光刻胶剥离组合物制造技术

本发明专利技术的课题在于，提供一种对于固化后的抗蚀剂也显示高的剥离性，即使是含有少量水的组成，水蒸发时剥离性降低也较少，且能够抑制Cu或Al及Si等与液体接触的基板构成金属的腐蚀的光刻胶剥离组合物。一种光刻胶剥离组合物，组合物包含(A)氢氧化季铵、(B)糖醇、(C)胺、(D)水、(E)DMSO和(F)乙二醇，(D)水的含量相对于组合物的总质量为1.0～10质量％，通过该组合物实现上述课题。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种光刻胶剥离组合物。

技术介绍

1、半导体集成电路通过在硅基板或玻璃基板上形成cu等金属布线图案的光刻法制造。光刻法通过如下等工序来进行：(1)在半导体基板和金属膜上涂布光刻胶；(2)通过曝光、显影转印布线图案；(3)通过蚀刻或镀覆等形成并加工布线；和(4)剥离光刻胶。

2、光刻胶为有机膜，因此，从抗蚀剂溶解性的观点出发，优选水含量少的或为非水系的剥离剂。但是，水含量少的剥离剂中会产生如下问题：水在加热处理时蒸发，破坏剥离液组合物的平衡，导致光刻胶的剥离性降低，另外，即使少量包含水的剥离液也可能会硅等产生损伤。因此，需要一种水蒸发时剥离性的降低少，且对金属布线、si等的基板的损伤小的剥离液。

3、另外，为了高效地剥离抗蚀剂，需要使聚合物链断裂，以提高在液体中的溶解性和分散性。断裂通过聚合物中的酯键水解来实现，因此希望剥离液中包含胺或铵盐氢氧化物等强碱，但是在含水组成中包含强碱的剥离液中，会对si或al产生损伤。因此，需要一种虽然为强碱性，但对si或al等的损伤小、水含量少、或为非水系的剥离剂。p>

4、另外，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光刻胶剥离组合物，其中，

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的组合物，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的组合物，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的组合物，其中，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的组合物，其中，

8.一种光刻胶的剥离方法，包括：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种光刻胶剥离组合物，其中，

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的组合物，其中，

5....

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤翼，佐佐木辽，清水寿和，
申请(专利权)人：关东化学株式会社，
类型：发明
国别省市：