RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备制造技术

本发明专利技术涉及RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备。所述RRC(减胶涂覆)过程用的稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1‑C5非基于醚的烷基。

【技术实现步骤摘要】

实施方案涉及减胶涂覆(抗蚀剂减少的涂覆，resist reduced coating, RRC)过程用的稀释剂组合物。
技术介绍
随着导致更小特征(feature)的电子器件设计准则(design rule)的减小化(decrease)，已经考虑用于电子器件的制造的更小图案。为此，远紫外(EUV)光刻术(lithography)光刻胶(光致抗蚀剂，photoresist)可用于制造半导体器件。
技术实现思路
根据一个实施方案，提供减胶涂覆过程或边缘球状物去除(边胶去除，edge beadremoval)过程用的稀释剂组合物(thinner composition),所述稀释剂组合物包含乳酸烧基酷、环己丽和乙酸烧基酷，其中所述乙酸烧基酷的烧基取代基为C1-C5非基于酿的烧基(non-ether based alkyl)。所述稀释剂组合物可包含约40重量份-约90重量份的乳酸烷基酯、约5重量份-约30重量份的环己酮和约I重量份-约30重量份的乙酸烷基酯，基于100重量份的所述稀释剂组合物。所述稀释剂组合物可包含约60重量份-约80重量份的乳酸烷基酯、约10重量份-约30重量份的环己酮和约10重量份-约20重量份的乙酸烷基酯，基于100重量份的所述稀释剂组合物。所述稀释剂组合物可进一步包含基于硅的表面活性剂。所述基于硅的表面活性剂的量可在0.001重量份-约I重量份的范围内，基于100重量份的所述稀释剂组合物。所述基于硅的表面活性剂可为基于聚硅氧烷的表面活性剂。所述乳酸烧基酷的烧基取代基可为C1-C3烧基。所述乳酸烧基酷的所述烧基取代基为甲基或乙基。所述乙酸烷基酯的所述烷基取代基可为甲基、乙基或丙基。所述稀释剂组合物可不包括甲基乙基酮(MEK)、基于内酯的物质、基于丙酸酯的物质、基于醚的物质、或其衍生物。所述稀释剂组合物可不包括甲基乙基酮(MEK)、Y-丁内酯、基于丙酸酯的物质、基于醚的物质、或其衍生物。所述稀释剂组合物可不包括甲基乙基酮(MEK)、基于内酯的物质、基于丙酸酯的物质、丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)或丙二醇单甲基醚(PGME)。所述稀释剂组合物可基本上由乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯组成，所述乙酸烷基酯的所述烷基取代基为C1-C5非基于醚的烷基。根据一个实施方案，提供用于供应减胶涂覆(RRC)过程用的稀释剂组合物的设备，所述设备包括能密封的容器；容纳在所述容器中的如上所述的稀释剂组合物；喷嘴部分，其连接至所述容器和配置成将所述稀释剂组合物输送至期望位置；流量控制器，其配置成将所述稀释剂组合物的体积流速控制为在5cm3/分钟-1OOcm3/分钟的范围内。根据一个实施方案，提供基本上由以下组成的稀释剂组合物基于100重量份的所述稀释剂组合物，约40重量份-约90重量份的量的乳酸烷基酯；基于100重量份的所述稀释剂组合物，约5重量份-约30重量份的量的环己酮；基于100重量份的所述稀释剂组合物，约I重量份-约30重量份的量的乙酸烷基酯；以及基于100重量份的所述稀释剂组合物，O重量份-约I重量份的量的基于聚硅氧烷的表面活性剂。所述乳酸烷基酯的量可为约60重量份-约80重量份，基于100重量份的所述稀释剂组合物。所述环己酮的量可为约10重量份-约30重量份，基于100重量份的所述稀释剂组合物。所述乙酸烷基酯的量可为约10重量份-约20重量份，基于100重量份的所述稀释剂组合物。所述基于聚娃氧烧的表面活性剂的量可为0.001重量份-约I重量份，基于100重量份的所述稀释剂组合物。所述乳酸烷基酯可为乳酸甲酯和所述乙酸烷基酯可为乙酸丙酯。附图说明通过参考附图详细描述示例性实施方案，特征对于本领域的普通技术人员而言将变得明晰，在所述附图中图1A-1C说明根据一个实施方案的减胶涂覆(RRC)过程的阶段的截面图；图2A和2B说明根据一个实施方案的边缘球状物去除(EBR)过程的阶段的截面图；图3说明根据一个实施方案的用于供应RRC过程用的稀释剂组合物的设备的概念图(草图，conceptual view)；图4A-4C说明显示通过使用根据一个实施方案的RRC过程用的稀释剂组合物形成的光刻胶层的厚度分布的图；图5A-5C说明当使用常规的EBR过程用的稀释剂组合物作为EBR过程用的稀释剂组合物进行EBR过程时获得的扫描电子显微镜(SEM)图像；和图6A-6C说明当使用根据一个实施方案制备的RRC过程用的稀释剂组合物作为EBR过程用的稀释剂组合物进行EBR过程时获得的SEM图像。具体实施方案现在将在下文中参考附图更充分地描述示例性实施方案；然而，它们可以不同的形式体现且不应解释为限于本文中阐明的实施方案。相反，提供这些实施方案使得本公开内容是彻底且完整的，并且将充分地将本专利技术的范围传达给本领域技术人员。在附图中，为了说明的清楚，可放大层和区域的尺寸。相同的附图标记始终是指相同的元件。将理解，虽然在本文中使用术语“第一”和“第二”描述各种元件，但这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不偏离本公开内容的教导的情况下，以下讨论的第一元件可称为第二元件，并且类似地，第二元件可称为第一兀件。本文中使用的术语仅为了描述具体实施方案并且不意图限制本专利技术。如本文中使用的，单数形式“一个(种)(a，an)”和“该(所述)”也意图包括复数形式，除非上下文清楚地另外说明。将进一步理解，术语“包括”和/或“包含”，当在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、整体(integer)、步骤、操作、元件和/或组件(组分)的存在，但不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件(组分)、和/或其集合的存在或添加。除非另外定义，本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。将进一步理解，术语例如在常用字典中定义的那些，应解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于形式的意义进行解释，除非在本文中明确地如此定义。可进行减胶涂覆(RRC)过程以实现EUV用光刻胶在基片上的完整和均匀的涂覆和去除不必要的和过量的光刻胶。术语“RRC过程”是指在基片上形成光刻胶层之前用于在该基片上形成稀释剂组合物的层的过程。图1A-1C说明用于解释RRC过程的基片110和组合物层的截面图。参考图1A，在基片110上形成RRC过程用的稀释剂组合物120的层。基片110可包括半导体材料，例如，第IV族半导体、第II1-V族化合物半导体、或第I1-VI族氧化物半导体。例如，第IV族半导体可包括娃、锗或娃-锗。在另外的实施(implementation)中，基片110可为绝缘体上娃(silicon-on-1nsulator, SOI)基片、包括SiO2或其它无机氧化物的绝缘基片、玻璃基片坐寸ο参考图1A，稀释剂组合物120可在基片110旋转的同时通过喷嘴105a供应到基片110上。由于通过基片110的旋转产生的稀释剂组合物120的离心力，可形成具有基本上均匀的厚度的层。虽然稀释剂组合物120的层可通过如图1A中所示的旋涂形成，但在另外的实施中，也可使用各种其它已知的方法在基片110上形成稀释剂组合物120的层。参考图1B，光刻胶组合物130可通本文档来自技高网...

