【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及适用于硅酸盐剥离的液体去除组合物及方法，所述硅酸盐剥离为例如从具有在其上沉积的牺牲性抗反射硅酸盐材料和/或蚀刻后残留物的微电子器件上的所述材料的液体去除，特别是当所述牺牲性抗反射硅酸盐材料与之下的硅酸盐材料和例如铝、铜和钴合金的互连金属一起存在时，理想的是所述互连金属不会受到所述液体去除组合物的影响。
技术介绍
目前，存在四种在光刻工业中使用的辐射波长——436nm、365nm、248nm和 193nm——近期努力的重点则集中于157nm光刻的工艺上。从理论上讲，随着每次的波长减小，可以在半导体芯片上构造出更小的图形。然而，由于微电子器件基板的反射率与光刻波长成反比，干涉及不均匀曝光的光致抗蚀剂已限制了微电子器件临界尺寸的一致性。例如，当曝光于DUV辐射时，公知的是，光致抗蚀剂的透射率与基板对DUV波长的高反射率的结合将导致DUV辐射被反射回到光致抗蚀剂中，从而在光致抗蚀剂层中产生驻波。该驻波引发在光致抗蚀剂中进一步的光化学反应，造成光致抗蚀剂的不均匀曝光，其中包括不打算暴露于辐射的掩蔽部分，这导致线宽、间距以及其它临界尺寸的变化。为了解决透射率和...
【技术保护点】
一种液体去除组合物，其包含至少一种含氟化合物、至少一种有机溶剂、任选的水和任选的至少一种螯合剂，其中所述液体去除组合物适用于从其上具有牺牲性抗反射涂层(SARC)材料和蚀刻后残留物的微电子器件上去除这些材料和残留物。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：梅利莎·K·拉斯，大卫·D·伯恩哈德，大卫·W·明赛克，托马斯·H·鲍姆，
申请(专利权)人：高级技术材料公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。