聚合物、其制备方法、及包含其的光敏性树脂组合物技术

本发明专利技术揭示一种聚合物、其制备方法、及包含其的光敏性树脂组合物。该聚合物具有式(I)所示的结构其中，R1为-OH、或-COOH；A1为A2独立地为A3独立地为A4为Z为-O-、-SO2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、m为大于1的整数；n为大于1的整数；i为1至3的整数；以及，j为1至20的整数，且该重复单元与该重复单元以无规方式排列。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种聚合物、其制备方法、及包含其的光敏性树脂组合物。
技术介绍
聚酰亚胺(polyimide,PI)由于具有优异的热稳定性及良好的机械，电气及化学性质，被广泛地应用于半导体及显示器产业，例如作为半导体晶片保护膜、或显示器上的绝缘层。随着当今电子产品的运算速度提升、产品尺寸缩小及功耗降低等高功能的方向需求驱使下，封装趋势往立体堆迭与增加集积度的方向前进，如此一来，导致对低固化温度、低应力的材料需求。然而，传统感光性聚酰亚胺需在350℃高温下进行亚酰胺化(imidization)，方能达到优异的热稳定性及良好的机械，电气及化学性质。此外，传统感光性聚酰亚胺在高温固化后容易形成具有高内应力的膜层，导致形成其下的基材弯曲变形、龟裂、或产生脱层现象，而使得半导体元件受损。基于上述，业界需要一种具有低固化温度及低应力的聚合物材料，以满足目前半导体及显示器制程。
技术实现思路
本专利技术公开一种聚合物，该聚合物具有式(I)所示的结构式(I)其中，R1为-OH、或-COOH；A1为A2独立地为A3独立地为A4为Z为-O-、-SO2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、m本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种聚合物，具有式(I)所示的结构其中，R1为‑OH、或‑COOH；A1为A2独立地为A3独立地为A4为Z为‑O‑、‑SO2‑、‑C(CH3)2‑、‑C(CF3)2‑、m为大于1的整数；n为大于1的整数；i为1至3的整数；以及，j为1至20的整数；且该重复单元与该重复单元以无规方式排列。

【技术特征摘要】
1.一种聚合物，具有式(I)所示的结构其中，R1为-OH、或-COOH；A1为A2独立地为A3独立地为A4为Z为-O-、-SO2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、m为大于1的整数；n为大于1的整数；i为1至3的整数；以及，j为1至20的整数；且该重复单元与该重复单元以无规方式排列。2.如权利要求1所述的聚合物，其中m/(m+n)的值为0.05至0.9。3.如权利要求1所述的聚合物，其中m/(m+n)的值为0.1至0.4。4.一种聚合物的制造方法，包含：对组合物进行聚合反应，得到如权利要求1所述的聚合物，其中该组合物包含具有式(II)的酸酐、具有式(III)的二胺、具有式(IV)的二胺、以及具有式(V)的化合物H2N-A2-NH2式(IV)H2N-A3-R1式(V)其中，R1为-OH、或-COOH；A1为A2独立地为A3独立地为A4为Z为-O-、-SO2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、i为1至3的整数；以及，j为1至20的整数。5.如权利要求4所述的聚合物的制造方法，其中该具有式(II)的酸酐的用量为1摩尔份、该具有式(III)的二胺的用量为0.2至0.5摩尔份、该具有式(IV)的二胺的用量为0.4至0.9摩尔份、以及该具有式(V)的化合物的用量为0.1至0.4摩尔份。6.如权利要求4所述的聚合物的制造方法，其中该具有式(III)及具有式(IV)的二胺的摩尔数加上半倍的该具有式(V)的化合物的摩尔数与该具有式(II)的酸酐的摩尔数的比值为0.7至1.6。7.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑志龙，蔡政禹，杨伟达，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71