RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备制造技术

本发明专利技术涉及RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备。所述RRC(减胶涂覆)过程用的稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1‑C5非基于醚的烷基。

【技术实现步骤摘要】

实施方案涉及减胶涂覆(抗蚀剂减少的涂覆，resist reduced coating, RRC)过程用的稀释剂组合物。
技术介绍
随着导致更小特征(feature)的电子器件设计准则(design rule)的减小化(decrease)，已经考虑用于电子器件的制造的更小图案。为此，远紫外(EUV)光刻术(lithography)光刻胶(光致抗蚀剂，photoresist)可用于制造半导体器件。
技术实现思路
根据一个实施方案，提供减胶涂覆过程或边缘球状物去除(边胶去除，edge beadremoval)过程用的稀释剂组合物(thinner composition),所述稀释剂组合物包含乳酸烧基酷、环己丽和乙酸烧基酷，其中所述乙酸烧基酷的烧基取代基为C1-C5非基于酿的烧基(non-ether based alkyl)。所述稀释剂组合物可包含约40重量份-约90重量份的乳酸烷基酯、约5重量份-约30重量份的环己酮和约I重量份-约30重量份的乙酸烷基酯，基于100重量份的所述稀释剂组合物。所述稀释剂组合物可包含约60重量份-约80重量份的乳酸烷基酯、约10重量份-约30重量份的环己酮和约1本文档来自技高网...

【技术保护点】
减胶涂覆过程或边缘球状物去除过程用的稀释剂组合物，所述稀释剂组合物包含：乳酸烷基酯；环己酮；和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1?C5非基于醚的烷基。

【技术特征摘要】
2011.09.22 KR 10-2011-00958141.减胶涂覆过程或边缘球状物去除过程用的稀释剂组合物，所述稀释剂组合物包含乳酸烷基酯；环己酮；和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烧基酷的烧基取代基为C1-C5非基于酿的烧基。2.如权利要求1所述的稀释剂组合物，其中所述稀释剂组合物包含40重量份-90重量 份的所述乳酸烷基酯，5重量份-30重量份的环己酮和1重量份-30重量份的所述乙酸烷基 酯，基于100重量份的所述稀释剂组合物。3.如权利要求2所述的稀释剂组合物，其中所述稀释剂组合物包含60重量份-80重量 份的所述乳酸烷基酯，10重量份-30重量份的环己酮和10重量份-20重量份的所述乙酸烷 基酯，基于100重量份的所述稀释剂组合物。4.如权利要求1所述的稀释剂组合物，进一步包含基于硅的表面活性剂。5.如权利要求4所述的稀释剂组合物，其中所述基于硅的表面活性剂的量在基于100 重量份的所述稀释剂组合物的0. 001重量份-1重量份的范围内。6.如权利要求5所述的稀释剂组合物，其中所述基于硅的表面活性剂为基于聚硅氧烷 的表面活性剂。7.如权利要求1所述的稀释剂组合物，其中所述乳酸烷基酯的烷基取代基为C1-C3烷基。8.如权利要求7所述的稀释剂组合物，其中所述乳酸烷基酯的所述烷基取代基为甲基 或乙基。9.如权利要求1所述的稀释剂组合物，其中所述乙酸烷基酯的所述烷基取代基为甲 基、Zi基、或丙基。10.如权利要求1所述的稀释剂组合物，其中所述稀释剂组合物不包括甲基乙基酮 (MEK)、基于内酯的物质、基于丙酸酯的物质、基于醚的物质、或其衍生物。11.如权利要求1所述的稀释剂组合物，其中所述稀释剂组合物不包括甲基乙基酮 (MEK)、y - 丁内酯、基于丙酸酯的物质、基于醚的物质、或其衍生物。12.如权利要求1所述的稀...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹孝镇，辛成健，李孝善，金柄郁，金贤友，尹锡壹，权五焕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，株式会社东进世美肯，
类型：发明
国别省市：