氙气和其他高价值化合物的回收制造技术

用于从含高价值气体、例如氙气的工艺流、材料或环境对其进行回收的系统和方法，通过将来自工艺流、材料或环境的气体与能有效吸附捕获高价值气体的碳吸附剂接触，以去除或降低所述工艺流、材料或环境的含高价值气体的气体中与高价值气体共存的流体物种的浓度。本文公开内容的其他方面包括氡气检测方法和产品。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氙气和其他高价值化合物的回收相关申请的交叉引用本申请要求2010年6月25日提交的第61/358,843号美国临时专利申请的参照35USC119的优先权。领域本专利技术涉及从含有化合物的工艺流(process stream)、材料或环境吸附回收化合物。相关技术描述在许多工业化生产过程和工业应用中，气态材料被生产出或以其他方式存在，所述气态材料如果不回收、再循环、和/或再加工，则其易于损失或降解。这种材料可以是化学反应或处理过程的副产物、利用气体应用中未完全消耗的气体、矿产开采操作中的气态流出物等。这些气态材料可作为再循环原料或试剂、或作为用于进一步加工或使用的原材料而具有重要价值。这些材料也可能是工艺流程或相关设施周围环境中的重要污染源，因此需要捕获以防止这类污染的发生。专利技术概沭本文公开内容涉及从含有化合物的工艺流、材料或环境吸附回收化合物。 本文公开内容一方面涉及一种从含有氙气的工艺流、材料或环境回收氙气的方法，所述方法包括将源自这种工艺流、材料或环境的含氙气体与能有效吸附捕获含氙气体的碳吸附剂接触，去除或降低所述工艺流、材料或环境的含氙气体中最初与该氙共存的液态物种的浓度，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.25 US 61/358,8431.一种从含氙气的工艺流、材料或环境中回收氙气的方法，包括将来自所述工艺流、材料或环境的含氙气体与能有效吸附捕获所述气体的碳吸附剂接触，以去除或降低所述工艺流、材料或环境的所述含氙气体中初始与所述氙气共存的流体物种的浓度，其中该碳吸附剂具有的堆积密度在750至1300kg每立方米(kg/m3)范围内，且大多数孔的孔隙率在5至8埃范围内。2.权利要求1的方法，其中在所述接触前处理含氙气体以移除所述含氙气体中的一种以上对所述吸附剂有害的组分。3.权利要求2的方法，其中所述一种以上组分包括二氟化氙和氮气中的至少一种。4.权利要求2的方法，其中所述一种以上组分包括氮气。5.权利要求4的方法，其中处理含氙气体以从其中吸附移除氮气，产生氮气减少的气体用于所述接触。6.权利要求2的方法，其中所述一种以上组分包括二氟化氙。7.权利要求6的方法，其中处理含氙气体以将所述二氟化氙泠凝至固体形式，产生二氟化氙减少的气体用于所述接触。8.权利要求1的方法，其中所述碳吸附剂具有的堆积密度在800至1200kg/m3范围内。9.权利要求8的方法，其中所述碳吸附剂为颗粒形式。10.权利要求9的方法，其中所述碳吸附剂在流体密封容器中，该流体密封容器被设置用于接收所述含氙气体用于接触。11.权利要求8的方法，其中所述碳吸附剂为单块体形式。12.权利要求11的方法，其中所述碳吸附剂在流体密封容器中，该流体密封容器被设置用于接收所述含氙气体用于接触。13.权利要求8的方法，其中所述碳吸附剂为聚偏二氯乙烯树脂的热解产物。14.权利要求13的方法，其中在热解后处理所述碳吸附剂以改变其用于吸附氙气的孔隙率。15.权利要求14的方法，其中通过包括水、蒸汽、渗透气体、高温和高压中的至少一种处理方式，处理所述碳吸附剂以改变其用于吸附氙气的孔隙率。16.权利要求15的方法，其中所述碳吸附剂为单块体形式。17.权利要求1的方法，其中所述含氙气体由氙气回收工艺提供，所述氙气回收工艺将来源气体混合物中的氙气由百万分之一水平浓缩至百分之一水平。18.权利要求1的方法，其中所述含氙气体由使用二氟化氙的半导体制造装置清洁工艺提供。19.权利要求18的方法，其中所述清洁工艺包括等离子体清洁工艺。20.权利要求18的方法，其中所述清洁工艺不使用等离子体。21.权利要求18的方法，其中半导体制造装置包括离子注入装置。22.—种氙气捕获装置，包括: 密闭容器； 该密闭容器中的碳吸附 剂，其中该碳吸附剂对氙气有选择性，且其中该碳吸附剂具有的堆积密度在750至1300kg每立方米(kg/m3)范围内，且大多数孔的孔隙率在5至8埃范围内。23.权利要求22的氙气捕获装置，其中密闭容器适于含氙气体的流经，使碳吸附剂选择性吸附含氙气体中的氙气,且该容器使所述含氙气体的非氙气组分从其中排出。24.权利要求22的氙气捕获装置，其中密闭容器适于含氙气体的流入，而不会同时从该密闭容器中排出气体。25.权利要求22的氙气捕获装置，其中以与含氙气体源呈流动接收的关系配置密闭容器。26.权利要求25的氙气捕获装置，其中所述含氙气体源包括氙气浓缩单元，该氙气浓缩单元将所述含氙气体的氙气浓度从百万分之一水平提高至百分之一水平。27.权利要求25的氙气捕获装置，其中所述含氙气体源包括离子注入装置，该离子注入装置配置用于从二氟化氙源接收二氟化氙清洁气体。28.权利要求25的氙气捕获装置，其中所述二氟化氙源包括在支撑基底上含有二氟化氙的来源容器。29.氡气监测组件，包括: 容器: 盖子，其能与所述容器接合以封闭容器内部体积； 在所述容器中的碳吸附剂，所述碳吸附剂相对于大气气体对氡气有选择性；以及 书面标记，包括所述氡气监测组件的使用说明。30.权利要求29的氡气监测组件，其中所述书面标记指明所述监测的暂时性暴露。31.一种在氡气易于存在或流入的场所检测氡气污染的方法，包括将权利要求29的氡气监测组件以开盖的状态放置于所述场所，使所述碳吸附剂能够与周围气体接触，以及在预定的时间后重新盖上容器，从而提供内装样品用于氡气污染的分析试验。32.—种...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·H·鲍姆，J·D·卡拉瑟斯，R·弗里克，J·B·斯威尼，J·V·麦克马纳斯，E·A·斯特姆，
申请(专利权)人：先进技术材料股份有限公司，
类型：
国别省市：