇。
12、[5]根据[1]～[4]中任一项所述的组合物，其中，不包含1atm下的沸点为70℃以下的化合物。
13、[6]根据[1]～[5]中任一项所述的组合物，其中，(a)氢氧化季铵为下述通式表示的化合物或它们的混合物，其含量为1～5％。
14、r1、r2、r3、r4分别独立地表示碳原子数1～3的烷基或羟基烷基。
15、化学式1
16、
17、[7]根据[1]～[6]中任一项所述的组合物，其中，(b)糖醇为选自山梨醇、木糖醇、赤藓糖醇、甘露醇、甘油中的至少一种化合物或它们的混合物。
18、[8]一种光刻胶的剥离方法，包括：使含有涂布在具有金属布线的基板上的光刻胶或光刻胶残渣的半导体基板与[1]～[7]中任一项所述的组合物接触，以除去光刻胶。
19、专利技术的效果
20、在本专利技术的组成中，即使为强碱性的含水组成，也可以实现高剥离性，同时不会为金属布线、si等的基板带来损伤，因此可以适用于需要与金属的选择性的难度较高的工序。另外，由于在对si、al、cu等均防腐的同时，能够实现高剥离性，因此也能够适用于难度更高的工序。并且，由于不会因水的蒸发而导致剥离性降低，因此可以长时间使用，能够减少液体交换次数。另外，与现有的非水系且包含强碱的剥离液相比，制造成本低。由此，可以降低成本、减轻环境负担。
21、特别是，在除dmso之外还应用eg作为添加剂的情况下，与应用1,3-pg等作为添加剂的情况等相比，剥离性大幅度提高。并且，在应用eg作为添加剂的情况下，与应用1,3-pg等作为添加剂的情况相比，si防腐性大大提高。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种光刻胶剥离组合物，其中，
2.根据权利要求1所述的组合物，其中，
3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的组合物，其中，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的组合物，其中，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的组合物，其中，
7.根据权利要求1～6中任一项所述的组合物，其中，
8.一种光刻胶的剥离方法，包括：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种光刻胶剥离组合物，其中，
2.根据权利要求1所述的组合物，其中，
3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的组合物，其中，
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【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤翼，佐佐木辽，清水寿和，
申请(专利权)人：关东化学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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