一种去除光刻胶的溶液及其应用制造技术

本发明专利技术提供了一种去除光刻胶的溶液及其应用，所述溶液包括A组分和B组分，A组分为硫酸和过氧化氢混合溶液，B组分为聚乙二醇辛基苯基醚。使用时，将A组分和B组分按9：1的重量比混合。本发明专利技术首次将聚乙二醇辛基苯基醚作为表面活性剂用于去除光刻胶的溶液中，它可溶于水，容易稀释，当与硫酸和过氧化氢混合时可以使溶液达到很高的温度。与硫酸和过氧化氢混合物相比，含有聚乙二醇辛基苯基醚的混合液可以更快地溶解离子植入光刻胶。聚乙二醇辛基苯基醚可以保证在更短的处理时间内完成该特殊的处理过程，达到更加完整的去除效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化工领域，具体地说，涉及一种去除光刻胶的溶液及其应用。
技术介绍
目前，移除光刻胶有多种方法，包括紫外线、臭氧、有机溶剂、氧等离子体以及使用硫酸和过氧化氢或过硫酸铵的传统的湿法化学移除法。最常见的用于处理半导体晶片的湿法化学光刻胶去除技术采用硫酸和过氧化氢的混合物。过氧化氢通常溶解于水中，当与硫酸混合时会产生放热反应。放热反应产生热量，因此能够相当显著地升高温度。某些情况下，需要加入蒸汽来促使温度上升得更高。一般而言，温度越高，去除光刻胶的化学反应越强烈。相比较低温情况下，使得光刻胶的去除速度加快了许多。特别是在半导体生产过程中，光刻胶在不同的步骤会接触到不同的环境。当光刻胶接触到在离子植入过程中产生的轰击离子，会产生交联化学键，使光刻胶更加难以去除。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种新型的去除光刻胶的溶液及其应用。为了实现本专利技术目的，本专利技术的一种去除光刻胶的溶液，包括A组分和B组分，A组分为硫酸和过氧化氢混合溶液，B组分为聚乙二醇辛基苯基醚。其中，A组分和B组分的重量比为9:1。前述溶液中，A组分由浓度为96%的硫酸和浓度为30%的过氧化氢按4:1的重量比组成。本专利技术还提供上述溶液在去除光刻胶中的应用。包括以下步骤先将A组分喷洒到半导体晶片(半导体硅片)上，再将B组分喷洒到晶片的相同位置上，使A组分和B组分充分混合。热对流是指当硫酸与水混合时发生的放热反应。当过氧化氢溶液含70%水时，发生的剧烈的放热反应能产生100°c以上的高温。添加聚乙二醇辛基苯基醚会加剧这种反应。聚乙二醇辛基苯基醚会明显升高硫酸和过氧化氢混合液的温度，也会增强化学反应的效果，经验证，三种化学制品的混合液确实在很大程度上(30%)增强了光刻胶的去除效果，也可以用于去除因接触到热处理，如用于离子注入的强力烘烤或在某些温和条件下产生交联的光刻胶。本专利技术的优点在于本专利技术首次将聚乙二醇辛基苯基醚作为表面活性剂用于去除光刻胶的溶液中，它可溶于水，容易稀释，当与硫酸和过氧化氢混合时可以使溶液达到很高的温度。与硫酸和过氧化氢混合物相比，含有聚乙二醇辛基苯基醚的混合液可以更快地溶解离子植入光刻胶。聚乙二醇辛基苯基醚可以保证在更短的处理时间内完成该特殊的处理过程，达到更加完整的去除效果。具体实施例方式以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。若未特别指明，实施例中所用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段，所用原料均为市售商品。实施例1去除光刻胶的溶液及其配制1.1溶液配方A组分将浓度为96%的硫酸和浓度为30%的过氧化氢按4:1的重量比混合。B组分聚乙二醇辛基苯基醚。使用时，A组分和B组分的重量比为9:1。实施例2去除光刻胶的溶液的应用将实施例1的A组分所包括的硫酸和过氧化氢分别从加压的容器中输送至由聚四氟乙烯和全氟烷氧基树脂组成的装管中混合起来，盛放于由全氟烷氧基树脂组成的混合室中，然后喷洒到薄片(半导体硅片)上。聚乙二醇辛基苯基醚(B组分)通过二次喷洒与前面的A组分混合。与未添加聚乙二醇辛基苯基醚的硫酸和过氧化氢混合液相比，聚乙二醇辛基苯基醚对光刻胶的移除起到增强作用，移除率提高了 30%。虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施方案对本专利技术作了详尽的描述，但在本专利技术基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本专利技术精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本专利技术要求保护的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除光刻胶的溶液，其特征在于，包括A组分和B组分，A组分为硫酸和过氧化氢混合溶液，B组分为聚乙二醇辛基苯基醚。

【技术特征摘要】
1.一种去除光刻胶的溶液，其特征在于，包括A组分和B组分，A组分为硫酸和过氧化氢混合溶液，B组分为聚乙二醇辛基苯基醚。2.根据权利要求1所述的溶液，其特征在于，A组分和B组分的重量比为9:1。3.根据权利要求2所述的溶液，其特征在于，A组分由浓度为96...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐·伯克曼，阴志先，马嘉，
申请(专利权)人：北京七星华创电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：