【技术保护点】
减胶涂覆过程或边缘球状物去除过程用的稀释剂组合物，所述稀释剂组合物包含：乳酸烷基酯；环己酮；和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1?C5非基于醚的烷基。

【技术特征摘要】
2011.09.22 KR 10-2011-00958141.减胶涂覆过程或边缘球状物去除过程用的稀释剂组合物，所述稀释剂组合物包含乳酸烷基酯；环己酮；和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烧基酷的烧基取代基为C1-C5非基于酿的烧基。2.如权利要求1所述的稀释剂组合物，其中所述稀释剂组合物包含40重量份-90重量 份的所述乳酸烷基酯，5重量份-30重量份的环己酮和1重量份-30重量份的所述乙酸烷基 酯，基于100重量份的所述稀释剂组合物。3.如权利要求2所述的稀释剂组合物，其中所述稀释剂组合物包含60重量份-80重量 份的所述乳酸烷基酯，10重量份-30重量份的环己酮和10重量份-20重量份的所述乙酸烷 基酯，基于100重量份的所述稀释剂组合物。4.如权利要求1所述的稀释剂组合物，进一步包含基于硅的表面活性剂。5.如权利要求4所述的稀释剂组合物，其中所述基于硅的表面活性剂的量在基于100 重量份的所述稀释剂组合物的0. 001重量份-1重量份的范围内。6.如权利要求5所述的稀释剂组合物，其中所述基于硅的表面活性剂为基于聚硅氧烷 的表面活性剂。7.如权利要求1所述的稀释剂组合物，其中所述乳酸烷基酯的烷基取代基为C1-C3烷基。8.如权利要求7所述的稀释剂组合物，其中所述乳酸烷基酯的所述烷基取代基为甲基 或乙基。9.如权利要求1所述的稀释剂组合物，其中所述乙酸烷基酯的所述烷基取代基为甲 基、Zi基、或丙基。10.如权利要求1所述的稀释剂组合物，其中所述稀释剂组合物不包括甲基乙基酮 (MEK)、基于内酯的物质、基于丙酸酯的物质、基于醚的物质、或其衍生物。11.如权利要求1所述的稀释剂组合物，其中所述稀释剂组合物不包括甲基乙基酮 (MEK)、y - 丁内酯、基于丙酸酯的物质、基于醚的物质、或其衍生物。12.如权利要求1所述的稀...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹孝镇，辛成健，李孝善，金柄郁，金贤友，尹锡壹，权五焕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，株式会社东进世美肯，
类型：发明
国别省市：